日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置及方法，涉及日盲紫外像增强器参数测试技术领域，解决了由于日盲紫外像增强器带外响应极低导致其相对光谱响应度无法准确测试的问题，包括光源、暗箱，可伸缩屏蔽罩，位于所述入光口和所述光源之间，用来屏蔽所述光源附近的环境杂散光进入暗箱；会聚透镜，位于所述可伸缩屏蔽罩内，用于将所述光源出射光全部收集以供测试；陷阱探测器，位于所述暗箱内部，用于探测所述光源的输出光电流；屏蔽盒，位于所述暗箱内部，用于盛载待测像增强器，对待测像增强器进行有效电磁屏蔽；静电计，连接像增强器输出信号端，用于探测所述光源通过所述待测像增强器的输出电信号，本发明专利技术结构简单，可操作性强。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，涉及日盲紫外像增强器参数测试
，解决了由于日盲紫外像增强器带外响应极低导致其相对光谱响应度无法准确测试的问题，包括光源、暗箱，可伸缩屏蔽罩，位于所述入光口和所述光源之间，用来屏蔽所述光源附近的环境杂散光进入暗箱；会聚透镜，位于所述可伸缩屏蔽罩内，用于将所述光源出射光全部收集以供测试；陷阱探测器，位于所述暗箱内部，用于探测所述光源的输出光电流；屏蔽盒，位于所述暗箱内部，用于盛载待测像增强器，对待测像增强器进行有效电磁屏蔽；静电计，连接像增强器输出信号端，用于探测所述光源通过所述待测像增强器的输出电信号，本专利技术结构简单，可操作性强。【专利说明】
本专利技术涉及日盲紫外像增强器参数测试
，具体涉及日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度的测试装置及方法。
技术介绍
日盲紫外ICXD的研制是日盲紫外成像探测关键性的核心技术之一，其带外相对光谱响应度指在近紫外、可见及近红外谱段对入射辐照的响应能力，该参数主要用于体现日盲紫外ICCD对于带外辐射的响应能力优劣，准确测试带外相对光谱响应度对于实现其与滤光片的光谱优化匹配进而提升系统信噪比具有重要意义。目前对于可见光探测器及红外探测器的光电参量测试研究较为成熟，但是由于紫外ICCD探测原理与可见光和红外探测器有所不同，测试方法不能通用，而且系统复杂度高，参量测试难度较大，因此国内关于紫外ICCD性能参量测量方面的研究报道很少。赵玉环等于2009年采用直接比较法测定了紫外ICCD的相对光谱响应度，并基于具有优异紫外响应能力的科研级光谱仪建立了紫外ICCD光谱响应测量装置。但是，该方法仅能测试220nm-300nm谱段紫外ICCD的带内相对光谱响应，对于300nm以上的谱段，由于ICCD响应度较低且其建立的测试装置灵敏度及精度不够则无法测试。另外，该方法采用灰度值作为输出信号计算探测器的相对光谱响应，由于灰度值随着ICXD增益的增大而增大，因此存在很大的不确定性。紫外ICXD是由像增强器、光纤光锥、CCD及电子线路等封装而成。一旦封装完成，一些关键参量如相对光谱响应度等只能由如上文中所述的灰度值或者光子数等参量间接推知。相较于紫外ICCD整机，单纯对其中的像增强器进行相关光电参量测试，不仅更能直观且准确的表征紫外ICCD的性能，也可进一步指导国内研制单位开展工艺改进，进而提高器件性能，满足现阶段对紫外ICCD的性能需求，促进我国紫外成像探测技术的发展。
技术实现思路
本专利技术为解决无法准确表征日盲紫外ICCD相对光谱响应特性以及由于其带外响应极低，导致带外相对光谱响应度无法准确测试的问题，本专利技术提供一种。日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，包括光源；暗箱，位于所述光源前方，暗箱的侧面设置有一个入光口 ；可伸缩屏蔽罩，位于所述入光口和所述光源之间；会聚透镜，位于所述可伸缩屏蔽罩内，用于将光源出射光全部收集以供测试；陷阱探测器，位于所述暗箱内部，用于探测所述光源的输出光电流；屏蔽盒，位于所述暗箱内部，用于盛载待测像增强器，对所述待测像增强器进行有效电磁屏蔽；静电计，连接所述待测像增强器的输出信号端，用于探测光源通过待测像增强器后的输出电信号。日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试方法，该方法由以下步骤实现:步骤一、关闭暗箱的入光口，使陷阱探测器上无光照进入，测量所述陷阱探测器的输出电信号作为暗电流噪声，将陷阱探测器调零，并对暗电流噪声进行零位补偿；步骤二、打开暗箱的入光口，由陷阱探测器探测光源的输出光电流ItlU),然后关闭暗箱的入光口，使所述待测日盲紫外像增强器上无光照进入，由静电计测量待测像增强器的输出电信号作为暗电流噪声，将所述暗电流噪声设定为静电计的参考值；步骤三、由所述静电计测量光源通过待测日盲紫外像增强器的输出电信号ItU);步骤四、根据步骤二和步骤三获得的电信号，计算日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度:【权利要求】1.日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征是，包括: 光源(I); 暗箱(2)，位于所述光源(I)的前方，所述暗箱(2)的侧面设置有一个入光口 ； 可伸缩屏蔽罩(3)，位于所述入光口和所述光源(I)之间； 会聚透镜(4)，位于所述可伸缩屏蔽罩(3)内，用于将光源(I)出射光全部收集以供测试； 陷阱探测器(5)，位于所述暗箱(2)内部，用于探测所述光源(I)的输出光电流； 屏蔽盒(7)，位于所述暗箱(2)内部，用于盛载待测像增强器(6)，对所述待测像增强器(6)进行有效电磁屏蔽； 静电计(11)，连接所述待测像增强器(6)的输出信号端，用于探测光源(I)通过待测像增强器(6)后的输出电信号。2.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述光源(I)为窄带高稳定mW级并加有准直物镜的LED，所述LED沿同一高度按波长顺序水平放置。3.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述会聚透镜(4 )位置距离陷阱探测器(5)与屏蔽盒(7)均为所述会聚透镜(4)焦距长度。4.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述陷阱探测器(5)与探测装置(10)配合使用，所述陷阱探测器(5)的相对光谱响应度已知；所述探测装置(10)为弱电流放大器。5.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述屏蔽盒(7)材料为铁，可有效屏蔽静电，且表面喷有氧化铝黑色喷漆，防止反射杂散光。6.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述静电计(11)的灵敏度小于等于IO-12A量级。7.根据权利要求1-6任意一项所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，还包括 精密位移平台(8)，位于所述陷阱探测器(5)与所述屏蔽盒(7)的下方，用于控制所述陷阱探测器(5)与所述屏蔽盒(7)的位置，使所述陷阱探测器(5)与屏蔽盒(7)轮流对准所述暗箱(2)的入光口 ； 暗箱导轨(9)，位于所述暗箱(2)的下方，用于移动所述暗箱(2)的位置，使入光口依次对准所述光源(I)。8.根据权利要求7所述的日盲紫外滤光片带外截止深度测试装置，其特征在于，所述精密位移平台(8)与所述暗箱导轨(9)均为电控位移台。9.根据权利要求7所述的日盲紫外滤光片带外截止深度测试装置的方法，其特征在于，该方法由以下步骤实现: 步骤一、关闭暗箱(2)的入光口，使陷阱探测器(5)上无光照进入，测量所述陷阱探测器(5)的输出电信号作为暗电流噪声，将所述陷阱探测器(5)调零，对所述暗电流噪声进行补偿；打开暗箱(2)的入光口，调整陷阱探测器(5)对准暗箱(2)的入光口，所述陷阱探测器(5)探测所述光源(I)的输出光电流ItlU)； 步骤二、关闭所述暗箱(2)的入光口，使待测日盲紫外像增强器(6)上无光照进入，由所述静电计(11)测量待测像增强器(6)的输出电信号，即为暗电流噪声，将获得的暗电流噪声设定为静电计(11)的参考值； 步骤三、打开暗箱(2)的入光口，调节精密位移平台(8)使所述待测日盲紫外像增强器对准所述暗箱(2 )的入光口，由所述静电计(11)测本文档来自技高网...
【技术保护点】
日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征是，包括：光源（1）；暗箱（2），位于所述光源（1）的前方，所述暗箱（2）的侧面设置有一个入光口；可伸缩屏蔽罩（3），位于所述入光口和所述光源（1）之间；会聚透镜（4），位于所述可伸缩屏蔽罩（3）内，用于将光源（1）出射光全部收集以供测试；陷阱探测器（5），位于所述暗箱（2）内部，用于探测所述光源（1）的输出光电流；屏蔽盒（7），位于所述暗箱（2）内部，用于盛载待测像增强器（6），对所述待测像增强器（6）进行有效电磁屏蔽；静电计（11），连接所述待测像增强器（6）的输出信号端，用于探测光源（1）通过待测像增强器（6）后的输出电信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔穆涵，周跃，陈雪，章明朝，闫丰，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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