显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组技术

本发明专利技术提供一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组，该显示基板包括多个子显示基板，每一个该子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从该显示基板的中心到该显示基板的边缘，该多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或该多个子显示基板按照该子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。本发明专利技术能够减小不同位置的子显示基板之间的电学性差异，有效避免由镀膜制备工艺产生的显示基板边缘开态电流小，阈值电压大，关态电流大引起的位于边缘处的子显示基板的电学性不良。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组，该显示基板包括多个子显示基板，每一个该子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从该显示基板的中心到该显示基板的边缘，该多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或该多个子显示基板按照该子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。本专利技术能够减小不同位置的子显示基板之间的电学性差异，有效避免由镀膜制备工艺产生的显示基板边缘开态电流小，阈值电压大，关态电流大引起的位于边缘处的子显示基板的电学性不良。【专利说明】显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是当前主流的平板显示器，其基本结构包括由两块基板对盒而成的液晶屏。通过基板上的像素电极和公共电极对两基板之间的液晶施加电场，以控制液晶转向从而形成所需的画面，并通过储存电容以便电压能保持到下一次再更新画面时。在液晶屏的生产过程中，首先需要在具有固定尺寸的整块基板上通过构图工艺形成各种薄膜图形，包括像素电极的图形、源漏极的图形、绝缘层的图形等，从而形成大尺寸的显示基板，再对该显示基板进行切割以得到各种尺寸的子显示基板，从而形成所需尺寸的液晶屏。其中，显示基板的尺寸越大，切割得到的子显示基板的数量越多，利用率和效益就越高，液晶屏的制造成本越低。但现有的通过沉积技术(PECVD)制备得到的薄膜图形，在显示基板上存在边缘效应，即在显示基板中的绝缘层(SiNx膜)边缘薄中间厚，而半导体层(非掺杂a-Si膜)边缘厚中间薄，使得位于显示基板不同位置的子显示基板存在电学性差异，特别对于位于显示基板边缘处的子显示基板，增大了其上的薄膜晶体管的关态电流及阈值电压，并减小了其开态电流，从而引起位于显示基板边缘处的子显示基板的电学性不良。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组，能够减小显示基板上不同位置的子显示基板之间的电学性差异。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供了一种显示基板，包括多个子显示基板，每一个所述子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从所述显示基板的中心到所述显示基板的边缘，所述多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或所述多个子显示基板按照所述子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。进一步地，对于每一个所述子显示基板，其中的多个像素单元的结构相同。进一步地，所述多个子显示基板呈矩阵排列。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种掩膜板，用于制作上述的显示基板，其中，所述掩膜板用于制作像素电极，所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元与所述显示基板上的多个子显示基板一一对应，从所述掩膜板的中心到所述掩膜板的边缘，所述多个掩膜单元按照形成像素电极的面积从大到小排列。 进一步地，所述多个掩膜单元呈矩阵排列。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种掩膜板，用于制作上述的显示基板，其中，所述掩膜板用于制作公共电极，所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元与所述显示基板上的多个子显示基板一一对应，从所述掩膜板的中心到所述掩膜板的边缘，所述多个掩膜单元按照形成公共电极的面积从大到小排列。进一步地，所述多个掩膜单元呈矩阵排列。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种掩膜板，用于制作上述的显示基板，其中，所述掩膜板用于制作源漏极沟道，所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元与所述显示基板上的多个子显示基板一一对应，从所述掩膜板的中心到所述掩膜板的边缘，所述多个掩膜单元按照形成源漏极沟道的宽长比从小到大排列。进一步地，所述多个掩膜单元呈矩阵排列。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种掩膜板，包括上述制作像素电极的掩膜板、上述制作公共电极的掩膜板、上述制作源漏极沟道的掩膜板中的至少一种。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种显示基板的制作方法，包括:在基板上形成多个子显示基板，每一个所述子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，从所述基板的中心到所述基板的边缘，所述多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或所述多个子显示基板按照所述子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。(三)有益效果本专利技术提供的显示基板，包括多个子显示基板，其中，从显示基板的中心到显示基板的边缘，该多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或多个子显示基板按照所述子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列，从而能够减小不同位置的子显示基板之间的电学性差异，有效避免由镀膜制备工艺产生的显示基板边缘开态电流小，阈值电压大，关态电流大引起位于边缘处的子显示基板的电学性不良。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施方式提供的第一种显示基板的示意图；图2是本专利技术实施方式提供的第一种像素单元结构的示意图；图3是本专利技术实施方式提供的第二种像素单元结构的示意图；图4是本专利技术实施方式提供的第三种像素单元结构的示意图；图5是本专利技术实施方式提供的第四种像素单元结构的示意图；图6是本专利技术实施方式提供的第二种显示基板的示意图；图7是本专利技术实施方式提供的一种像素单元结构源漏极沟道的示意图；图8是本专利技术实施方式提供的另一种像素单元结构源漏极沟道的示意图；图9是本专利技术实施方式提供的第三种显示基板的示意图；图10是本专利技术实施方式提供的第四种显示基板的示意图；图11是本专利技术实施方式提供的第一种掩膜板的示意图；图12是本专利技术实施方式提供的第一种掩膜板的示意图；图13是本专利技术实施方式提供的第二种掩膜板的示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施方式提供了 一种显示基板，该显示基板包括多个子显示基板，每一个所述子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从所述显示基板的中心到所述显示基板的边缘，所述多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或所述多个子显示基板按照所述子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。参见图1，图1是本专利技术实施方式提供的一种显示基板的示意图，包括多个子显示单元，对于每一个子显示基板，其中的多个像素单元的结构相同，具体地，该显示基板包括多个子显示基板11和多个子显示基板12，其中，多个子显示基板11靠近显示基板中心分布，多个子显示基板12沿显示基板边缘分布，为了减小子显示基板11与子显示基板12之间的电学性差异，可以对子显示基板11和子显示基板12中的像素单元的像素电极与公共电极的重合面积进行不同的设置，参见图2及图3，图2为子显示基板11中的像素单元的结构图，图3为子显示基板12中的像素单元的结构图，其中，图2所示的像素单元的像素电极与公共电极的重合面积大于图3所示的像素单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括多个子显示基板，每一个所述子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其特征在于，从所述显示基板的中心到所述显示基板的边缘，所述多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列，和/或所述多个子显示基板按照所述子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛燕霞，朴承翊，石天雷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11