基板热处理设备和方法技术

本发明专利技术提供了一种基板热处理设备和方法。根据本发明专利技术的实施例，提供了一种基板热处理设备，该基板热处理包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。

【技术实现步骤摘要】

下面的描述涉及一种。
技术介绍
为了制造显示装置、半导体或太阳能电池，通常将基板热处理设备用于对基板进行热处理。基板热处理设备被分为热处理一个基板的单基板型设备和热处理多个基板的批量型设备。单基板型基板热处理设备构造简单，但是产率很低。因此，批量型基板热处理设备被主要用于批量生产。批量型基板热处理设备通常包括内壁(或内壳)和外壁(或外壳)。内壁可以形成容纳多个基板的空间，外壁可以围绕内壁。这里，在内壁和外壁之间形成空间。在基板的热处理期间产生或引入的气体可以在内壁和外壁之间的空间中凝结，因此污染了基板热处理设备。为了防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结，可以在外壁处安装加热器。这样的方法可以用于防止气体凝结，但是可能不能被应用于大体积的热处理设备，并可能降低基板的温度均匀性。
技术实现思路
本专利技术的实施例的多个方面涉及一种基板热处理设备，该基板热处理设备可以通过调节内壁和外壁之间的空间中的压力和基板容纳空间中的压力来防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结。本专利技术的实施例的多个方面还涉及一种基板热处理方法，该基板热处理方法可以通过调节内壁和外壁之间的空间中的压力和基板容纳空间中的压力来防止气体在内壁和外壁之间的空间中凝结。然而，本专利技术的实施例的多个方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的本专利技术的详细描述，本专利技术的实施例的上述和其他的方面对于本专利技术所属领域的普通技术人员将变得更清楚。根据本专利技术的实施例，提供了 一种基板热处理设备，所述基板热处理设备包括:内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。内壳可以包括热绝缘体。第一气体可以包括空气、氮气、氦气、氢气和氧气中的至少一种。所述设备还可以包括:至少一个气管，被构造为形成第一气体流动所经过的通道，其中，所述至少一个气孔可以包括通过气管结合在一起的多个气孔。所述至少一个加热器可以包括多个加热器，可以穿过内壳和外壳，并可以支撑基板。内壳和外壳之间的空间中的压力可以高于基板容纳空间中的压力。所述设备还可以包括:第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为高于第二压力。所述设备还可以包括:至少一个第一气源，被构造为供应第一气体，其中，压力控制器可以被构造为通过调节每单位时间内从所述至少一个第一气源供应的第一气体的量来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。所述设备还可以包括被构造为供应第一气体的第一气源，其中，第一气源包括被构造为储存第一气体的第一气室，第一气室包括:多个子室，每个子室被构造为储存多种类型的第一气体中相关的一种第一气体；多个子室阀，每个子室阀安装在所述多个子室中相关的一个子室中。所述设备还可以包括:第二气源，被构造为将第二气体供应到基板容纳空间；阀控制器，被构造为选择与第二气体对应的第一气体，并被构造为基于选择的第一气体来选择性地打开或关闭所述多个子室阀。阀控制器可以被构造为打开所述多个子室阀中与对应于第二气体的第一气体相关的一个子室阀，并关闭所述多个子室阀中的其他的子室阀。根据本专利技术的实施例，提供了 一种基板热处理设备，所述基板热处理设备包括:内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并包括至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许外壳内的气体被排放到外壳的外部。所述设备还可以包括:至少一个气管，形成气体排放所经过的通道，其中，所述至少一个气孔可以包括通过气管结合在一起的多个气孔。内壳和外壳之间的空间中的压力可以低于基板容纳空间中的压力。所述设备还可以包括:第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为低于第二压力。所述设备还可以包括:真空泵，结合到所述至少一个气孔，其中，压力控制器被构造为通过调节真空泵的驱动力来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。所述设备还可以包括:反应气源，被构造为将反应气体供应到基板容纳空间，其中，所述至少一个气孔被构造为排放反应气体和从基板产生的气体。根据本专利技术的实施例，提供了一种基板热处理方法，所述方法包括:将一个或多个基板供给到由内壳围绕的空间中，并加热基板；将第一气体注入内壳和被构造为围绕内壳的外壳之间的空间中，或将外壳内的气体排放到外壳的外部。注入第一气体的步骤可以包括:将内壳和外壳之间的空间中的压力调节为高于由内壳围绕的空间中的压力。将外壳内的气体排放到外壳的外部的步骤可以包括:将内壳和外壳之间的空间中的压力调节为低于由内壳围绕的空间中的压力。【附图说明】通过下面参照附图对本专利技术的示例性实施例进行详细描述，本专利技术的上面的和其他的方面和特征将变得更清楚，在附图中:图1是根据本专利技术的示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；图2是根据本专利技术的示例性实施例的在图1中示出的基板热处理设备排除气管和加热器之后的分解透视图；图3是根据本专利技术的示例性实施例的沿图1的II1-1II’线截取的剖视图；图4是根据本专利技术的示例性实施例的在图1中示出的基板热处理设备的平面图；图5是根据本专利技术的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的第一气源的放大平面图；图6是根据本专利技术的示例性实施例的图3的VI部分的放大剖视图；图7是根据本专利技术的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的压力控制器的框图；图8是根据本专利技术的示例性实施例的包括在图1中示出的基板热处理设备中的阀控制器的框图；图9是根据本专利技术的另一示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；图10是根据本专利技术的另一示例性实施例的在图9中示出的基板热处理设备的平面图；图11是根据本专利技术的另一示例性实施例的基板热处理设备的分解透视图；图12是根据本专利技术的示例性实施例的在图11中示出的基板热处理设备的平面图；图13是根据本专利技术的另一示例性实施例的基板热处理设备的平面图；图14是根据本专利技术的示例性实施例的在图13中示出的实施例的基板热处理设备中与图3中的VI部分相对应的那部分的放大剖视图；图15是根据本专利技术的示例性实施例的包括在图13中示出的实施例的基板热处理设备中的压力控制器的框图。【具体实施方式】通过下面详细描述示例性实施例和附图，可以更容易地理解本专利技术的多个方面和特征和完成本专利技术的方法的多个方面和特征。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，且不应被解释为限制于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将彻底地把本专利技术的构思传达给本领域技术人员。然而，本专利技术的范围将仅由权利要求来限定。因此，在一些实施例中，没有示出公知的结构和装置，从而不使本专利技术的描述因不必要的细节而变得模糊。相同的标号始终指示相同的元件。在附图中，为了清楚而可能夸大了层和区域的厚度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板热处理设备，包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。

【技术特征摘要】
2013.02.26 KR 10-2013-00206151.一种基板热处理设备，包括: 内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间； 外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔； 至少一个加热器，被构造为加热基板， 其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。2.如权利要求1所述的设备,其中，内壳包括热绝缘体。3.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括: 至少一个气管，被构造为形成第一气体流动所经过的通道， 其中，所述至少一个气孔包括通过气管结合在一起的多个气孔。4.如权利要求1所述的设备，其中，所述至少一个加热器包括多个加热器，穿过内壳和外壳，并支撑基板。5.如权利要求1所述的设备，其中，内壳和外壳之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力。6.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括: 第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中； 第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中； 压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：安成国，许俊，尹钟现，朴暻完，康浩荣，李炳一，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR