小尺寸样品层次去除方法技术

本发明专利技术提供了一种小尺寸样品层次去除方法，包括：截取尺寸比小尺寸样品大的芯片，用作底座芯片；将底座芯片放在加热器上加热，并且在底座芯片加热后将热熔胶涂在底座芯片上，随后利用热熔胶将多个小尺寸样品相互对齐地粘结到底座芯片上，并使得所述多个小尺寸样品表面平整；待底座芯片及小尺寸样品冷却后利用清洗剂清洁小尺寸样品的表面；利用研磨盘将底座芯片的与多个小尺寸样品相接触的表面的尺寸研磨至与所述多个小尺寸样品尺寸之和相同的大小；利用研磨盘对底座芯片的与多个小尺寸样品相对的底面进行减薄；将多个小尺寸样品与底座芯片相对的表面研磨至目标位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体失效分析领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体失效分析过程中，当要对特定点或特定结构进行分析时，往往需要去层次到特定位置，且需要表面均匀平整。当对尺寸不大于的样品进行去层次分析时，由于样品尺寸很小，在进行手动研磨时，不易把样品控制在研磨盘上，在研磨过程中，经常只能保持样品沿着一个方向研磨，这样无法保证样品表面均匀度；如图1所示，局部区域已经露出有源区，有些还在金属层；而且样品表面会产生严重的拉痕(如图2所示)，这些不良因素对后续的分析工作造成影响，往往会影响失效分析的结果。另一方面，由于样品尺寸很小，手动研磨时手很难控制住样品，在研磨过程中样品经常会在研磨盘上翻转，甚至飞出研磨盘，大大降低了工作效率，一旦样品丢失直接导致研磨失败。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的小尺寸样品在去层过程中不易控制、表面拉痕严重、研磨效率低等缺陷，提供一种，其能够通过改进制样的方法，提高样品研磨后表面的平整度和均匀度，进而提高制样成功率及工作效率。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种，其包括:截取尺寸比小尺寸样品大的芯片，用作底座芯片；将底座芯片放在加热器上加热，并且在底座芯片加热后将热熔胶涂在底座芯片上，随后利用热熔胶将多个小尺寸样品相互对齐地粘结到底座芯片上，并使得所述多个小尺寸样品表面平整；待底座芯片及小尺寸样品冷却后利用清洗剂清洁小尺寸样品的表面；利用研磨盘将底座芯片的与多个小尺寸样品相接触的表面的尺寸研磨至与所述多个小尺寸样品尺寸之和相同的大小；利用研磨盘对底座芯片的与多个小尺寸样品相对的底面进行减薄；将多个小尺寸样品与底座芯片相对的表面研磨至目标位置。优选地，所述小尺寸样品的尺寸不大于5mm*5mm。优选地，所述底座芯片的各个侧边的尺寸比小尺寸样品的相应侧边的尺寸大5-25倍。优选地，将底座芯片放在加热器上加热时的加热温度介于200°C?300°C之间。优选地，所述清洗剂是丙酮溶液。优选地，将多个小尺寸样品与底座芯片相对的表面研磨至目标位置的步骤是手动完成的。使用本专利技术的方法进行小尺寸样品去层次，可以快速、均匀的去除层次，能够确保停留在相应的区域，改善了小尺寸样品研磨过程中样品翻转、样品研磨后均匀度差及表面拉痕严重等问题，显著提高了制样的成功率。【附图说明】结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示意性地示出了根据现有技术的小尺寸样品研磨后样品表面不均匀的光学显微镜照片。图2示意性地示出了根据现有技术的小尺寸样品研磨后样品表面严重拉痕的电子显微镜照片。图3至图6示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的各个步骤。图7示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的小尺寸样品研磨后样品表面均匀的光学显微镜照片。图8示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的小尺寸样品研磨后样品表面均匀、无拉痕的电子显微镜照片。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。【具体实施方式】为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图3至图6示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的的各个步骤。如图3至图6所示，根据本专利技术优选实施例的包括:第一步骤:首先截取尺寸比小尺寸样品大的芯片，用作底座芯片100 ;优选地，所述底座芯片100的各个侧边的尺寸比小尺寸样品的相应侧边的尺寸大5-25倍。例如，可采用手动裂片的方法截取芯片；例如芯片的尺寸为lcm*lcm，小尺寸样品的尺寸不大于5mm*5mm。第二步骤:将底座芯片100放在加热器上加热；其中，加热温度一般优选地为200°C?300°C ;并且在底座芯片100加热后将热熔胶涂在底座芯片上，随后利用热熔胶将多个小尺寸样品200 (如图3所示)相互对齐地粘结到底座芯片100上，并保证所述多个小尺寸样品200表面平整；第三步骤:待底座芯片100及小尺寸样品200冷却后取少量清洗剂(例如丙酮溶液)清洁小尺寸样品200的表面；第四步骤:利用例如金刚石研磨盘将底座芯片100的与多个小尺寸样品200相接触的表面的尺寸研磨至与所述多个小尺寸样品200尺寸之和相同的大小，如图4所示；第五步骤:利用例如金刚石研磨盘对底座芯片100的与多个小尺寸样品200相对的侧边进行减薄，如图5所示；第六步骤:可手动地例如利用金刚石将多个小尺寸样品200与底座芯片100相对的表面(正面)研磨至目标位置300,如图6所示。图7示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的小尺寸样品研磨后样品表面均匀、无拉痕的光学显微镜照片；图8示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的小尺寸样品研磨后样品表面均匀、无拉痕的电子显微镜照片。如图7和图8所示，其中采用的样品大小为5mm*3mm(L*W)，样品结构是一条长度达几百微米的金属线，在制样时需要研磨保证金属不暴露出来，以防破坏结构的形貌，而且需要保证金属上方绝缘介质层均匀度，以方便扫描电子显微镜SEM观察。从图7和图8可以看出，利用本专利技术方法对样品研磨后均匀度好，表面没有拉痕。由此，使用本专利技术的方法进行小尺寸样品去层次，可以快速、均匀的去除层次，能够确保停留在相应的区域，改善了小尺寸样品研磨过程中样品翻转、样品研磨后均匀度差及表面拉痕严重等问题，显著提高了制样的成功率。需要说明的是，上述方法可用于但不仅限于小尺寸样品去层次分析。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小尺寸样品层次去除方法，其特征在于包括：截取尺寸比小尺寸样品大的芯片，用作底座芯片；将底座芯片放在加热器上加热，并且在底座芯片加热后将热熔胶涂在底座芯片上，随后利用热熔胶将多个小尺寸样品相互对齐地粘结到底座芯片上，并使得所述多个小尺寸样品表面平整；待底座芯片及小尺寸样品冷却后利用清洗剂清洁小尺寸样品的表面；利用研磨盘将底座芯片的与多个小尺寸样品相接触的表面的尺寸研磨至与所述多个小尺寸样品尺寸之和相同的大小；利用研磨盘对底座芯片的与多个小尺寸样品相对的底面进行减薄；将多个小尺寸样品与底座芯片相对的表面研磨至目标位置。

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸样品层次去除方法，其特征在于包括: 截取尺寸比小尺寸样品大的芯片，用作底座芯片； 将底座芯片放在加热器上加热，并且在底座芯片加热后将热熔胶涂在底座芯片上，随后利用热熔胶将多个小尺寸样品相互对齐地粘结到底座芯片上，并使得所述多个小尺寸样品表面平整； 待底座芯片及小尺寸样品冷却后利用清洗剂清洁小尺寸样品的表面； 利用研磨盘将底座芯片的与多个小尺寸样品相接触的表面的尺寸研磨至与所述多个小尺寸样品尺寸之和相同的大小； 利用研磨盘对底座芯片的与多个小尺寸样品相对的底面进行减薄； 将多个小尺寸样品与底座芯片相对的表面研磨至目标位置。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘迪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31