批处理式基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及批处理式基板处理装置。本发明专利技术的批处理式基板处理装置的特征在于，具备：基板处理部（100），收容层叠在基板装载部（500）上的多个基板（40）并进行处理；供气部（200），其形成在基板处理部（100）的一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个供气流道(250)，以将基板处理气体供给至基板处理部(100)，其中，当基板（40）与基板处理部（100）的内周面之间的距离为d1，基板（40）与供气流道（250）之间的距离为d2时，d1≦d2。

【技术实现步骤摘要】
批处理式基板处理装置
本专利技术涉及批处理式基板处理装置，更具体地，通过形成收容有供气流道的供气部，该供气部在基板处理部的一侧外周面上突出形成，从而能够减小进行基板处理工艺的内部空间。
技术介绍
为了制造半导体元件，必须进行在硅晶片等基板上沉积必要的薄膜的工艺。在薄膜沉积工艺中主要使用派射法(Sputtering)、化学气象沉积法(CVD:Chemical VaporDeposition)、原子层沉积法(ALD:Atomic layer Deposition)等。溅射法是将在等离子体状态下生成的氩离子撞击靶材表面，使从靶材表面脱离的靶材物质以薄膜状态沉积在基板上的技术。溅射法虽然能够形成粘附性优异的高纯度薄膜，但是在形成具有高纵横比(High Aspect Ratio)的细微图案时存在局限性。化学气象沉积法是将各种气体注入到反应腔室内，将通过热、光或等离子体等被高能量诱导的气体与反应气体进行化学反应，以在基板上沉积薄膜的技术。由于化学气象沉积法利用迅速发生的化学反应，因此很难控制原子的热力学(Thermodynamic)稳定性,而且使薄膜的物理特性、化学特性以及电子特性降低。原子层沉积法是交替供给作为反应气体的源气体和吹扫气体，以在基板上沉积原子层单位的薄膜的技术。由于原子层沉积法是为了克服阶梯覆盖性(Step Coverage)的局限性而利用表面反应的技术，因此适于形成具有高纵横比的细微图案，并且使薄膜具有优异的电子特性以及物 理特性。原子层沉积装置可以分为，向腔室内逐一装载基板进行沉积工艺的单片式装置以及向腔室内装载多个基板，进行批量沉积工艺的批处理(Batch)式装置。图1是表示现有的批处理式原子层沉积装置的立体图。现有的批处理式原子层沉积装置具有形成腔室11的处理室10，该腔室11是通过装载基板40来进行沉积工艺的空间。并且，所述处理室10的内部设有沉积工艺所需的供气部20、排气部30等部件。此外，原子层沉积装置具有晶舟50，该晶舟50包括:与处理室10封闭结合的托架部51 ;插入到处理室10内部的突出部53 ;以及用于层叠多个基板40的支撑杆55。如上所述的现有的原子层沉积装置，基板40与处理室10内周面之间的距离dl’大于基板40与供气部20之间的距离d2’(dl’ >d2’)，即，由于现有的批处理式原子层沉积装置在处理室10内部(或腔室11)设有供气部20、排气部30等部件，从而导致处理室10的内部腔室11的体积不必要地变大。因此，为了进行沉积工艺而需要供给大量的工艺气体，以填充腔室11，从而导致增加供给工艺气体所需的时间消耗和工艺气体的浪费，并且增加在增加沉积工艺后排出大量存在于腔室11内部的工艺气体所需的时间。此外，作为容易地承受腔室11内部的压力的理想的形态，现有的原子层沉积装置一般使用钟形的处理室10。但是，由于钟形的腔室11的上部空间12的结构，导致工艺气体的供给和排出耗费大量的时间，浪费工艺气体。与用于沉积原子层的批处理式装置相关的在先技术公开于韩国公开专利公报第10-2008-0028963号、韩国公开专利公报第10-2011-0087580号等。专利技术的内容本专利技术为了解决上述的现有技术的各种问题而提出，目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其减小进行基板处理工艺的内部空间。此外，本专利技术的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过减小进行基板处理工艺的内部空间，以减少在基板处理工艺中使用的基板处理气体的使用量。此外，本专利技术的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过减小进行基板处理工艺的内部空间，使基板处理工艺中所使用的基板处理气体顺畅地供给和排出，从而大大缩短基板处理工艺时间。此外，本专利技术的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，其通过将基板处理部的形状从钟形向上侧表面平坦的结构变更，从而减小内部空间。 为了实现上述目的，本专利技术的一实施方式的批处理式基板处理装置的特征在于，具备:基板处理部，收容层叠在基板装载部上的多个基板并进行处理；供气部，其形成在所述基板处理部的一侧外周面上，通过收容供基板处理气体流通的至少一个供气流道，将基板处理气体供给至所述基板处理部，其中，当基板与所述基板处理部的内周面之间的距离为dl，基板与所述供气流道之间的距离为d2时，dl含d2。如上构成的本专利技术减小进行基板处理工艺的内部空间。此外，本专利技术由于通过减小进行基板处理工艺的内部空间来减少在基板处理工艺中使用的基板处理气体的使用量，从而降低基板处理工艺费用。此外，本专利技术由于通过减小进行基板处理工艺的内部空间，使基板处理工艺中所使用的基板处理气体顺畅地供给和排出，从而大大缩短基板处理工艺时间，因此提高基板处理工艺的生产率。此外，本专利技术将基板处理部的形状从钟形向上侧表面平坦的结构变更，从而能够减小内部空间。【附图说明】图1是表示现有的批处理式原子层沉积装置的立体图。图2是表示本专利技术的一实施方式的批处理式基板处理装置的立体图。图3是图2的局部分解立体图。图4是本专利技术的一实施方式的批处理式基板处理装置的俯视截面图。图5是本专利技术的一实施方式的供气部和排气部的放大立体图。图6是表示本专利技术的一实施方式的在上侧表面结合加强筋的批处理式基板处理装置的立体图。图7是表示本专利技术的一实施方式的在外表面设有加热器的批处理式基板处理装置的立体图。图8是本专利技术的一实施方式的加热器的放大主视图。附图标记40:基板100:基板处理部110:基板处理部内部空间120、130:加强筋150、160:加热器200:供气部250:供气流道251:供气管252:吐气孔300:排气部350:排气流道351:排气管352:排气孔400:壳体 450:歧管500:基板装载部dl:基板与基板处理部内周面之间的距离d2:基板与供气流道之间的距离实施专利技术的具体形式参照图示的附图，对可实施本专利技术的特定实施方式的本专利技术进行详细说明。通过这些实施方式，所属领域的技术人员能够充分实施本专利技术。虽然本专利技术的各种实施方式相互不同，但不应理解为相互排斥，例如，记载于此的特定形状、结构以及特性在一实施方式中，在不脱离本专利技术的精神以及范围的基础上能够以其他实施方式体现。此外，每个公开的实施方式中的个别的构成要素的位置或配置在不脱离本专利技术的精神以及范围的基础上能够变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，确切地讲，本专利技术的范围仅限于其权利要求所主张的均等的所有范围以及权利要求。附图中类似的附图标记在几个侧面具有相同或类似的功能，而且，为了便于表示，也有可能夸张表现长度、面积、厚度等其形状。应理解为，本说明书中的基板包括半导体基板、在LED、IXD等显示装置中使用的基板、太阳能电池基板等。此外，在本说明书中，基板处理工艺意味着沉积工艺，优选为使用原子层沉积法的沉积工艺，但并非限定于此，也可以理解为包括使用化学气象沉积法的沉积工艺、热处理工艺等。只是，以下对使用原子层沉积法的沉积工艺的示例进行说明。以下参照添付的附图来详细说明涉及本专利技术实施方式的批处理式装置。图2是表示本专利技术的一实施方式的批处理式基板处理装置的立体图，图3是图2的局部分解立体图，图4是本专利技术的一实施方式的批处理式基板处理装置的俯视截面图，图5是本专利技术的一实施方式的供气部200和排气部3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种批处理式基板处理装置，其特征在于，具备：基板处理部，收容层叠在基板装载部上的多个基板并进行处理；以及供气部，其形成在所述基板处理部的一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个供气流道，以将基板处理气体供给至所述基板处理部，其中，当基板与所述基板处理部的内周面之间的距离为d1，基板与所述供气流道之间的距离为d2时，d1≦d2。

【技术特征摘要】
2013.02.26 KR 10-2013-00204311.一种批处理式基板处理装置，其特征在于，具备: 基板处理部，收容层叠在基板装载部上的多个基板并进行处理；以及供气部，其形成在所述基板处理部的一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个供气流道，以将基板处理气体供给至所述基板处理部， 其中，当基板与所述基板处理部的内周面之间的距离为dl，基板与所述供气流道之间的距离为d2时，dl≦ d2。2.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 进一步具备排气部，其形成在所述基板处理部的另一侧外周面上，收容有供基板处理气体流通的至少一个排气流道，以排出供给到所述基板处理部的基板处理气体。3.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的所述外周面与所述供气部的外周面连接成一体， 所述基板处理部的所述外周面与所述排气部的外周面连接成一体。4.根据权利要求2所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述供气流道具有: 多个供气管，沿着所述供气部的长度方向形成； 多个吐气孔，朝向所述基板处理部形成在所述供气管的一侧。5.根据权利要求4所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述排气流道具有: 排气管，沿着所述排气部的长度方向形成； 多个排气孔，朝向所述基板处理部形成在所述排气管的一侧。6.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部具有圆柱状，并且上表面平坦。7.根据权利要求6所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的上表面上结合有多个加强筋。8.根据权利要求7所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述多个加强筋以交叉方式配置，并结合在所述基板处理部的上表面上。9.根据权利要求7所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述多个加强筋以平行方式配置，并结合在所述基板处理部的上表面上。10.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理部的外周面以及上表面设有加热器。11.根据权利要求10所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 所述加热器形成为板状。12.根据权利要求11所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 设置在所述基板处理部的上表面上的所述加热器具有“Π ”形状和“「”形状依次连续重复的形状。13.根据权利要求11所述的批处理式基板处理装置，其特征在于， 设置在所述基板处理部的外周面上的所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述第一加热器和所述第二加热器分别设置在上侧和下侧，相互对置且构成一对， 构成一对的所述第一加热器和所述第二加热器沿着所述基板处理部的圆周方向设置有多个。14.根据权利要求13所述的批处理式基板处理装置，其特征在于，所述第一加热器具备:一对第一左侧垂直板，在所述第一加热器的左侧相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳一，李太浣，柳汉吉，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR