【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造具有部分成形的第一层的多层体的方法和具有复制层和部分设置在复制层上的第一层的多层体。
技术介绍
这些元件适合于作为光学元件或者也作为电信领域中的透镜系统。GB 2 136 352 A描述了一种用于制造密封膜的制造方法,所述密封膜设有全息图像作为安全特征。在那种情况下,在压印一衍射的凸纹结构之后,将塑料膜在整个面积上金属化,然后局部地与压印的衍射凸纹结构精确套准地去金属化。精确套准地去金属化费用高,并且可以达到的分辨率由调节允差和所使用的过程限制。EP 0 537 439 B2描述了用于制造带银丝网图案的安全元件的方法。图案由用金属层覆盖的衍射结构形成,并被其中去除金属层的透明区域包围。规定的是,将银丝网图案的轮廓以凹穴形式加到镀金属的载体材料中,在这种情况下,同时凹穴的底部设有衍射结构,然后用保护漆填充凹穴。过量的保护漆用刮刀片去除。在涂布保护漆之后规定,通过蚀刻去除在未受保护的透明区域中的金属层。凹穴是在约1μm和5μm之间,而衍射结构可以具有高度差为大于1μm。当涉及更精细结构时,所述方法失效,因为在重复步骤中,上述方法需要调节步骤用于精确套准地定向。此外,表面积的相关联的金属化区域难以实现,因为对于刮去保护漆来说,缺乏“间隔垫片”。
技术实现思路
本专利技术的目的是,提供多层体和用于制造多层体的方法,其中可-->以用高精度的套准而价格 ...
【技术保护点】
一种用于制造多层体(100,100′)的方法,所述多层体(100,100′)具有部分成形的第一层(3m),其特征在于,在该方法中,在多层体(100,100′)的复制层(3)的第一区域(5)中成形一衍射第一凸纹结构,所述第一凸纹结构的 各个结构元件的深度-宽度比>0.3,并将第一层(3m)以相对于复制层(3)所限定的平面的恒定的表面密度涂布到复制层(3)上第一区域(5)和第二区域(4,6)中,在第二区域中第一凸纹结构不在复制层(3)中成形,且第一层(3m)通过第一凸纹结构确定地部分地去除,以便第一层(3m)在第一区域(5)中去除,而在第二区域(4,6)中不去除或者在第二区域(4,6)中去除而在第一区域(5)中不去除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-2-10 102005006231.81.一种用于制造多层体(100,100′)的方法,所述多层体(100,
100′)具有部分成形的第一层(3m),
其特征在于,在该方法中,在多层体(100,100′)的复制层(3)
的第一区域(5)中成形一衍射第一凸纹结构,所述第一凸纹结构的各
个结构元件的深度-宽度比>0.3,并将第一层(3m)以相对于复制层
(3)所限定的平面的恒定的表面密度涂布到复制层(3)上第一区域
(5)和第二区域(4,6)中,在第二区域中第一凸纹结构不在复制层
(3)中成形,且第一层(3m)通过第一凸纹结构确定地部分地去除,
以便第一层(3m)在第一区域(5)中去除,而在第二区域(4,6)
中不去除或者在第二区域(4,6)中去除而在第一区域(5)中不去除。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在蚀刻过程中不仅在
第一区域而且在第二区域中,将第一层(3m)置于蚀刻剂中尤其是置
于酸或碱液中,并且蚀刻剂的作用时间如此选定,使得第一层(3m)
在第一区域中去除而在第二区域中不去除。
3.如权利要求1或2其中之一所述的方法,其特征在于,第一层
(3m)以一表面密度涂布到复制层(3)上,使得第一层(3m)在第
一区域中的透射度尤其是透明度通过第一凸纹结构比第一层(3m)在
第二区域中的透射度尤其是透明度增加。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,复制层(3)构成为
光敏的冲洗掩膜,该冲洗掩膜穿过第一层(3m)曝光,并在第一区域
中活化,在上述第一区域中第一层的透射度尤其是透明度通过第一凸
纹结构增加,及在冲洗过程中将冲洗掩膜的各活化区域和第一层(3m)
的在其上设置的各区域去除。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,光敏层涂布到第一层
(3m)上,所述光敏层穿过第一层(3m)曝光,并在第一区域中活
化,在所述第一区域中通过第一凸纹结构增加第一层(3m)的透射度
尤其是透明度,而活化的光敏层形成用于第一层(3m)的蚀刻剂。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,将光敏层(8)涂布
到第一层(3m)上,光敏层(8)穿过第一层(3m)曝光,并在第一
区域中活化,在所述第一区域中通过第一凸纹结构增加第一层(3m)
的透射度尤其是透明度,光敏层(8)如此显影,以使经过显影的光敏
层(8)形成用于第一层(3m)的蚀刻掩膜,并且在蚀刻过程中,将
第一层(3m)的未被蚀刻掩膜覆盖的各区域去除。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,光敏层(8)由光刻
胶形成。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,光刻胶设计为正性光
刻胶。
9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,光刻胶设计为负性光
刻胶。
10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,光敏层设计为光聚
合物。
11.如权利要求3所述的方法,其特征在于,将吸收层涂布到第
一层(3m)上,吸收层用激光穿过第一层(3m)照射,并在第一层
(3m)的第一区域(5)中热去除,在所述第一区域中通过第一凸纹
结构增加第一层(3m)的透射度尤其是透明度,并且部分去除的吸收
层形成用于第一层(3m)的蚀刻掩膜。
12.如权利要求6-11其中定所述的方法,其特征在于,将蚀刻掩
膜的残留物去除。
13.如上述权利要求其中之一所述的方法,其特征在于,将第二
层(3p)加到其中已去除第一层(3m)的区域中。
14.按照权利要求1和权利要求13所述的方法,其特征在于,将
部分成形的第一层(3m)去除,并且通过部分成形的第三层(3p′)
代替。
15.如上述权利要求其中之一所述的方法,其特征在于,第一层
(3m)和/或第二层(3p)和/或第三层(3p′)用电镀方法加厚。
16.如上述权利要求其中之一所述的方法,其特征在于,将一第
四层以相对于复制层(3)所限定的平面的一表面密度涂布到设置在复
制层(3)上的各层上,在第四层第一区域中的透射度尤其是透明度通
过第一凸纹结构相对于第四层在第二区域中的透射度尤其是透明度增
加,及第...
【专利技术属性】
技术研发人员:R施陶布,WR特普金,A席林,
申请(专利权)人:OVD基尼格拉姆股份公司,
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]
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