发光器件制造技术

本申请公开了一种发光器件，包括：导电基板；第一电极层，布置在所述导电基板上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：透明电极层，布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间；以及欧姆层，包括多个金属接触部，所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层，其中每个金属接触部包括AuBe。本申请的发光器件能够降低正向电压并且提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请公开了一种发光器件，包括：导电基板；第一电极层，布置在所述导电基板上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：透明电极层，布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间；以及欧姆层，包括多个金属接触部，所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层，其中每个金属接触部包括AuBe。本申请的发光器件能够降低正向电压并且提高发光效率。【专利说明】发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2013年I月30日提交于韩国知识产权局的申请号为10-2013-0010620的韩国专利申请的优先权和2013年8月2日提交于韩国知识产权局的申请号为10-2013-0092120的韩国专利申请的优先权，其内容通过引用合并于此。
本申请的实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
作为发光器件的代表性示例的发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换成红外光、可见光或光的器件。现在，LED应用于诸如家用电器、远程控制器、电子招牌、显示器、各种自动化器具等的设备，并且其应用不断扩大。一般而言，微型LED被制造成表面安装器件以便直接安装到印刷电路板(PCB)。因此，用作显示器件的LED灯也被开发成表面安装器件。这样的表面安装器件可以取代传统的简单照明器，并且用在发光显示器、字符显示器、图像显示器等中，呈现各种颜色。随着LED应用范围扩展，日常使用灯光和遇险信号灯光所需的亮度增加。因此，提高LED的亮度很重要。另外，发光器件的电极应具有良好的粘附性和电性能。此外，正在研究如何提高发光器件的亮度并降低工作电压。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种降低正向电压(VF)并且提高发光效率的发光器件。在一个实施例中，一种发光器件包括:导电基板(substrate);第一电极层,布置在所述导电基板上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括:透明电极层，布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间；以及欧姆层，包括多个金属接触部，所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层，其中每个金属接触部包括AuBe。所述发光器件还可以包括布置在所述第一电极层和所述第一半导体层之间的窗口层，其中所述窗口层包括掺杂区，所述掺杂区在所述窗口层接触所述金属接触部的区域中掺杂有与所述第一半导体层相同极性的掺杂剂。所述透明电极层的平面面积可以大于所述金属接触部的平面面积。所述掺杂区可以从所述窗口层的表面突出。【专利附图】【附图说明】通过下面结合附图的详细说明，可以更清楚地理解实施例的细节，附图中:图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；图2是沿图1的A-A线截取的欧姆层的截面平面图；图3是示出根据实施例的发光器件的截面图；图4是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；图5是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；图6是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的立体图；图7是示出包括根据本实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；图8是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统的分解立体图；图9是示出图8的照明系统的横截面C-C’的截面图；图10是示出包括根据一个实施例的发光器件的液晶设备的分解立体图；以及图11是示出包括根据另一实施例的发光器件的液晶设备的分解立体图。【具体实施方式】现在详细参照实施例，附图示出其示例。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开充分而完整，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。本公开仅由权利要求的范围来限定。在某些实施例中，可以省略对本领域公知的器件结构或处理工艺的详细描述，以避免混淆本领域普通技术人员对本公开的理解。附图中尽量通篇使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”或“上面”的空间相对术语来描述附图中所示的一个元件和另一元件的关系。应理解的是，空间相对术语旨在涵盖除附图中所示定向之外的器件的不同定向。例如，如果翻转一个附图中的器件，则描述为在其它元件的“下面”或“下方”的元件将被定向为在其它元件的“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下方”可以涵盖上方和下方的两种定向。由于器件可以在另一方向上定向，所以可以根据器件的定向来解释空间相对术语。本公开中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不用于限制本公开。如在本公开和所附权利要求中所使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外指明。还应理解的是，在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”表明所陈述的特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括科技术语)具有与本领域普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应理解的是，诸如在常用字典中定义的那些术语应解释成具有与其在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于形式化的方式解释，除非本文另有明确定义。在附图中，为方便描述和清楚起见，会夸大、省略或示意性示出各层的厚度或者尺寸。而且，各构成元件的尺寸或面积并不完全反映其实际尺寸。 用于描述根据实施例的发光器件结构的角度或方向基于附图所示的角度或方向。在本说明书中，除非对描述发光器件结构中的角位置关系的参照点没有定义，否则可以参照相关附图。图1是示出根据实施例的发光器件的截面图，而图2是沿图1的A-A线截取的欧姆层的截面平面图。参照图1，根据本实施例的发光器件100包括:导电基板110 ;布置在导电基板110上的第一电极层120 ;布置在第一电极层120上方的发光结构140，包括第一半导体层141、第二半导体层145、以及布置在第一半导体层141和第二半导体层145之间的有源层143 ；以及电连接到第二半导体层145的第二电极层150。导电基板110支撑发光结构140,并且导电基板110与第二电极层150 —起向发光结构140供电。导电基板110可以由高导热材料或导电材料形成，例如为选自由金(Au)、镍(Ni)、钨(W)、钥(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、钽(Ta)、银(Ag)、钼(Pt)、铬(Cr)、S1、Ge、GaAs、ZnO、GaN、Ga203、SiC、SiGe和CuW构成的群组中的至少一种，或者其中两种或更多种的合金，或者其中两种或更多不同物质的堆叠。也就是说，导电基板110可以实现为载体晶片(carrierwafer)。导电基板110有助于传导发光器件100发出的热量,从而提高发光器件100的热稳定性。在本实施例中，导电基板110具有导电性。然而,导电基板可以不具有导电性,但本公开不限于此。发光器件包括布置在导电基板110上的第一电极层120用于供电。下文将给出第一电极层120的详细描述。发光器件还可以包括布置在第一电极层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：导电基板；第一电极层，布置在所述导电基板上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：透明电极层，布置在所述导电基板和所述第一半导体层之间；以及欧姆层，包括多个金属接触部，所述金属接触部竖直穿过所述透明电极层，其中每个金属接触部包括AuBe。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴范斗，金台镇，金珉奭，成永运，李尚俊，李泰庸，洪起勇，黄善教，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR