一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法技术

一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料制备方法，解决以Ti粉为烧结助剂制备B4C时易产生氧化环境阻碍致密化的问题，同时解决以大添加量TiH2与B4C反应烧结制备的复相陶瓷密度大幅增加，硬度大幅减小的问题，以满足制备轻质高强材料的要求。本发明专利技术的B4C基陶瓷材料，由B4C粉末和TiH2粉末混合后烧结制成，各组分质量百分比为：B4C粉末90％～99％、TiH2粉末1％～10％。本发明专利技术的制备方法，包括混合步骤和烧结步骤。本发明专利技术所制备的陶瓷材料，具有高硬度、低密度、低电阻率、高抗弯强度和高断裂韧性，能很好的满足防护材料的各项技术指标要求，提高防护的可靠性，可进行电火花加工，具有大批量生产的潜力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种以TiH2为烧结助剂的B4C基陶瓷材料，由B4C粉末和TiH2粉末混合后烧结制成，其特征在于：各组分质量百分比为：B4C粉末90％～99％、TiH2粉末1％～10％；所述B4C粉末平均粒径为2微米～5微米，纯度大于99％；所述TiH2粉末粒度小于325目，纯度大于99％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅正义，季伟，王为民，张金咏，张帆，王皓，王玉成，张清杰，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42