OLED基板的封装方法及OLED结构技术

技术编号:10322549 阅读:172 留言:0更新日期:2014-08-14 09:45
本发明专利技术提供一种OLED基板的封装方法及OLED结构。该OLED基板的封装方法包括如下步骤:步骤1、提供OLED基板(1)、及封装盖板(3),所述OLED基板(1)上表面具有金属阴极(135);步骤2、采用离子轰击对金属阴极(135)进行表面处理,使金属阴极(135)的表面形成一薄层金属氧化物层(5);步骤3、对封装盖板(3)涂覆封装胶(7)并设置填充物(9);步骤4、将封装盖板(3)与OLED基板(1)相对贴合;步骤5、使用UV光源对封装胶(7)进行照射使其固化,从而实现封装盖板(3)对OLED基板(1)的封装。

【技术实现步骤摘要】
OLED基板的封装方法及OLED结构
本专利技术涉及一种显示
,尤其涉及一种OLED基板的封装方法及OLED结构。
技术介绍
在显示
,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode, OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。平面光源技术是新型的光源,其技术研发已经接近市场化量产水平。在平板显示与平面光源技术当中,对于两片平板玻璃的粘结是一项很重要的技术,其封装效果将直接影响器件的性能。紫外光(UV)固化技术是LCD/0LED封装最早也是最常用的技术,其具有如下特点:不使用溶剂或使用少量溶剂,减少了溶剂对环境的污染;耗能少,可低温固化,适用于对热敏感的材料;固化速度快,效率高,可在高速生产线上使用,固化设备占地面积小等。但是,由于紫外光固化中所使用UV胶是有机材料,其固化后分子间隙较大,水汽与氧气比较容易透过间隙抵达内部密封区域。所以,UV封装比较适合用于对水汽、氧气不太敏感的应用领域,比如LCD。由于OLED器件对水汽、氧气非常敏感,所以采用UV封装时,器件内部通常会有干燥剂,以减小透过间隙抵达内部密封区域的水汽,从而延长OLED器件的使用寿命。现有的UV封装方法通常如图1所示,把干燥剂300制作在封装盖板100上,并且封装盖板100需要预先挖凹槽101,也可以如图2所示,在封装盖板100’上涂覆一层干燥剂300’并烘干,再与TFT基板200对组封装在一起。但是这两种方法都不适合上发光方式(即光线无法从盖板方向出射),因为干燥剂300吸水后透光性会变差。另外,如图1、图2所示,水汽会从UV封装胶500进入后会在密封体内到处移动,既可能被干燥剂300吸收,也可能吸附在形成于TFT基板200上表面的OLED器件400的表面,这样的话,水汽从进入密封体的第一时间就可能会对OLED器件400造成破坏。所以,业界在UV封装的基础上提出了填充封装方法。请参阅图3,现有的填充封装方法不需要在封装盖板100上预先挖凹槽,并且省去了干燥剂300,而是在密封体内填充满了填充物600。填充物600的加入,不仅提高了 OLED器件400的结构强度,而且延缓了水汽的进入速度,延长了 OLED器件400的寿命。同时,填充物600中还可以添加少量的透明干燥剂,以提高延缓水汽的效果,进一步延长了 OLED器件400的寿命。但是,填充物的加入也带来了一个不良后果,即填充物填充的地方会出现圆形暗斑,影响OLED的显示品质,造成出现该圆形暗斑的原因可能有:(I)填充物与OLED的金属阴极反应,使阴极变质,电阻值升高,导电性变差;(2)填充物渗透过金属阴极,进入有机材料层,使有机材料导电性变差或发光层发出的光子淬灭。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED基板的封装方法,通过该方法能够阻止填充物与金属阴极直接接触,也可以阻止填充物渗透进OLED器件的金属阴极与有机层,从而可以避免因填充物造成的暗斑的形成,提高OLED的显示品质,延长OLED的寿命。本专利技术的另一目的在于提供一种OLED结构,该OLED结构能够避免因填充物造成的暗斑的形成,提高OLED的显示品质,延长OLED的寿命。为实现上述目的,本专利技术首先提供一种OLED基板的封装方法,包括如下步骤:步骤1、提供OLED基板、及封装盖板,所述OLED基板上表面具有金属阴极;步骤2、采用离子轰击对金属阴极进行表面处理,使金属阴极的表面形成一薄层金属氧化物层;步骤3、对封装盖板涂覆封装胶并设置填充物;步骤4、将封装盖板与OLED基板相对贴合;步骤5、使用UV光源对封装胶进行照射使其固化,从而实现封装盖板对OLED基板的封装。所述封装胶为UV胶。所述一薄层金属氧化物层的厚度在Inm至30nm之间。所述封装盖板为玻璃板。所述离子轰击处理,在真空环境下或无水的含少量氧气的氮气环境中进行。所述离子轰击处理在ppm环境的密闭腔体内进行,水含量控制在IOppm以下,氧气含量控制在100?20000ppm。所述步骤2、3、4、5均在ppm环境下进行。本专利技术还提供一种OLED结构,包括:0LED基板、密封连接于OLED基板上的封装盖板、及设于OLED基板与封装盖板之间的填充物,所述OLED基板上表面具有金属阴极,所述金属阴极表面具有一薄层金属氧化物层。所述一薄层金属氧化物层采用离子轰击处理在金属阴极表面形成。所述一薄层金属氧化物层的厚度在Inm?30nm之间。所述填充物含有透明干燥剂。本专利技术的有益效果:本专利技术的OLED基板的封装方法,通过采用离子轰击对金属阴极进行表面处理,使金属阴极的表面形成一薄层金属氧化物层,然后再进行填充封装制程。该薄层金属氧化物结构致密,可以阻止填充物与金属阴极直接接触,也可以阻止填充物渗透进金属阴极与有机层,避免因填充物造成的暗斑的形成,从而提高OLED的显示品质,延长OLED的寿命,且该方法较简便,可操作性强。本专利技术的OLED结构,通过在OLED金属阴极的表面设置一薄层金属氧化物层,能够避免因填充物造成的暗斑的形成,提高OLED的显示品质,延长OLED的寿命。【附图说明】为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制。附图中,图1为一种现有的UV封装方法的示意图;图2为另一种现有的UV封装方法的不意图;图3为现有的填充封装方法的示意图;图4为本专利技术OLED基板的封装方法的流程图;图5为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤I的立体示意图;图6为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤I的剖面示意图;图7为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤2的立体示意图;图8为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤2的剖面示意图;图9为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤3的立体示意图;图10为本专利技术OLED基板的封装方法的步骤4的立体示意图;图11为本专利技术OLED结构的剖面示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果,以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图4至图10,本专利技术提供一种OLED基板的封装方法,包括如下步骤:步骤1、提供OLED基板1、及封装盖板3,所述OLED基板I上表面具有金属阴极135 ;步骤2、采用离子轰击对金属阴极135进行表面处理,使金属阴极135的表面形成一薄层金属氧化物层5 ;步骤3、对封装盖板3涂覆封装胶7,在涂覆封装胶区域的内部设置填充物9 ;步骤4、将封装盖板3与OLED基板I相对贴合;步骤5、使用UV光源对封装胶7进行照射使其固化,从而实现封装盖板3对OLED基板I的封装。具体的,所述步骤I中的OLED基板I包括一 TFT基板11及OLED器件13,该OLED器件13包括依次形成于TFT基板上的阳极131、有机材料层133及金属阴极135。该OLED器件13通过蒸镀制程形成于TFT基板11上,构成所述OLED基板I。所述金属阴极135的材料可为铝(Al)、银(Ag)或金(Au)。所述所述封装盖板3可为玻璃板或金属板,优选的,所述封装盖板3为玻璃板。所述步骤2采用离子轰击对金属阴极135进行表面处理,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种OLED基板的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供OLED基板(1)、及封装盖板(3),所述OLED基板(1)上表面具有金属阴极(135);步骤2、采用离子轰击对金属阴极(135)进行表面处理,使金属阴极(135)的表面形成一薄层金属氧化物层(5);步骤3、对封装盖板(3)涂覆封装胶(7)并设置填充物(9);步骤4、将封装盖板(3)与OLED基板(1)相对贴合;步骤5、使用UV光源对封装胶(7)进行照射使其固化,从而实现封装盖板(3)对OLED基板(1)的封装。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板的封装方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1、提供OLED基板(I)、及封装盖板(3),所述OLED基板(I)上表面具有金属阴极(135); 步骤2、采用离子轰击对金属阴极(135)进行表面处理,使金属阴极(135)的表面形成一薄层金属氧化物层(5); 步骤3、对封装盖板(3)涂覆封装胶(7)并设置填充物(9); 步骤4、将封装盖板(3)与OLED基板(I)相对贴合; 步骤5、使用UV光源对封装胶(7)进行照射使其固化,从而实现封装盖板(3)对OLED基板⑴的封装。2.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法,其特征在于,所述封装胶(7)为UV胶。3.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法,其特征在于,所述一薄层金属氧化物层(5)的厚度在Inm至30nm之间。4.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法,其特征在于,所述封装盖板(3)为玻璃板。5.如权利要求1所述的OLED基板的封装方法,其特征在于,所述离子轰击处理...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚伟吴泰必王宜凡
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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