通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法技术

本发明专利技术提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留；在去除光阻残留后进行光刻工艺。通过应用本发明专利技术，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留；在去除光阻残留后进行光刻工艺。通过应用本专利技术，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
晶圆边缘的缺陷一向是集成电路缺陷控制工作中的一个难点。例如图1和图2所示，在钨栓塞填充前的剥落缺陷10会造成钨栓塞无法填充而形成未填充钨栓11，由此对良率产生极大影响。传统的晶边缺陷控制方法是在剥落缺陷发生后通过清洗的方式去除，以防止此类缺陷掉入晶圆内部影响良率。但是，此类方法的弊端在于剥落缺陷一般在金属沉积后才发生，如果清洗不到位或清洗过度会造成更多的剥落缺陷，甚至造成严重的金属污染。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种，其能够消除剥落缺陷源头，从而根本上控制剥落缺陷，为良率提升做出贡献。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了 一种，其中在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤:设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留。优选地，其特征在于进一步包括在去除光阻残留后进行光刻工艺。优选地，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的85% -98%之间。优选地，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的90% -95%之间。 优选地,所述光刻掩模版的直径在294mm到300mm之间。通过应用本专利技术，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。其中，本专利技术所述的“二次曝光”指的是除了正常曝光之外，本专利技术增加了一道为了去除光阻残留而进行的预曝光工艺。【专利附图】【附图说明】结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示意性地示出了根据现有技术中的钨栓塞填充前的剥落缺陷。图2示意性地示出了根据现有技术中存在的未填充钨栓。图3示意性地示出了光阻残留的情况。图4示意性地示出了根据本专利技术优选实施例采用的曝光光刻的掩模版。图5示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的去除了光阻残留的情况。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。【具体实施方式】为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。本专利技术通过找到并分析晶边剥落缺陷源头形成的原因，从根本上去除形成剥落源头的关键因素。专利技术人经过对在线产品在连接孔钨栓粘合层的剥落缺陷源头与剥落缺陷照片进行分析，发现产品剥落缺陷源头形成原因如图3所示，其关键因素是由于晶圆I边缘的抗反射涂层(BARC) 2洗边过程中使最外层的抗反射涂层翘起，并在翘起的阴影部分使得光阻异常变厚，在光阻洗边过程中无法去除干净，在BARC刻蚀选择比足够的前提下，使得光阻残留3的部分产生了硅残留，为后续的剥落源头提供了基础。基于此，本专利技术找到了一种可以有效去除此剥离缺陷源头的方法，有效的预防剥落缺陷的发生。在根据本专利技术优选实施例的中，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤:设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版4，如图4所示，所述光刻掩模版4的形状为圆形或近似圆形，所述光刻掩模版4的直径小于所述晶圆的直径。优选地，所述光刻掩模版4的直径介于所述晶圆的直径的85%-98%之间；进一步优选地，所述光刻掩模版4的直径介于所述晶圆的直径的90% -95%之间；例如,在具体实施例中,所述光刻掩模版4的直径在294mm到300mm之间；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版4的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版4布置在所述晶圆上，由此利用所述光刻掩模版4对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留3 ;该步骤的目的在于去除由抗反射涂层翘起造成的光阻残留3，如图5所示；此后，在去除光阻残留后可按照常规的方式进行后续光刻工艺。例如，可以在40nm逻辑产品上应用此方式可以有效去除剥落源头，为良率提升提给保障。通过应用本专利技术，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。【权利要求】1.一种，其特征在于在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤: 设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径； 在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留。2.根据权利要求1所述的，其特征在于进一步包括在去除光阻残留后进行光刻工艺。3.根据权利要求1或2所述的，其特征在于，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的85% -98%之间。4.根据权利要求1或2所述的，其特征在于，所述光刻掩模版的直径介于所述晶圆的直径的90% -95%之间。5.根据权利要求1或2所述的，其特征在于，所述光刻掩模版的直径在294mm到300mm之间。【文档编号】H01L21/768GK103972163SQ201410217928【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年5月21日 优先权日:2014年5月21日 【专利技术者】范荣伟, 王恺, 龙吟, 顾晓芳, 陈宏璘 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，其特征在于在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，王恺，龙吟，顾晓芳，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31