一种控制电路制造技术

技术编号:10350870 阅读:96 留言:0更新日期:2014-08-22 19:08
本实用新型专利技术提供一种控制电路,包括:NMOS管,所述NMOS管的栅极G连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到MIC引脚输出的电压时,导通NMOS管的源极S和NMOS管的漏极D;NMOS管的源极S接地;PNP三极管,所述PNP三极管的基极B连接至所述NMOS管的漏极D,用于在接收到所述NMOS管的漏极D输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C;所述PNP三极管的发射极E连接至电源引脚VBAT;所述PNP三极管的集电极C连接至电路电压引脚Vcc。本实用新型专利技术实施例可以解决无法通过音频接口的MIC引脚对电子设备供电的开启进行控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
—种控制电路
[0001 ] 本技术涉及一种电子
,尤其涉及一种控制电路。
技术介绍
目前,电子设备(例如,带有音频接口的USBkey、音频key等)带有单独的电源为电子设备供电时,电子设备由于尺寸的原因,其电池容量一般都不会太大。为了节省电能,需要对电子设备的电源的开启和关闭进行即时控制。现有技术中,还无法通过音频接口的MIC引脚对电子设备供电的开启进行控制。
技术实现思路
本技术旨在解决如何通过音频接口的MIC引脚对电子设备供电的开启进行控制的问题。本技术的主要目的在于提供一种控制电路。本技术的另一目的在于提供另一种控制电路。为达到上述目的,本技术的技术方案具体是这样实现的:本技术第一方面提供了一种控制电路,包括:NMOS管,所述NMOS管的栅极G连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到所述MIC引脚输出的电压时,导通所述NMOS管的源极S和所述NMOS管的漏极D ;所述NMOS管的源极S接地;PNP三极管,所述PNP三极管的基极B连接至所述NMOS管的漏极D,用于在接收到所述NMOS管的漏极D输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C ;所述PNP三极管的发射极E连接至电源引脚VBAT ;所述PNP三极管的集电极C连接至电路电压引脚Vcc;所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,连通至电源引脚VBAT。本技术第二方面提供的一种控制电路,包括:NPN三极管,所述NPN三极管的基极B连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到所述MIC引脚输出的电压时,导通所述NPN三极管的发射极E和所述NPN三极管的集电极C ;所述NPN三极管的发射极E接地;PNP三极管,所述PNP三极管的基极B连接至所述NPN三极管的集电极C,用于在接收到所述NPN三极管的集电极C输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C ;所述PNP三极管的发射极E连接至电源引脚VBAT ;所述PNP三极管的集电极C连接至电路电压引脚Vcc ;所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,连通至电源引脚VBAT。由上述本技术提供的技术方案可以看出,电子设备采用上述第一方面提供的控制电路时,当电子设备通过音频接口与终端匹配连接时,该控制电路中的NMOS管的栅极G可以接收到所述音频接口的MIC引脚输出的电压,此时可以导通所述NMOS管的源极S和所述NMOS管的漏极D,使得所述NMOS管的漏极D输出电压,由于所述PNP三极管的基极B连接至所述NMOS管的漏极D,因而所述PNP三极管的基极B在接收到所述NMOS管的漏极D输出的电压时,会导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C ;进而使得所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,会连通至电源引脚VBAT,从而实现开启电源引脚VBAT输出的电压对电子设备的电路电压引脚Vcc进行供电。电子设备采用上述第二方面提供的控制电路时,当电子设备通过音频接口与终端匹配连接时,所述NPN三极管的基极B可以接收到所述音频接口的MIC引脚输出的电压,进而导通所述NPN三极管的发射极E和所述NPN三极管的集电极C,使得所述NPN三极管的集电极C输出电压;由于所述PNP三极管的基极B连接至所述NPN三极管的集电极C,因而所述PNP三极管的基极B可以在接收到所述NPN三极管的集电极C输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C,进而使得所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,连通至电源引脚VBAT。从而实现开启电源引脚VBAT输出的电压对电子设备的电路电压引脚Vcc进行供电。另外,本实施例中采用上述第一方面提供的控制电路或者采用上述第二方面提供的控制电路,当该电子设备没有与外部设备(例如移动终端)通过音频接口匹配连接时,此时电子设备处于非工作状态,上述控制电路中的PNP三极管控制电源引脚VBAT与电路电压引脚Vcc之间的电路处于截止状态,也就是在电子设备处于非工作状态时,切断电源,以节省电子设备的电源;当该电子设备与外部设备(例如移动终端)通过音频接口匹配连接时,此时电子设备处于工作状态,上述控制电路中的PNP三极管控制电源引脚VBAT与电路电压引脚Vcc之间的电路处于导通状态,使得电源开启以便于为电子设备供电。也就是在电子设备处于工作状态时,开启电源。可见,采用本实施例提供的控制电路,可以在电子设备处于非工作状态时,关闭电源供电,在电子设备处于工作状态时,开启电源供电,从而提高了电子设备电源的有效利用率,延长电子设备电源的使用寿命。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。图1为本技术实施例1提供的一种控制电路的示意图;图2为本技术实施例2提供的另一种控制电路的示意图。【具体实施方式】下面结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术的保护范围。在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或数量或位置。在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面将结合附图对本技术实施例作进一步地详细描述。实施例1本技术提供一种控制电路,如图1所示,该控制电路可以应用于电子设备中,该电子设备包括支持音频接口的智能密钥设备、可以与智能密钥设备连接的转接头设备坐寸ο该控制电路包括:NMOS管,所述NMOS管的栅极G连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到所述MIC引脚输出的电压时,导通所述NMOS管的源极S和所述NMOS管的漏极D ;所述NMOS管的源极S接地;其中,音频接口是指电子设备上的音频接口,电子设备通过该音频接口可以与终端的音频接口匹配连接。该音频接口可以包括MIC引脚、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制电路,其特征在于,包括:NMOS管,所述NMOS管的栅极G连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到所述MIC引脚输出的电压时,导通所述NMOS管的源极S和所述NMOS管的漏极D;所述NMOS管的源极S接地;PNP三极管,所述PNP三极管的基极B连接至所述NMOS管的漏极D,用于在接收到所述NMOS管的漏极D输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C;所述PNP三极管的发射极E连接至电源引脚VBAT;所述PNP三极管的集电极C连接至电路电压引脚Vcc;所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,连通至电源引脚VBAT。

【技术特征摘要】
1.一种控制电路,其特征在于,包括: NMOS管,所述NMOS管的栅极G连接至音频接口的MIC引脚,用于在接收到所述MIC引脚输出的电压时,导通所述NMOS管的源极S和所述NMOS管的漏极D ;所述NMOS管的源极S接地; PNP三极管,所述PNP三极管的基极B连接至所述NMOS管的漏极D,用于在接收到所述NMOS管的漏极D输出的电压时,导通所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C ;所述PNP三极管的发射极E连接至电源引脚VBAT ;所述PNP三极管的集电极C连接至电路电压引脚Vcc; 所述电路电压引脚Vcc在所述PNP三极管的发射极E和所述PNP三极管的集电极C导通时,连通至电源引脚VBAT。2.一种控制...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东声
申请(专利权)人:天地融科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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