波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块以及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块及电子设备。该波长可变干涉滤波器（5）具备一对基板（51、52）；设置在这些基板上的一对反射膜（54、55）；第一电极（561）；第二电极（562）；设置在第一基板（51）上、从第一电极起一直设置到第一基板的外周缘侧的第一导通电极（563）；设置在第二基板（52）上、与第一导通电极导通的第二导通电极（564）；以及接合基板的接合面的接合层。第一基板具有与第一导通电极与第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面（516），第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面（564A），从第一导通电极面到第二导通电极面的最小距离D1与从第一接合面（515）到第二接合面（524）的最小距离D2不同。

【技术实现步骤摘要】
波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光模块以及电子设备
[0001 ] 本专利技术涉及波长可变干涉滤波器、滤光器设备、光学模块以及电子设备。
技术介绍
目前，已知有在一对基板彼此相对的面上隔着规定的间隙分别相对配置反射膜、在各基板彼此相对的面上分别设置驱动电极的波长可变干涉滤波器。在该波长可变干涉滤波器上，通过向驱动电极间施加电压，从而通过静电引力调节反射膜间的间隙。在这样的波长可变干涉滤波器上，必须在各基板上形成从各驱动电极伸出的第一导通电极，针对这些第一导通电极实施用于施加电压的布线。例如，在专利文献I所述的波长可变干涉滤波器上，彼此相对的第一基板和第二基板通过接合膜接合。接合膜被设置在第一基板的第一接合面和第二基板的第二接合面上。此外，在第一基板上，在与第一接合面的同一个平面上设置第一电极面，在第一电极面上设置用于向第二驱动电极施加电压的第一导通电极。专利文献I所述的波长可变干涉滤波器通过该第一导通电极与从第二基板的驱动电极伸出的第二导通电极进行面接触，从而形成第一导通电极与第二导通电极导通的状态。但是，在专利文献I所述的波长可变干涉滤波器上，由于第一接合面与第一电极面设置在同一个平面上，因此，第一导通电极与第二导通电极接触的基板间导通部上的基板间距离受到第一接合面与第二接合面的间隔的限制。因此，基板间导通部上的第一导通电极与第二导通电极的膜厚受到接合膜的膜厚的限制，自由度低。因此具有难以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能使电极膜厚大于或小于接合层的膜厚的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:特开2012-168438号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度的波长可变干涉滤波器，以及具有该波长可变干涉滤波器的滤光器设备、光学模块以及电子设备。本专利技术是一种波长可变干涉滤波器，具备:第一基板；第二基板，所述第二基板与上述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在上述第一基板上，反射一部分入射光且透过一部分；第二反射膜，所述第二反射膜设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，反射一部分入射光且透过一部分；第一电极，所述第一电极设置在上述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在上述第一基板上，从上述第一电极起一直设置到比上述第一电极更位于上述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在上述第二基板上，与上述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在上述第二基板上，通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接；接合层，所述接合层接合上述第一基板的第一接合面和与上述第一接合面相对的上述第二基板的第二接合面，其中，上述第一基板具有与上述第一导通电极与上述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，上述第二基板具有与上述接触面相对的第二导通电极面，从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离与从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离不同。在本专利技术中，波长可变干涉滤波器具有第二导通电极与第二导通电极接触的接触面，在第一基板上，第一导通电极设置在与接触面相对的第一导通电极面上，在第二基板上，第二导通电极设置在与接触面相对的第二导通电极面上。并且，在本专利技术中，从第一基板的第一接合面到第二基板的第二接合面的最小距离被设定成与从第一基板的第一导通电极面到第二基板的第二导通电极面的最小距离不同。即，在本专利技术中，第一接合面与第一导通电极面不在同一个平面上，被分别设置在第一基板的厚度方向不同的平面上。因此，在第一导通电极与第二导通电极进行电连接的基板间导通部上，可以不受接合层的膜厚的限制地设定第一导通电极和第二导通电极的膜厚。因此，根据本专利技术，可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此，可以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能使电极膜厚大于接合层的膜厚或小于接合层的膜厚。在本专利技术的波长可变干涉滤波器上，优选使从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离大于从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离。在本专利技术中，由于使从第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离大于从第一接合面到第二接合面的最小距离，因此，在基板间导通部可以不受接合层的膜厚的限制、将第一导通电极和第二导通电极的膜厚设定成更厚。因此可以减小电极的电阻。另一方面，优选使从上述第一导通电极面到上述第二导通电极面的最小距离小于从上述第一接合面到上述第二接合面的最小距离。在本专利技术中，由于使从第一导通电极面到第二导通电极面的最小距离小于从第一接合面到第二接合面的最小距离，因此，在基板间导通部可以不受接合层的膜厚的限制、将第一导通电极和第二导通电极的膜厚设定成更薄。因此可以减小电极的膜应力，可以抑制因该膜应力引起的基板的挠曲或翘曲。在本专利技术的波长可变干涉滤波器上，优选上述第二基板的设置上述第二导通电极面的部位相对于该第二基板的厚度方向具有可挠性。在本专利技术中，在第一导通电极与第二导通电极接触时，由于该接触压，应力有可能施加在第二基板上。尤其是，如果为了提高第一导通电极面上的第一导通电极和第二导通电极面上的第二导通电极的导通可靠性，对这些电极进行压接，有可能大的应力施加在第二基板上。在本专利技术中，第二基板的设置第二导通电极面的部位具有可挠性。因此，通过具有该可挠性的部位进行挠曲，可以释放第一导通电极与第二导通电极接触时的接触压引起的应力。其结果，第二基板不会由于接触压引起的应力而挠曲，可以抑制波长可变干涉滤波器上的分辨率降低。在本专利技术的波长可变干涉滤波器上，优选上述第一基板的设置上述第一导通电极面的部位相对该第一基板的厚度方向具有可挠性。在本专利技术中，在第一导通电极与第二导通电极接触时，由于该接触压，应力有可能施加在第一基板上。尤其是，如果为了提高第一导通电极面上的第一导通电极和第二导通电极面上的第二导通电极的导通可靠性，对这些电极进行压接，有可能大的应力施加在第一基板上。在本专利技术中，第一基板的设置第一导通电极面的部位具有可挠性。因此，通过具有该可挠性的部位进行挠曲，可以释放第一导通电极与第二导通电极接触时的接触压引起的应力。其结果，第一基板不会由于接触压引起的应力而挠曲，可以抑制波长可变干涉滤波器上的分辨率降低。本专利技术的与上述不同方式的波长可变干涉滤波器，向外部射出与相对的反射膜间的距离相应的波长的光，通过第一电极和与上述第一电极相对的第二电极的电位差改变上述距离，具备:设置了上述第一电极和与上述第一电极电连接的第一导通电极的第一基板、设置了上述第二电极和通过上述第一导通电极与上述第一电极电连接的第二导通电极的第二基板以及接合上述第一基板和上述第二基板的接合层，其特征在于，上述第一导通电极与上述第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与上述接合层的厚度不同。在本专利技术中，第一基板上的第一导通电极与第二基板上的第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与接合层的厚度不同。在本专利技术中，在层叠部在第一基板的第一导通电极与第二基板的第二导通电极之间实现导通，可以不受接合层的厚度的限制地设定层叠部的厚度。因此，根据本专利技术可以提高在基板间使电极接触的基板间导通部上的电极膜厚的自由度。因此，可以根据波长可变干涉滤波器所需要的规格和性能，使电极膜厚比接合层的膜厚更厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备：第一基板；第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上；第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对；第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上；第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧；第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对；第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面，所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面，所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面，从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。

【技术特征摘要】
2013.02.25 JP 2013-0342581.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备: 第一基板； 第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对； 第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上； 第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对； 第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上； 第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧； 第二电极，所述第二电极设置在所述第二基板上，与所述第一电极相对； 第二导通电极，所述第二导通电极设置在所述第二基板上，通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接；以及 接合层，所述接合层接合所述第一基板的第一接合面和与所述第一接合面相对的所述第二基板的第二接合面， 所述第一基板具有与所述第一导通电极与所述第二导通电极接触的接触面相对的第一导通电极面， 所述第二基板具有与所述接触面相对的第二导通电极面， 从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离与从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离不同。2.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，从所述第一导通电极面到所述第二导通电极 面的最小距离大于从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离。3.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，从所述第一导通电极面到所述第二导通电极面的最小距离小于从所述第一接合面到所述第二接合面的最小距离。4.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，所述第二基板的设置所述第二导通电极面的部位相对于该第二基板的厚度方向具有可挠性。5.根据权利要求1~4中任一项所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，所述第一基板的设置所述第一导通电极面的部位相对于该第一基板的厚度方向具有可挠性。6.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，向外部射出与相对的反射膜间的距离相应的波长的光，并通过第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的电位差改变所述距离，所述波长可变干涉滤波器具备: 设置有所述第一电极和与所述第一电极连接的第一导通电极的第一基板； 设置有所述第二电极和通过所述第一导通电极与所述第一电极电连接的第二导通电极的第二基板；以及 接合所述第一基板和所述第二基板的接合层， 所述第一导通电极与所述第二导通电极重叠接触的层叠部的厚度与所述接合层的厚度不同。7.一种滤光器设备，其特征在于，具备波长可变干涉滤波器和壳体，所述波长可变干涉滤波器具备: 第一基板； 第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对；第一反射膜，所述第一反射膜设置在所述第一基板上； 第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对； 第一电极，所述第一电极设置在所述第一基板上； 第一导通电极，所述第一导通电极设置在所述第一基板上，从所述第一电极起一直设置到比所述第一电极更位于所述第一基板的外周缘侧； 第二电极，所述第二电极设置在所述第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村晃幸，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP