单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器技术

本发明专利技术公开了一种单层触摸屏，包括：基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。本发明专利技术还同时公开了一种单层触摸屏的制作方法和触摸屏显示器，本发明专利技术可在触摸屏的制作过程中，在其他各层和金属布线进行对位制作时，防止金属对BM的溅射，保证腔室的洁净。

【技术实现步骤摘要】
单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器
本专利技术涉及液晶显示
中的触摸屏技术，尤其涉及一种单层触摸屏(OneGlass Solution Touch Panel)及其制作方法和触摸屏显示器。
技术介绍
目前，由于触摸屏显示器的迅速发展，其已经逐渐发展成为主流平板显示器。从出现至今，触摸屏显示器按照结构划分主要分为如下三种类型:外挂式触摸屏(Out CellTouch Panel)、外嵌式触摸屏(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸屏(In Cell TouchPanel)。当前主流触摸屏大部分都采用外挂式结构设计。随着触摸屏显示器所要求的光学特性和电学特性不断提高，以及消费者对薄化显示器的不断需求，在有限的空间里，且在显示效果不变的情况下，设计出具有高性能、低成本、超薄的薄膜晶体管逐渐成为各大厂商的主要目标。图1为现有外挂式单层触摸屏的剖面结构示意图，如图1所示，包括:基板1、设置于基板I上的BM(黑矩阵)边框2和ITO (铟锡氧化物)桥5，设置于ITO桥5上的绝缘层4，设置于基板1、BM边框2、ITO桥5以及绝缘层4上的ITO电极层3、设置于ITO电极层3上的金属布线6、设置于ITO电极层3、金属布线6以及绝缘层4上的钝化层(PVX) 7，以及设置于金属布线6上的柔性印刷电路(FPC)8，所述屏蔽ITO层9设置于基板I的背面。在上述现有的单层触摸屏的制作过程中，由于触摸屏中横纵向感应电极交错位置处采用的ITO桥5对位比较困难。如果将ITO桥5换成金属桥，则可以使对位比较容易，但是如果在现有技术上直接将ITO桥5替换成金属桥，则在制备时，会存在如下问题:需要先制作金属布线6，而后其他各层和金属布线6进行对位制作，这种工艺将导致金属轰击BM边框2，进而造成腔室污染。而且，现有的单层触摸屏的制作过程中，由于屏蔽ITO层9需在基板I的背面制作，需要翻转工艺，实现较复杂。另外，现有所述单层触摸屏的整个制作过程中需要五块掩膜板:形成所述BM边框2的掩膜板1、形成所述ITO桥5的掩膜板2、形成所述绝缘层4的掩膜板3、形成所述ITO电极层3的掩膜板4，以及形成所述保护层7的掩膜板5，成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器，可在触摸屏的制作过程中，在其他各层和金属布线进行对位制作时，防止金属对BM的溅射，保证腔室的洁净。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的:本专利技术提供了一种单层触摸屏，包括:基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。优选地，所述屏蔽铟锡氧化物层与黑矩阵边框设置在基板的同一侧。优选地，在黑矩阵边框上方至少设有所述铟锡氧化物电极层与所述屏蔽铟锡氧化物层中的一种。优选地，所述铟锡氧化物电极层和所述金属布线隔着所述绝缘保护层而设置于所述黑矩阵边框上方。优选地，所述黑矩阵边框与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状相同。优选地，所述钝化层与黑矩阵边框的图案形状互补，或所述钝化层与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状互补。优选地，所述钝化层上形成有与该钝化层图案形状相同的屏蔽铟锡氧化物层。优选地，所述单层触摸屏还包括:设置于铟锡氧化物电极层上的柔性印刷电路。本专利技术还提供了一种触摸屏显示器，所述触摸屏显示器包括上述的单层触摸屏。本专利技术还提供了一种单层触摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩阵边框；该方法还包括:在形成有黑矩阵边框的基板上形成屏蔽铟锡氧化物层；在形成有屏蔽铟锡氧化物层的基板上形成绝缘保护层；在形成有绝缘保护层的基板上形成金属布线和金属桥；在形成有金属桥的基板上形成绝缘层；在形成有金属布线、绝缘保护层、金属桥和绝缘层上的基板上形成铟锡氧化物电极层；在形成有绝缘层和铟锡氧化物电极层上的基板上形成钝化层。优选地，所述黑矩阵边框和屏蔽铟锡氧化物层的形成采用第一掩膜板，所选光刻胶为正胶；所述金属布线和金属桥的形成采用第二掩膜板；所述绝缘层的形成采用第三掩膜板；所述铟锡氧化物电极层的形成采用第四掩膜板；所述钝化层的形成选用第一掩膜板，所选光刻胶为负胶。本专利技术还提供了一种单层触摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩阵边框；该方法还包括:在形成有黑矩阵边框的基板上形成绝缘保护层；在形成有绝缘保护层的基板上形成金属布线和金属桥；在形成有金属桥的基板上形成绝缘层；在形成有金属桥、绝缘层、绝缘保护层以及金属布线的基板上形成铟锡氧化物电极层；在形成有绝缘层和铟锡氧化物电极层上的基板上形成钝化层；在形成有钝化层的基板上形成屏蔽铟锡氧化物层。优选地，所述黑矩阵边框和绝缘保护层的形成采用第一掩膜板，所选光刻胶为正胶；所述述金属布线和金属桥的形成采用第二掩膜板；所述绝缘层的形成采用第三掩膜板；所述铟锡氧化物电极层的形成采用第四掩膜板；所述钝化层和屏蔽铟锡氧化物层的形成米用第一掩膜板，所选光刻胶为负胶。本专利技术提供的单层触摸屏及其制作方法和触摸屏显示器，所述单层触摸屏至少在黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。因此，本专利技术在触摸屏的制作过程中，在其他各层和金属布线进行对位制作时，可防止金属对黑矩阵边框的溅射，保证腔室的洁净。此外，所述单层触摸屏的屏蔽ITO层与其它层共同设置于基板的正面(同一侧)，因此不需翻转工艺，工艺相对简单。另外，本专利技术的触摸屏的制作过程中仅需要四块掩膜板，相对现有技术中的五块掩膜板，可节省掩膜板的成本。此外，本专利技术所述BM上设置的屏蔽ITO层，可防止液晶显示器(IXD)对触摸屏周边金属走线进行信号干扰。另外，本专利技术所述PVX上设置的屏蔽ITO层，可防止IXD对触摸屏的可显示区域进行信号干扰。【附图说明】图1为现有外挂式单层触摸屏的剖面结构示意图；图2为本专利技术第一实施例单层触摸屏的剖面结构示意图；图3为本专利技术第一实施例单层触摸屏的制作方法流程示意图；图4为本专利技术第二实施例单层触摸屏的剖面结构示意图；图5为本专利技术第二实施例单层触摸屏的制作方法流程示意图。附图标记说明:1、基板;2、BM边框;3、IT0电极层；4、绝缘层;5、ΙΤ0桥;6、金属布线；7、PVX(钝化层);8、FPC(柔性印刷电路);9、屏蔽ITO层；10、绝缘保护层；11、金属桥。【具体实施方式】本专利技术的基本思想是:为了防止金属对黑矩阵边框的溅射，保证腔室的洁净，在单层触摸屏的制作过程中，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设置绝缘保护层。优选的，所述屏蔽铟锡氧化物层与黑矩阵边框设置在基板的同一侧。优选的，在所述黑矩阵边框上方至少设有所述铟锡氧化物电极层与所述屏蔽铟锡氧化物层中的一种。进一步地，所述铟锡氧化物电极层和所述金属布线隔着所述绝缘保护层而设置于所述黑矩阵边框上方。下面结合附图及具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。图2为本专利技术单层触摸屏第一实施例的结构示意图，如图2所示，包括:设置于基板I上的BM边框2、设置于BM边框2上的屏蔽ITO层9、设置于屏蔽ITO层9和基板I上的绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层触摸屏，包括：基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；其特征在于，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。

【技术特征摘要】
1.一种单层触摸屏，包括:基板，屏蔽铟锡氧化物层，设置于基板上的黑矩阵边框，设置于黑矩阵边框上方的金属布线，形成于触摸感应区内的金属桥，形成于所述金属桥上的绝缘层，设置于所述金属布线、金属桥和绝缘层上的铟锡氧化物电极层以及设置于铟锡氧化物电极层上的钝化层；其特征在于，至少在所述黑矩阵边框的上方且在所述金属布线的下方，设有绝缘保护层。2.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述屏蔽铟锡氧化物层与黑矩阵边框设置在基板的同一侧。3.根据权利要求2所述的单层触摸屏，其特征在于，在黑矩阵边框上方至少设有所述铟锡氧化物电极层与所述屏蔽铟锡氧化物层中的一种。4.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述铟锡氧化物电极层和所述金属布线隔着所述绝缘保护层而设置于所述黑矩阵边框上方。5.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述黑矩阵边框与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状相同。6.根据权利要求3所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层与黑矩阵边框的图案形状互补，或所述钝化层与屏蔽铟锡氧化物层的图案形状互补。7.根据权利要求6所述的单层触摸屏，其特征在于，所述钝化层上形成有与该钝化层图案形状相同的屏 蔽铟锡氧化物层。8.根据权利要求1所述的单层触摸屏，其特征在于，所述单层触摸屏还包括:设置于铟锡氧化物电极层上的柔性印刷电路。9.一种触摸屏显示器，其特征在于，所述触摸屏显示器包括权利要求1至8中任一项所述的单层触摸屏。10.一种单层触摸屏的制作方法，包括:在基板上形成黑矩阵边框；其特征在于，该方法还包括: 在形成有黑矩阵边框...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，王海生，杨盛际，邓立广，段亚锋，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11