电子装置的制造方法以及制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术所涉及的电子装置的制造方法具备：定位工序，相对于具有波导路径的第2构件对支撑激光二极管的第1构件进行定位；接合工序，接合第1构件和第2构件；确认工序，确认第1构件相对于第2构件的定位精度。在定位工序中，对激光二极管实施通电并使激光出射，使该激光入射到波导路径的入射端。在接合工序中，不给激光二极管通电而对第1构件照射加热用光并使接合材料熔融。在确认工序中，再一次对激光二极管实施通电。

【技术实现步骤摘要】
电子装置的制造方法以及制造装置
本专利技术涉及具备激光二极管、支撑该激光二极管的第1构件、具有波导路径的第2构件，且第1构件以激光二极管的出射光束入射到波导路径的入射端的形式相对于第2构件被定位的电子装置的制造方法。
技术介绍
近年来，关于磁盘装置等的磁记录装置，伴随于高记录密度而被要求进一步提高磁头以及磁记录介质的性能。在磁盘装置中磁头被设置于从磁记录介质的表面略微浮上一点的滑块。关于磁记录装置，为了提高记录密度而减小磁记录介质的磁性微粒子是有效的。但是，如果减小磁性微粒子，则会发生所谓磁性微粒子的磁化的热稳定性降低的问题。对于消除该问题来说加大磁性微粒子的各向异性能是有效的。但是，如果加大了磁性微粒子的各向异性能，则磁记录介质的矫顽力变大并会发生在原有的磁头上信息记录变得困难的问题。作为解决以上所述问题的方法，有方案提出所谓热辅助磁记录的方法。在该方法中，使用矫顽力大的磁记录介质，在信息记录时磁记录介质当中对于信息被记录的部分在与记录磁场几乎同时还进行加热，使那部分的温度上升并使矫顽力降低从而进行信息的记录。信息被记录的部分在这之后温度降低而矫顽力变大，磁化的热稳定性增高。以下将被用于热辅助磁记录的磁头称作为热辅助磁记录头。关于热辅助磁记录，作为对磁记录介质进行加热的方法一般是使用近场光的方法。作为使近场光发生的方法众所周知有使用从被光激发的等离子体（plasmon）产生近场光的金属片即等离子体发生器（plasmongenerator）的方法。另外，一般来说被用于近场光的产生的光由被设置于滑块的波导路径而被引导到设置于滑块上的与磁记录介质相对的面即介质相对面的近旁的等离子体发生器。另外，作为将被用于近场光的产生的光提供给波导路径的方法例如就像美国专利申请公开第2011/0228650A1号说明书所公开的那样是相对于滑块固定激光二极管并使从该激光二极管出射的激光入射到被设置于滑块的波导路径的入射端的方法。美国专利申请公开第2011/0228650A1号说明书所公开的热辅助磁记录头具备持有波导路径的滑块、光源单元。光源单元具有激光二极管、支撑该激光二极管的单元基板。单元基板以激光二极管的出射光束入射到波导路径的入射端的形式被定位并被接合于滑块。对于相对于滑块的单元基板的接合来说例如可以使用焊料。在如以上所述具备激光二极管、单元基板以及滑块的热辅助磁记录头的制造过程中，以激光二极管的出射光束高精度地入射到波导路径的入射端的形式相对于滑块高精度地对单元基板进行定位并进行固定是重要的。在美国专利申请公开第2011/0228650A1号说明书中如以下所述公开了相对于滑块对单元基板进行定位并进行固定的方法。关于该定位以及固定方法，使激光二极管的出射光束入射到波导路径的入射端，检测从波导路径的出射端出射的光的强度，以该强度成为最大的形式相对于滑块对单元基板进行定位。之后，以通过单元基板内的形式对单元基板照射加热用激光，由该加热用激光来加热被配置于滑块与单元基板之间的焊料并使之熔融。之后，停止加热用激光的照射并使焊料固化，从而相对于滑块固定单元基板。以下是就有关上述定位以及固定方法的问题点进行说明。关于以上所述方法，使焊料熔融、之后使焊料固化、相对于滑块固定单元基板的过程中相对于滑块的单元基板的位置有可能偏移。因此，关于以上所述方法，有着所谓不能够发现相对于滑块的单元基板的定位不良而有可能产生不良产品的问题。另外，根据本专利技术人所做的实验可以了解到会有以下所述情况，在激光二极管出射激光的状态下如果对单元基板照射加热用激光，则在这之有激光二极管的光输出发生不可逆的降低，或激光二极管发生故障的情况。因此，关于以上所述方法，存在着所谓有可能会产生由于激光二极管的劣化或者故障而引起的不良产品的问题。上述问题点不仅限于制造热辅助磁记录头的情况，也存在于制造具备激光二极管、支撑该激光二极管的第1构件、具有波导路径的第2构件的电子装置的情况，即该问题也适用于根据所述定位以及固定方法，以激光二极管的出射光入射到波导路径的入射端的形式，相对于第2构件对第1构件进行定位并进行固定的所有情况。
技术实现思路
本专利技术的第一目的是在于提供一种电子装置的制造方法，该电子装置的制造方法能够不使激光二极管发生劣化或者故障而制造出具备激光二极管、支撑该激光二极管第1构件、具有波导路径的第2构件；且第1构件以激光二极管的出射光入射到波导路径的入射端的形式相对于第2构件被定位的电子装置。本专利技术的第二目的是在于提供一种适合于上述制造方法的电子装置的制造装置。由本专利技术的制造方法以及制造装置来进行制造的电子装置具备通过通电而出射激光的激光二极管、支撑激光二极管的第1构件、接合有第1构件的第2构件、接合第1构件和第2构件的接合层。第1构件具有使激光传播的波导路径。接合层包含由被加热到规定的熔融温度以上的温度之后发生熔融的接合材料构成的接合材料层。波导路径具有从激光二极管出射的激光进行入射的入射端。本专利技术的制造方法具备：定位工序，在使包含接合材料且之后成为接合层的预备接合层介于接合前的第1构件与第2构件之间的状态下，以从激光二极管出射的激光入射到波导路径的入射端的形式相对于第2构件对第1构件进行定位；接合工序，在定位工序之后接合第1构件和第2构件；确认工序，在接合工序之后确认第1构件相对于第2构件的定位精度。在定位工序中，对激光二极管实施通电并使激光从激光二极管出射，使该激光入射到波导路径的入射端，检测对应于入射到入射端并在波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值决定第1构件相对于第2构件的位置。在接合工序中，不给激光二极管通电而对第1构件照射加热用光，使用加热用光来加热预备接合层中的接合材料并使之熔融，之后，停止对第1构件的加热用光的照射，以预备接合层成为接合层的形式使接合材料固化。在确认工序中，再一次对激光二极管实施通电并使激光从激光二极管出射，使该激光入射到波导路径的入射端，检测对应于入射到入射端并在波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值确认第1构件相对于第2构件的定位精度。本专利技术的制造方法还可以进一步具备：第1冷却工序，在定位工序与接合工序之间通过只是在第1时间内不给激光二极管通电从而使激光二极管的温度降低；第2冷却工序，在接合工序与确认工序之间通过只是在第2时间内不给激光二极管通电从而使激光二极管的温度降低。另外，在本专利技术的制造方法中，波导路径可以进一步具有将入射到入射端并在波导路径中进行传播的光进行出射的出射端。在此情况下，在定位工序和确认工序中可以检测作为参数值的从出射端出射的光的强度。另外，在本专利技术的制造方法中第2构件可以是热辅助磁记录用的滑块。滑块可以具有与磁记录介质相对的介质相对面、磁极、所述波导路径、等离子体发生器（plasmongenerator）。磁极具有被配置于介质相对面的端面，并且会产生用于将信息记录于磁记录介质的记录磁场。等离子体发生器是以表面等离子体基于入射到入射端并在波导路径中进行传播的光而被激发并且基于该表面等离子体从介质相对面产生近场光的形式被构成的。在第2构件为滑块的情况下，波导路径进一步具有将入射到入射端并在波导路径中进行传播的光进行出射的出射端，在定位工序和确认工序中可以检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置的制造方法，其特征在于：所述电子装置具备：通过通电而出射激光的激光二极管；支撑所述激光二极管的第1构件；具有使所述激光传播的波导路径并接合有所述第1构件的第2构件；以及接合所述第1构件和所述第2构件的接合层，所述接合层包含由被加热到规定的熔融温度以上的温度之后发生熔融的接合材料构成的接合材料层，所述波导路径具有入射所述激光的入射端，所述制造方法具备：定位工序，在使包含所述接合材料且之后成为所述接合层的预备接合层介于接合前的所述第1构件与所述第2构件之间的状态下，以从所述激光二极管出射的所述激光入射到所述波导路径的所述入射端的形式相对于所述第2构件对所述第1构件进行定位；接合工序，在所述定位工序之后接合所述第1构件和所述第2构件；以及确认工序，在所述接合工序之后确认所述第1构件相对于所述第2构件的定位精度，在所述定位工序中，对所述激光二极管实施通电并使所述激光从所述激光二极管出射，使该激光入射到所述波导路径的所述入射端，检测对应于入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值决定所述第1构件相对于所述第2构件的位置，在所述接合工序中，不对所述激光二极管实施通电而对所述第1构件照射加热用光，使用所述加热用光来加热所述预备接合层中的所述接合材料并使之熔融，之后，停止对于所述第1构件的所述加热用光的照射，以所述预备接合层成为所述接合层的形式使所述接合材料固化，在所述确认工序中，再一次对所述激光二极管实施通电并使所述激光从所述激光二极管出射，使该激光入射到所述波导路径的所述入射端，检测对应于入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值确认所述第1构件相对于所述第2构件的定位精度。...

【技术特征摘要】
2013.01.25 US 13/750,4991.一种电子装置的制造方法，其特征在于：所述电子装置具备：通过通电而出射激光的激光二极管；支撑所述激光二极管的第1构件；具有使所述激光传播的波导路径并接合有所述第1构件的第2构件；以及接合所述第1构件和所述第2构件的接合层，所述接合层包含由被加热到熔融温度以上的温度之后发生熔融的接合材料构成的接合材料层，所述波导路径具有入射所述激光的入射端，所述制造方法具备：定位工序，在使包含所述接合材料且之后成为所述接合层的预备接合层介于接合前的所述第1构件与所述第2构件之间的状态下，以从所述激光二极管出射的所述激光入射到所述波导路径的所述入射端的形式相对于所述第2构件对所述第1构件进行定位；接合工序，在所述定位工序之后接合所述第1构件和所述第2构件；以及确认工序，在所述接合工序之后确认所述第1构件相对于所述第2构件的定位精度，在所述定位工序中，对所述激光二极管实施通电并使所述激光从所述激光二极管出射，使该激光入射到所述波导路径的所述入射端，检测对应于入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值决定所述第1构件相对于所述第2构件的位置，在所述接合工序中，不对所述激光二极管实施通电而对所述第1构件照射加热用光，使用所述加热用光来加热所述预备接合层中的所述接合材料并使之熔融，之后，停止对于所述第1构件的所述加热用光的照射，以所述预备接合层成为所述接合层的形式使所述接合材料固化，在所述确认工序中，再一次对所述激光二极管实施通电并使所述激光从所述激光二极管出射，使该激光入射到所述波导路径的所述入射端，检测对应于入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光的强度的参数值，根据被检测到的参数值确认所述第1构件相对于所述第2构件的定位精度。2.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于：进一步具备：第1冷却工序，在所述定位工序与所述接合工序之间，通过只是在第1时间内不给所述激光二极管通电从而使所述激光二极管的温度降低；以及第2冷却工序，在所述接合工序与所述确认工序之间，通过只是在第2时间内不给所述激光二极管通电从而使所述激光二极管的温度降低。3.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于：所述波导路径进一步具有将入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光进行出射的出射端，在所述定位工序和所述确认工序中，检测作为所述参数值的从所述出射端出射的光的强度。4.如权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于：所述第2构件是热辅助磁记录用的滑块，所述滑块具有：介质相对面，与磁记录介质相对；磁极，具有被配置于所述介质相对面的端面，并产生用于将信息记录于所述磁记录介质的记录磁场；所述波导路径；以及等离子体发生器，被构成为基于入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光而使表面等离子体进行激发、并且基于该表面等离子体从所述介质相对面产生近场光。5.如权利要求4所述的电子装置的制造方法，其特征在于：所述波导路径进一步具有将入射到所述入射端并在所述波导路径中进行传播的光进行出射的出射端，在所述定位工序和所述确认工序中，检测作为所述参数值的从所述出射端出射的光的强度。6.如权利要求4所述的电子装置的制造方法，其特征在于：在所述定位工序和所述确认工序中，检测作为所述参数值的由所述等离子体发生器产生的所述近场光的强度。7.一种电子装置的制造装置，其特征在于：所述电子装置具备：通过通电而出射激光的激光二极管；支撑所述激光二极管的第1构件；具有使所述激光传播的波导路径并接合有所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山清市，伊藤靖浩，森信幸，岛泽幸司，高贯一明，安东洋一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP