晶圆及其可接受测试方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆，包括形成于其上且呈矩阵排列的晶片，所述晶片被划分到多个测试区域，每个测试区域包含至少四个呈矩阵排列的晶片，所述每个测试区域的晶片之间的间隔区域形成位于所述测试区域内的划片槽，所述每个测试区域中的划片槽中设有至少两个对准图形，且在横向的划片槽中和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形。还公开一种晶圆可接受测试方法，利用上述设置在横向的和纵向的划片槽中对准图形将测试区域进行定位。上述晶圆和测试方法，能够有效避免因误认对准图形而造成的晶圆损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种晶圆可接受测试方法和一种晶圆。
技术介绍
WATCwafer acceptance test,晶圆可接受测试)是芯片制造过程中的重要步骤,用于检测晶圆上的芯片是否符合预期的设计目标，也即芯片的电学参数是否符合客户需求。WAT的是分区域(block)进行的，每次测试一个区域。一个区域包含多个晶片(die)，多个晶片相互之间都间隔开来，其中晶片之间间隔的区域称之为划片槽或切割道(subscribe line)。为了准确定位测试区域的位置，通常都要在晶圆上设置一些对准图形，以辅助对准。对准图形就设置在上述的划片槽内，并且其图形与晶片上的电路图形截然不同，以利于分辨。然而，传统的WAT方法中，由于探针程序的对位精度不够，在划片槽内的对准图形比较接近时，若发生误认对准图形的情况，就会导致定位偏移。这样探针就不能准确落在测试点，而划伤晶片的其他部分，导致晶圆报废。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够精确定位的晶圆可接受测试方法。此外，还提供一种使得WAT方法能够准确定位测试区域的晶圆。—种晶圆，包括形成于其上且呈矩阵排列的晶片，所述晶片被划分到多个测试区域，每个测试区域包含至少四个呈矩阵排列的晶片，所述每个测试区域的晶片之间的间隔区域形成位于所述测试区域内的划片槽，所述每个测试区域中的划片槽中设有至少两个对准图形，且在横向的划片槽和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形。在其中一个实施例中，所述对准图形设置在相互距离最远的横向的和纵向的划片槽中。一种晶圆可接受测试方法，包括如下步骤:在每个测试区域的划片槽中设置至少两个对准图形，且在横向的划片槽中和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形；采用低倍基准对位调整晶圆在测试台上的角度；采用高倍基准对位对测试区域进行定位，具体包括:分别定位所述设置在横向的划片槽中的对准图形和设置在纵向的划片槽中的对准图形；定义测试模块；核对晶圆对位信息并进行测试。在其中一个实施例中，在采用低倍基准对位调整晶圆在测试台上的角度的步骤之前，还对晶圆的边缘进行对位。在其中一个实施例中，所述采用低倍基准对位调整晶圆在测试台上的角度的步骤包括利用低倍对位模块下的上、中、下、左、右5个对位模块调整晶圆的角度。在其中一个实施例中，采用高倍基准对位对测试区域进行定位的步骤包括利用高倍对位模块下的上、中、下、左、右5个对位模块对测试区域进行定位。上述的晶圆和测试方法，在利用对准图形进行对准时，由于分别设置在横向和纵向的划片槽中，二者的相对坐标固定，当其中一个对准图形被误认时，另一个对准图形的位置必然产生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而对准图形和晶片上的电路图形不可能相同或相似。当由于其中一个被误认而产生偏移时，另一个对准图形无法在错误的位置被识别，因而不能对测试区域进行定位，后续的测试步骤就无法进行，因此可以有效避免因误认对准图形而造成的晶圆损坏。【附图说明】图1为一实施例的晶圆示意图；图2为图1中A部分的局部放大图；图3为一实施例的晶圆可接受测试方法的流程图。【具体实施方式】如图1所示，为一实施例的晶圆示意图。该晶圆10包括形成于其上且呈矩阵排列的晶片100，所述晶片100被划分到多个测试区域200。测试区域200的划分可以根据测试需要或者以功能区域进行划分。每个测试区域200包含至少4个呈矩阵排列的晶片100。如图2所示，是图1中A部分的局部放大图。在晶圆10中，晶片100并不是紧密排列的，而是相互之间具有60-100微米的间隔，即划片槽或切割道(subscribe line)。本实施例的晶圆10即在每个测试区域200中的划片槽中设有两个对准图形202、204，且分别设置在横向的划片槽中和纵向的划片槽中。其他测试区域200中的对准图形的位置可参照A部分进行设置。 上述的晶圆10，在利用对准图形202、204进行对准时，由于分别设置在横向和纵向的划片槽中，二者的相对坐标固定，当其中一个对准图形被误认时，另一个对准图形的位置必然产生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而对准图形和晶片上的电路图形不可能相同或相似。当由于其中一个被误认而产生偏移时，另一个对准图形无法在错误的位置被识别，因而不能对测试区域200进行定位，后续的测试步骤就无法进行，因此可以有效避免因误认对准图形而造成的晶圆损坏。在一个优选的实施例中，对准图形202、204设置在相互距离最远的横向的和纵向的划片槽中。这样，当其中一个对准图形被误认时，另一个对准图形的位置会产生最大的偏移，有利于避免错误。如图3所示，为一实施例的晶圆可接受测试方法的流程图。该方法包括如下步骤。SlOl:在每个测试区域的划片槽中设置两个对准图形，且所述两个对准图形分别设置在横向的划片槽中和纵向的划片槽中。具体可以参考图2中的方式设置对准图形。S102:对晶圆的边缘进行对位。如图1中所示的晶圆10，具有两个削平的边缘，利用该边缘进行粗对位，将晶圆放置在测试台上的正确位置。S103:采用低倍基准对位调整晶圆在测试台上的角度。本步骤包括利用低倍对位模块下的上、中、下、左、右5个对位模块调整晶圆的角度。S104:采用高倍基准对位对测试区域进行定位。本步骤具体包括:分别定位所述设置在横向的划片槽中的对准图形和设置在纵向的划片槽中的对准图形。同样的，高倍基准对位利用高倍对位模块下的上、中、下、左、右5个对位模块对测试区域进行定位。定位完成之后即可进行测试工作，即执行以下步骤。S105:定义测试模块。S106:核对晶圆对位信息并进行测试。上述测试方法，由于分别利用设置在横向和纵向的划片槽中的对准图形202、204进行对准，而二者的相对坐标固定，当其中一个对准图形被误认时，另一个对准图形的位置必然产生偏移(一般是偏移到晶片的位置)，而对准图形和晶片上的电路图形不可能相同或相似。当由于其中一个被误认而产生偏移时，另一个对准图形无法在错误的位置被识别，因而不能对测试区域200进行定位，后续的测试步骤就无法进行，因此可以有效避免因误认对准图形而造成的晶圆损坏。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆，包括形成于其上且呈矩阵排列的晶片，所述晶片被划分到多个测试区域，每个测试区域包含至少四个呈矩阵排列的晶片，所述每个测试区域的晶片之间的间隔区域形成位于所述测试区域内的划片槽，其特征在于，所述每个测试区域中的划片槽中设有至少两个对准图形，且在横向的划片槽和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆，包括形成于其上且呈矩阵排列的晶片，所述晶片被划分到多个测试区域，每个测试区域包含至少四个呈矩阵排列的晶片，所述每个测试区域的晶片之间的间隔区域形成位于所述测试区域内的划片槽，其特征在于，所述每个测试区域中的划片槽中设有至少两个对准图形，且在横向的划片槽和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形。2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述对准图形设置在相互距离最远的横向的和纵向的划片槽中。3.一种晶圆可接受测试方法，包括如下步骤: 在每个测试区域的划片槽中设置至少两个对准图形，且在横向的划片槽和纵向的划片槽中分别至少设置一个对准图形； 采用低倍基准对位调整晶圆在测试台上的角度； 采用高倍基准对位对测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：连晓谦，凌耀君，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32