一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底，采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜，再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极，并连接电压触发器，制备成本器件。本器件在室温下，存在高低两种电阻态，电阻开关现象极为明显，可通过简单的脉冲电压进行写入，通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强，结构简单、稳定、耐振动，工艺简洁、环保无污染，原材料价格低廉，易回收重复利用等优越性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器，其特征在于：该纳米薄膜记忆电阻存储器的结构是：铁掺杂的非晶碳(a‑C:Fe)膜镀于作为衬底的绝缘石英玻璃(SiO2)基片上，铁掺杂的非晶碳膜两端镀有两个铝(Al)层，作为电极，电极接线连通电压触发器构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翟章印，姜昱丞，付浩，
申请(专利权)人：淮阴师范学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32