低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种低能耗超薄复合通行卡以及用于无线充电的开关控制电路，复合通行卡包括天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池；所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压；所述第一开关控制电路分别与所述充电电路和充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。本实用新型专利技术实施例提供的复合通行卡能够在不充电时关闭充电通路以节省电量，避免额外的电量浪费。

【技术实现步骤摘要】
低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路
本技术涉及智能交通(ITS,Intelligent Transportation System)领域技术，特别涉及一种低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路。
技术介绍
高速公路入口处，车主领取用于多义性路径识别系统的复合通行卡，车辆行驶过程中，该卡接收路侧设备发送的路径信息并保存，最后在高速公路出口可根据路径信息计算车辆行驶的路径而进行收费。目前市场上使用的复合通行卡一般在5mm左右,这种卡片由于厚度较大,存在不易保存和不易使用且不兼容现行的发卡系统的问题。因此，亟待开发一种厚度小、易保存、易使用的复合通行卡。由于卡的厚度受到限制，无法使用电量较大、体积较大的一次性电池，因此采用电量较小的电池，这种电池需要定期充电才能满足使用需求。与此同时，如何避免额外的电量浪费，延长电池的使用时间是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种低能耗超薄复合通行卡及用于无线充电的开关控制电路，能够节省电量，避免额外的电量浪费。本技术实施例提供的低能耗超薄复合通行卡包括:天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池；所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压；所述第一开关控制电路两端分别与所述充电电路和所述充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。进一步地，所述第一开关控制电路包括一个二极管，所述二极管正极与所述充电电路相连，负极与所述充电电池相连。进一步地，所述充电电路包括第二开关控制电路及稳压芯片，所述第二开关控制电路、稳压芯片和第一开关控制电路依次相连，所述第一开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管M0SFET，所述P型MOSFET的栅极与所述第二开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。[0011 ] 进一步地，所述充电电路还包括整流电路，所述第二开关控制电路包括一个N型MOSFET和一个P型M0SFET，所述N型MOSFET的栅极与所述整流电路的输出端相连，源极接地，漏极与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极与所述整流电路的输出端相连，漏极与所述稳压芯片相连；所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极还与所述第一开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连。进一步地，所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极和所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和第二开关控制电路的P型MOSFET的源极相连。进一步地，所述整流电路与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极之间还设置有二极管Dl，所述整流电路与所述第二开关控制电路的N型MOSFET的栅极之间还设置有二极管D2。进一步地，所述天线的工作频率为13.56MHz，还用于在高速公路出入口和桌面读写器ODU通信。进一步地,所述复合通行卡的厚度为0.8至1.5mm。另外，本技术实施例还提供了一种用于无线充电的开关控制电路，与充电电池相连，用于根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电，所述开关控制电路包括一个二极管，或者所述开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET。进一步地，当所述开关控制电路包括一个二极管时，所述二极管一端与所述充电电路相连，另一端与所述充电电池相连；当所述开关控制电路包括一个P型MOSFET时，所述充电电路包括另一开关控制电路及稳压芯片，所述P型MOSFET的栅极与所述另一开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。从以上的技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点:[0021 ] 本技术实施例中，第一开关控制电路与充电电路相连，根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制充电电路对充电电池进行充电，即充电电路与充电电池之间的通断受第一开关控制电路的控制，当第一开关控制电路闭合时，充电电路与充电电池接通实现充电，当第一开关控制电路断开时，充电电路与充电电池断开，停止充电，这样避免了停止充电时充电电路带来的额外的电量消耗，实现了电量的节省。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的低能耗超薄复合通行卡的结构示意图；图2为本技术实施例提供的低能耗超薄复合通行卡内的电路的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，图1为本技术实施例提供的低能耗超薄复合通行卡的结构示意图，本实施例的复合通行卡100包括:天线101，充电电路102，第一开关控制电路103，充电电池104 ；充电电路102与天线101相连，用于对天线101耦合的电压信号进行处理以生成直流电压；第一开关控制电路103两端分别与充电电路102和所述充电电池104相连，用于根据充电电路102生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制充电电路102对充电电池104进行充电。本技术实施例中，第一开关控制电路与充电电路相连，根据充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制充电电路对充电电池进行充电，即充电电路与充电电池之间的通断受第一开关控制电路的控制，当第一开关控制电路闭合时，充电电路与充电电池接通实现充电，当第一开关控制电路断开时，充电电路与充电电池断开，停止充电，这样避免了停止充电时充电电路带来的额外的电量消耗，实现了电量的节省。本技术提供的低能耗超薄复合通行卡内的一种电路的结构为:当第一开关电路为一个开关二级管时，充电电路包括整流电路和稳压芯片。整流电路、稳压芯片、开关二极管和电池依次相连。开关二极管正极与所述充电电路相连，负极与所述充电电池相连。下面对本技术提供的低能耗超薄复合通行卡的工作流程进行介绍。通过介绍该工作流程，能够使本技术实施例提供的复合通行卡的结构更加清楚。然而，本工作流程仅作举例。天线耦合的电压信号作为整流电路的输入，整流电路对所述电压信号进行匹配整流后生成直流电压Vl，直流电压Vl流入稳压芯片，稳压芯片对流入的直流电压Vl进行稳压处理。当所述稳压处理后的电压大于开关二极管的导通电压时，开关二极管导通，直流电压Vl进入充电电池实现充电。当电压大于开关二极管导通电压时，充电电路与充电电池接通实现充电，当电压小于开关二极管导通电压时，充电电路与充电电池断开，停止充电，这样避免了停止充电时充电电路带来的额外的电量消耗，实现了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低能耗超薄复合通行卡，其特征在于，包括： 天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池； 所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压； 所述第一开关控制电路两端分别与所述充电电路和所述充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。

【技术特征摘要】
1.一种低能耗超薄复合通行卡，其特征在于，包括: 天线，充电电路，第一开关控制电路，充电电池； 所述充电电路与所述天线相连，用于对所述天线耦合的电压信号进行处理以生成直流电压； 所述第一开关控制电路两端分别与所述充电电路和所述充电电池相连，用于根据所述充电电路生成的直流电压的大小断开或闭合，以控制所述充电电路对所述充电电池进行充电。2.如权利要求1所述的复合通行卡，其特征在于，所述第一开关控制电路包括一个二极管，所述二极管正极与所述充电电路相连，负极与所述充电电池相连。3.如权利要求1所述的复合通行卡，其特征在于，所述充电电路包括第二开关控制电路及稳压芯片，所述第二开关控制电路、稳压芯片和第一开关控制电路依次相连，所述第一开关控制电路包括一个P型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET，所述P型MOSFET的栅极与所述第二开关控制电路相连，漏极与所述稳压芯片相连，源极与所述充电电池相连。4.如权利要求 3所述的复合通行卡，其特征在于，所述充电电路还包括整流电路，所述第二开关控制电路包括一个N型MOSFET和一个P型M0SFET，所述N型MOSFET的栅极与所述整流电路的输出端相连，源极接地，漏极与所述第二开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连，所述第二开关控制电路的P型MOSFET的源极与所述整流电路的输出端相连，漏极与所述稳压芯片相连； 所述第二开关控制电路的N型MOSFET的漏极还与所述第一开关控制电路的P型MOSFET的栅极相连。5.如权利要求4所述的复合通行卡，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇，庞绍铭，
申请(专利权)人：深圳市金溢科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44