集成电路装置制造方法及图纸

一种集成电路装置，包括：熔丝，其中连接至不同导电部件的一对端子部分设置在可切断部分的两侧上，如有需要通过激光照射来切断所述可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成。所述可切断部分可以比所述端子部分薄。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种集成电路装置，包括：熔丝，其中连接至不同导电部件的一对端子部分设置在可切断部分的两侧上，如有需要通过激光照射来切断所述可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成。所述可切断部分可以比所述端子部分薄。【专利说明】集成电路装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求2013年3月I日提交的日本专利申请N0.2013-041288的优先权，在这里通过引用将其全部内容并入本申请。
本专利技术的实施例总体上涉及集成电路装置。
技术介绍
在集成电路装置中，有时提供熔丝，以在生产工艺期间或之后适当地隔离所选择的布线线路。为了隔离所选择的布线，需要通过激光照射来切断熔丝。然而，当通过激光切断熔丝时，有时候在其上形成有熔丝的基底绝缘膜中发生裂缝。这可能导致集成电路装置的误操作。【专利附图】【附图说明】图1A是示出了根据第一实施例的集成电路装置的平面图。图1B是图1A中的线A-A’处的截面图，并且图1C是图1A中的线B-B’处的截面图。图2A是不出 了不例中激光照射位置的平面图。图2B是其截面图，并且图2C是不出了切断熔丝之后的状态的截面图。图3A是示出了第二实施例的集成电路装置的平面图。图3B是图3A中的线C_C’处的截面图，并且图3C是图3A中线D-D’处的截面图。图4A是示出了示例I的熔丝的平面图。图4B是沿着其长度方向的截面图。图4C是其切断部分的截面图；并且图4D是示出了层间电介质的截面图。图5A是示出了示例2的熔丝的平面图。图5B是沿着其长度方向的截面图。图5C是其切断部分的截面图；并且图是示出了层间电介质的截面图。图6A是示出了示例3的熔丝的平面图。图6B是沿着其长度方向的截面图。图6C是其切断部分的截面图；并且图6D是示出了层间电介质的截面图。图7A是示出了比较例I的熔丝的平面图。图7B是沿着其长度方向的截面图。图7C是其切断部分的截面图；并且图7D是示出了层间电介质的截面图。图8A是示出了比较例2的熔丝的平面图。图8B是沿着其长度方向的截面图。图8C是其切断部分的截面图；并且图8D是示出了层间电介质的截面图。【具体实施方式】实施例提供了集成电路装置，其中当通过激光照射切断其中的熔丝时，对下面或相邻的基底只会造成小的损害。实施例的集成电路装置包括熔丝，其中在可切断部分的两侧上具有连接至不同导电部件的一对端子部分，如有需要，可以通过激光照射来切断可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成。所述可切断部分跨越在端子部分之间，其比端子部分更薄，至少在一个尺度上。实施例的集成电路装置包括熔丝，其中在可切断部分的两侧上具有连接至不同的导电部件的一对端子部分，如有需要，可以通过激光照射来切断可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体。所述一对端子部分的总体积是所述切断部分体积的20倍或更多倍。在下文中，将参考附图来描述示范性实施例。首先，将描述第一实施例。图1A是示出了根据作为示例的实施例的集成电路装置的平面图。图1B是图1A中的线A-A’处的截面图，并且图1C是图1A中的线B-B’处的截面图。如图1A到IC所示，在根据此实施例的集成电路装置中，例如在硅衬底(未示出)上设置由二氧化硅(SiO2)制成的层间电介质10，并且在层间电介质10中嵌入熔丝11结构。熔丝11是形成集成电路装置I的电路的一部分的布线部件，并且在集成电路装置I的生产过程或之后，当电路的连接状态必须改变时，熔丝11是布线电路的被激光有意切断的部分。熔丝11例如能够用在存储器的冗余电路、用于调整模拟电路特性的微调部分、或者现场可编程门阵列(FPGA)中。在熔丝11中，可切断部分12，以布线线路的形式，布置在位于可切断部分12长度方向上的任一侧的一对盘状端子部分13a和13b之间，并且与端子部分13a和13b物理和电气地相连接。可切断部分12是可能被激光照射以用于切断或“断开”熔丝11的部分，当利用激光照射时，可切断部分12蒸发使得其材料部分被物理去除。端子部分13a和13b沿着可切断部分12的长度方向各自连接到可切断部分12的相对末端中的相应一个。可切断部分12、端子部分13a和端子部分13b具有基本上矩形的平行六面体的形状，即，它们的横截面大体上是矩形。在本实施例中，端子部分13a的形状和大小与端子部分13b的形状和大小相同。可切断部分12比端子部分13a和13b更薄。而且，端子部分13a和13b的宽度比可切断部分12的宽度大。因此，可切断部分12的横截面比任一个端子部分14的横截面更小。此外，端子部分13a和13b的总体积是可切断部分12的体积的20倍或更多倍。可切断部分12和端子部分13a和13b —体形成。也就是说，在熔丝11中，设置例如由铜(Cu)制成的主体部分14，以及例如由氮化钨(WN)制成的阻挡金属层15，它们覆盖主体部分14的下表面和侧表面。在可切断部分12与端子部分13a和13b的边界(相互连接的位置)没有布置阻挡金属层15。在集成电路装置I中，进一步设置一对过孔16a和16b以及布线线路17a和17b，并且将其嵌入层间电介质10中。过孔16a和16b紧邻布置在端子部分13a和13b的下方，过孔16a上端与端子部分13a的下表面连接，过孔16b上端与端子部分13b的下表面连接。另外，过孔16a下端与布线线路17a的上表面连接，过孔16b下端与布线线路17b的上表面连接。结果，端子部分13a经由过孔16a和布线线路17a而连接到集成电路装置I的其他部分，比如，电路中的一个节点，其决定熔丝11是需要保持导通还是需要被断开连接。并且端子部分13b经由过孔16b和布线线路17b而连接到相同电路中的其他节点。同样在过孔16a和16b以及布线线路17a和17b中，设置例如由铜制成的主体部分18以及例如由氮化钨制成的阻挡金属层19，其覆盖主体部分18的下表面和侧表面。在熔丝11的主体部分14与过孔16a和16b之间，插入熔丝11的阻挡金属层15。因此，熔丝11与过孔16a和16b的边界能够利用作为其轮廓的指示器的阻挡金属层15来限定。然而，当过孔16a和16b与熔丝11由双大马士革制造工艺同时形成时，例如在熔丝11的主体部分14与过孔16a和16b之间没有插入阻挡金属层15。在这种情况下,熔丝11与过孔16a和16b的边界能够通过作为单个矩形平行六面体的端子部分13a和13b与可切断部分12的外表面来限定。这种熔丝11能够由例如涉及两个光刻操作的大马士革工艺形成。也就是说，电介质层10、布线线路17a和17b、以及过孔16a和16b形成在硅衬底(未示出)上。接下来，通过第一光刻操作，在层间电介质10的上表面中形成用于形成端子部分13a和13b的相对深的沟槽。在这些沟槽的底表面上，暴露出过孔16a和16b的上表面。接下来，通过第二光刻操作，在层间电介质10的上表面中形成用于形成可切断部分12的相对浅的沟槽。该沟槽被制成与上述形成端子部分的沟槽连通。然后，在这些沟槽的内表面上形成阻挡金属层15。接下来，通过在其中沉积铜并对其上表面进行平坦化，形成熔丝11的主体部分14。通过这种方式，在其中形成的可切断部分12比端子部分13a和13b更薄的熔丝11，具有一体形成的导电材料，例如铜。接下来，将描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路装置，包括：互连电路，其具有第一导体和第二导体；以及熔丝，其在所述第一导体和所述第二导体之间延伸并切选择性地电互连所述第一导体和所述第二导体，其中所述熔丝包括与所述第一导体电且物理接触的第一端子部分；与所述第二导体电且物理接触的第二端子部分；以及在所述第一端子部分和所述第二端子部分之间延伸的可切断部分，其中所述可切断部分的体积至少比所述第一端子部分和所述第二端子部分的总体积小20倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山田兼慈，君岛秀树，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP