【技术实现步骤摘要】
差分电荷下降
公开的技术涉及电子系统,更具体地说,涉及配置成用于补偿差分节点上注入的电荷的电路。
技术介绍
电子系统可包括敏感的差分节点,例如差分放大器的输入。例如,差分放大器的输入可以由模数转换器(ADC)的多个交织通道之一驱动,同时ADC的剩余通道与差分放大器的输入电去耦。给定放大器的输入的敏感特性,有利于防止这些输入受到噪声或其它不期望的电荷注入的影响。此外,放大器的差分输入可被设计成使得它们彼此匹配并处于类似的环境。然而,差分放大器输入可能仍经受不期望的电荷注入。这会降低放大器输出的精确性。这些不期望的电荷注入中的一些会影响一个差分输入而不是另一差分输入,或者比另一差分输入更大程度地影响一个差分输入。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是一种设备,其包括第一开关、第二开关、第一虚设电路兀件以及第二虚设电路元件。第一开关被配置成接收第一差分输入并在导通时向第一节点提供第一差分输入。第二开关被配置成接收第二差分输入并在导通时向第二节点提供第二差分输入。第一节点和第二节点是一对差分节点。第一虚设电路元件被配置成在第二节点上注入电荷,以抵消第一节点上由第一开关在第一开关断开时注入的电荷。第二虚设电路元件被配置成在第一节点上注入电荷,以抵消第二节点上由第二开关在第二开关断开时注入的电荷。本专利技术的另一方面是一种设备,其包括放大器和多个通道。放大器包括非反向输入和反向输入。多个通道中的每一个都包括一对输入开关和一对虚设电路元件。一对输入开关包括第一开关和第二开关。第一开关被配置成接收第一开关输入,在导通时提供第一开关输入至放大器的非反向输入,以及在断 ...
【技术保护点】
一种设备,包括:第一开关,配置成接收第一差分输入并在导通时向第一节点提供第一差分输入;第二开关,配置成接收第二差分输入并在导通时向第二节点提供第二差分输入,其中第一节点和第二节点是一对差分节点;第一虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷,以抵消第一节点上由第一开关在第一开关断开时注入的电荷;以及第二虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷,以抵消第二节点上由第二开关在第二开关断开时注入的电荷。
【技术特征摘要】
2013.02.15 US 13/769,0961.一种设备,包括: 第一开关,配置成接收第一差分输入并在导通时向第一节点提供第一差分输入; 第二开关,配置成接收第二差分输入并在导通时向第二节点提供第二差分输入,其中第一节点和第二节点是一对差分节点; 第一虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷,以抵消第一节点上由第一开关在第一开关断开时注入的电荷;以及 第二虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷,以抵消第二节点上由第二开关在第二开关断开时注入的电荷。2.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设电路元件串联耦接在第一差分输入和第二节点之间,而且其中第二虚设电路元件串联耦接在第二差分输入和第一节点之间。3.根据权利要求1所述的设备,其中第一开关包括第一场效应晶体管,其中第二开关包括第二场效应晶体管,其中第一虚设电路元件包括第一虚设场效应晶体管,而且其中第二虚设电路元件包括第二虚设场效应晶体管。4.根据权利要求3所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管和第二虚设场晶体管的每一个都具有偏置至电源轨电压的栅极。5.根据权利要求3所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管具有配置成接收第一差分输入的第一源极以及电耦接至第二节点的第一漏极,而且其中第二虚设场效应晶体管具有配置成接收第二差分输 入的第二源极以及电耦接至第一节点的第二漏极。6.根据权利要求3所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管和第二虚设场效应晶体管是与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的相同晶体管配置基本等同的实例。7.根据权利要求3所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管具有均不与最底层互连金属接触的源极和漏极。8.根据权利要求1所述的设备,其中第一开关包括具有源极和漏极的第一场效应晶体管,其中第一虚设电路元件的电容大致等于第一场效应晶体管在第一场效应晶体管断开时具有的源漏电容。9.根据权利要求1所述的设备,进一步包括: 第三开关,配置成接收第三差分输入,以便在导通时提供第一节点,并且在断开时将第一节点与第三差分输入电隔离; 第四开关,配置成接收第四差分输入,以便在导通时提供第二节点,并且在断开时将第二节点与第四差分输入电隔尚; 第三虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷以抵消第一节点上由第三开关在第三开关断开时注入的电荷;以及 第四虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷以抵消第二节点上由第四开关在第四开关断开时注入的电荷。10.根据权利要求1所述的设备,进一步包括差分放大器,其包括电耦接至第一节点的第一输入以及电耦接至第二节点的第二输入。11.一种设备,包括: 放大器,其包括非反向输入和反向输入;以及 多个通道,多个通道中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·G·布莱德斯利,P·迪罗尼恩,F·M·莫敦,
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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