一种基于电容串联时动态均压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于电容串联时动态均压电路，它包括一NPN型三极管Q1、一PNP型三极管Q2，Q1的基极与Q2的基极电性连接，且Q1的基极与Q2的基极之间的连接导线上具有一端点A；Q1的发射极与Q2的发射极电性连接，且Q1的发射极与Q2的发射极之间的连接导线上具有一端点N；端点A与Q1的集电极之间设有第一组电阻和第二组电阻，且第一组电阻与第二组电阻之间的连接电路上具有一端点P，端点P与端点N之间设有一电解电容C1；端点A与Q2的集电极之间设有第三组电阻和第四组电阻，且第三组电阻与第四组电阻之间的连接电路上具有一端点G，端点G与端点N之间设有一电解电容C2；本实用新型专利技术的有益效果是：本实用新型专利技术实现动态均压，其电阻体积变小、功率消耗低，并降低了物料成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种基于电容串联时动态均压电路，它包括一NPN型三极管Q1、一PNP型三极管Q2，Q1的基极与Q2的基极电性连接，且Q1的基极与Q2的基极之间的连接导线上具有一端点A；Q1的发射极与Q2的发射极电性连接，且Q1的发射极与Q2的发射极之间的连接导线上具有一端点N；端点A与Q1的集电极之间设有第一组电阻和第二组电阻，且第一组电阻与第二组电阻之间的连接电路上具有一端点P，端点P与端点N之间设有一电解电容C1；端点A与Q2的集电极之间设有第三组电阻和第四组电阻，且第三组电阻与第四组电阻之间的连接电路上具有一端点G，端点G与端点N之间设有一电解电容C2；本技术的有益效果是：本技术实现动态均压，其电阻体积变小、功率消耗低，并降低了物料成本。【专利说明】—种基于电容串联时动态均压电路
本技术涉及一种电容串联时的电压平衡电路，更具体的说，本技术涉及一种基于电容串联时动态均压电路。
技术介绍
目前的串联电容电压平衡电路多数采用在电容器两端并上比电容器阻值小的电阻来平衡电压，其不足之处在于电阻的体积大、功率高、造成额外功率消耗，效率变低。
技术实现思路
本技术的目的在于有效克服上述技术的不足，提供一种基于电容串联时动态均压电路，该电路的体积小、功率消耗低，降低了生产成本。本技术的技术方案是这样实现的:一种基于电容串联时动态均压电路，其改进之处在于:它包括一 NPN型三极管Ql、一 PNP型三极管Q2，三极管Ql的基极与三极管Q2的基极电性连接，且三极管Ql的基极与三极管Q2的基极之间的连接导线上具有一端点A ；所述三极管Ql的发射极与三极管Q2的发射极电性连接，且三极管Ql的发射极与三极管Q2的发射极之间的连接导线上具有一端点N ;所述端点A与三极管Ql的集电极之间设有第一组电阻和第二组电阻，且第一组电阻与第二组电阻之间的连接电路上具有一端点P，端点P与上述的端点N之间设有一电解电容Cl ;所述端点A与三极管Q2的集电极之间设有第三组电阻和第四组电阻，且第三组电阻与第四组电阻之间的连接电路上具有一端点G，端点G与上述的端点N之间设 有一电解电容C2，电解电容Cl与电解电容C2形成串联结构。上述的电路结构中，所述第一组电阻由电阻R1、电阻R2以及电阻R3串联组成，且阻值:R1=R2=R3。上述的电路结构中，所述电阻R1、电阻R2以及电阻R3的阻值均为500K。上述的电路结构中，所述第二组电阻由电阻R7、电阻R8以及电阻R9串联组成，且阻值:R7=R8=R9。上述的电路结构中，所述电阻R7、电阻R8以及电阻R9的阻值均为200K。上述的电路结构中，所述第三组电阻由电阻R4、电阻R5以及电阻R6串联组成，且阻值:R4=R5=R6。上述的电路结构中，所述电阻R4、电阻R5以及电阻R6的阻值均为500K。上述的电路结构中，所述第四组电阻由电阻RlO、电阻Rl I以及电阻Rl2串联组成，且阻值:R10=R11=R12。上述的电路结构中，所述电阻R10、电阻Rll以及电阻R12的阻值均为200K。上述的电路结构中，所述电解电容的电容量为1000uF,额定电压为315V。本技术的有益效果在于:当串联的电解电容Cl、C2电压不平衡时，通过三极管Q1、三极管Q2来调整串联电容Cl、C2电压，使串联电容Cl、C2电压平衡，图中的电阻R1-R12可使用SMD电阻(贴片电阻)，两串联电容1在￥?;/2附近波动时，本技术实现动态均压，其电阻体积变小、功率消耗低，并降低了物料成本。【【专利附图】【附图说明】】图1为本技术的具体实施例电路图。【【具体实施方式】】下面结合附图和实施例对本技术作进一步的描述。参照图1所示，本技术揭示的一种基于电容串联时动态均压电路，该电路主要包括有一 NPN型三极管Ql、一 PNP型三极管Q2，三极管Ql的基极与三极管Q2的基极电性连接，且三极管Ql的基极与三极管Q2的基极之间的连接导线上具有一端点A ;三极管Ql的发射极与三极管Q2的发射极电性连接，且三极管Ql的发射极与三极管Q2的发射极之间的连接导线上具有一端点N。进一步的，上述的端点A与三极管Ql的集电极之间设有第一组电阻和第二组电阻，且第一组电阻与第二组电阻之间的连接电路上具有一端点P，端点P与上述的端点N之间设有一电解电容Cl ;在本实施例中，第一组电阻由电阻R1、电阻R2以及电阻R3串联组成，阻值:R1=R2=R3，且电阻R1、电阻R2以及电阻R3的阻值均为500K欧姆。第二组电阻由电阻R7、电阻R8以及电阻R9串联组成，且阻值:R7=R8=R9，电阻R7、电阻R8以及电阻R9的阻值均为200K欧姆。进一步的，端点A与三极管Q2的集电极之间设有第三组电阻和第四组电阻，且第三组电阻与第四组电阻 之间的连接电路上具有一端点G，端点G与上述的端点N之间设有一电解电容C2，电解电容Cl与电解电容C2形成串联结构。在本实施例中，第三组电阻由电阻R4、电阻R5以及电阻R6串联组成，且阻值:R4=R5=R6，电阻R4、电阻R5以及电阻R6的阻值均为500K。第四组电阻由电阻R10、电阻Rll以及电阻R12串联组成，且阻值:R10=R11=R12，电阻R10、电阻Rll以及电阻R12的阻值均为200K。另外，所述电解电容的电容量为1000uF,额定电压为315V。结合上述的结构，我们对本技术的工作过程进行详细的描述，其工作的原理如下:参照图1所示，当串联的电解电容Cl、C2电压不平衡时，通过三极管Q1、三极管Q2来调整串联电容Cl、C2电压，使串联电容Cl、C2电压平衡，图中的电阻R1-R12可使用SMD电阻(贴片电阻)，具体是实施如下，端点P为两串联电解电容Cl、C2的正极，端点G为两串联电解电容Cl、C2的负极，N点为两串联电解电容Cl、C2的中心点。从图1中可得知电压VAe=VP(；/2，当串联电容电压平衡时，Vpn=Vng,即VAe=VNe ;当串联电容电压不平衡时，有两种情况:VPN>VNG(即VNG<VAG)和VPN〈VNG(VNG>VAG)，故图1电路的工作状态有三个=UVag=Vng时，说明串联电容Cl，C2的电压平衡，这时候Q1、Q2截止。2、VNe〈VA(；时，Ql导通，Q2截止，通过电阻R7-R9向C2充电，同时Cl通过R7-R9放电，直到Vag=Vng时，Q1、Q2截止。3、VNG>VAG时，Ql截止，Q2导通，通过电阻R10-R12向Cl充电，同时C2通过R10-R12放电，直到Vm=Vic时，QUQ2截止。由上可知，两串联电容VNe在Vrc/2附近波动时，本技术实现动态均压，其电阻体积变小、功率消耗低，并降低了物料成本。以上所描述的仅为本技术的较佳实施例，上述具体实施例不是对本技术的限制。在本技术的技术思想范畴内，可以出现各种变形及修改，凡本领域的普通技术人员根据以上描述所做的润饰、修改或等同替换，均属于本技术所保护的范围。【权利要求】1.一种基于电容串联时动态均压电路，其特征在于:它包括一 NPN型三极管Ql、一 PNP型三极管Q2，三极管Ql的基极与三极管Q2的基极电性连接，且三极管Ql的基极与三极管Q2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电容串联时动态均压电路，其特征在于：它包括一NPN型三极管Q1、一PNP型三极管Q2，三极管Q1的基极与三极管Q2的基极电性连接，且三极管Q1的基极与三极管Q2的基极之间的连接导线上具有一端点A；所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极电性连接，且三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极之间的连接导线上具有一端点N；所述端点A与三极管Q1的集电极之间设有第一组电阻和第二组电阻，且第一组电阻与第二组电阻之间的连接电路上具有一端点P，端点P与上述的端点N之间设有一电解电容C1；所述端点A与三极管Q2的集电极之间设有第三组电阻和第四组电阻，且第三组电阻与第四组电阻之间的连接电路上具有一端点G，端点G与上述的端点N之间设有一电解电容C2，电解电容C1与电解电容C2形成串联结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹相柱，
申请(专利权)人：深圳市德兰明海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44