多晶片发光二极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶片发光二极管封装结构，包括：金属基板、多个LED芯片及金属导线，金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，凹腔的底部设置有铜基底层，金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，LED芯片设置在铜基底层上，相邻的两个LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个LED芯片之间填充有金属铜，LED芯片上还覆盖有荧光粉层，金属导线一端与LED芯片电性连接，另一端穿过第二导热绝缘层与导线层电性连接，铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。本实用新型专利技术是一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种多晶片发光二极管封装结构，包括：金属基板、多个LED芯片及金属导线，金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，凹腔的底部设置有铜基底层，金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，LED芯片设置在铜基底层上，相邻的两个LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个LED芯片之间填充有金属铜，LED芯片上还覆盖有荧光粉层，金属导线一端与LED芯片电性连接，另一端穿过第二导热绝缘层与导线层电性连接，铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。本技术是一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。【专利说明】 多晶片发光二极管封装结构
本技术涉发光二极管封装
，尤其涉及一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。
技术介绍
随着LED (发光二极管)照明技术的不断发展，LED的生产规模在不断扩大，LED的封装技术是其在生产制造过程中的关键的一环。LED封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。因此，亟需一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。为了实现上述目的，本技术提供一种多晶片发光二极管封装结构，包括:金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有铜基底层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述铜基底层上，相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5?Imm,且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜，所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述铜基底层的厚度为0.25?0.3mm。所述第一导热绝缘层的厚度为45?48nm。所述导线层为金铝合金导线层，厚度为45?48nm。所述第二导热绝缘层的厚度为48?55nm。所述凹腔的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层。所述凹腔上还覆盖封装有光学透镜层。所述凹腔的底部与腔壁的角度为120度。所述金属导线为金线或金铝合金线。与现有技术相比，本技术多晶片发光二极管封装结构中，由于设置有所述第二导热绝缘层，因此能够覆盖住所述导线层，能够防止所述导线层在长期的高温使用过程中，被氧化，而且直接将所述第二导热绝缘层覆盖于所述导线层上，因此能够提高寿命、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。【专利附图】【附图说明】图1为本技术多晶片发光二极管封装结构的剖面结构示意图。【具体实施方式】现在参考附图描述本技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，如图1所示，本技术提供的多晶片发光二极管封装结构100，包括:金属基板1、LED芯片2及金属导线3，所述金属基板I上开设用于放置LED芯片2的凹腔4，所述凹腔4的底部设置有铜基底层5，所述金属基板I的上表面依次成型有第一导热绝缘层6、导线层7及第二导热绝缘层8，所述LED芯片2设置在所述铜基底层5上，相邻的两个所述LED芯片2的间距为0.5?1mm，且相邻的两个所述LED芯片2之间填充有金属铜11，所述LED芯片2上还覆盖有荧光粉层12，所述金属导线3 —端与所述LED芯片2电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层8与所述导线层7电性连接，所述铜基底层5的厚度为0.25?0.3mm η所述第一导热绝缘层6的厚度为45?48nm。所述导线层7为金铝合金导线层，厚度为45?48nm。所述第二导热绝缘层8的厚度为48?55nm。所述凹腔4的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层9。所述凹腔4上还覆盖封装有光学透镜层10。所述凹腔4的底部与腔壁的角度为120度。所述金属导线为金线或金铝合金线。结合图1，本技术多晶片发光二极管封装结构100，由于设置有所述第二导热绝缘层8，因此能够覆盖住所述导线层7，能够防止所述导线层7在长期的高温使用过程中，被氧化，而且直接将所述第二导热绝缘层8覆盖于所述导线层7上，因此能够提高寿命、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。以上所揭露的仅为本技术的优选实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，因此依本技术申请专利范围所作的等同变化，仍属本技术所涵盖的范围。【权利要求】1.一种多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，包括:金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有铜基底层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述铜基底层上，相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5?1mm，且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜，所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述铜基底层的厚度为0.25?0.3mmο2.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一导热绝缘层的厚度为45?48nm。3.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述导线层为金铝合金导线层，厚度为45?48nm。4.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二导热绝缘层的厚度为48?55nm。5.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层。6.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔上还覆盖封装有光学透镜层。7.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔的底部与腔壁的角度为120度。8.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述金属导线为金线或金铝合金线。【文档编号】H01L33/64GK203774322SQ201320876776【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日 【专利技术者】陈燕章 申请人:深圳市力维登光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，包括：金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有铜基底层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述铜基底层上，相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜，所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈燕章，
申请(专利权)人：深圳市力维登光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44