一种LNB控制保护电路及终端制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LNB控制保护电路及终端，所述电路包括LNB开/关控制模块，升压模块，H/V电压控制模块，过流与短路保护模块，22K信号控制模块，LNB电压输出模块，以及LNB开/关信号端，过流与短路信号端，H/V电压信号输入端，22K信号输入端，LNB电压输出端；LNB开/关控制模块的输入端连接LNB开/关信号端，输出端连接升压模块的输入端；升压模块的输出端接H/V电压控制模块及22K信号控制模块；H/V电压控制模块连接H/V电压信号输入端；22K信号控制模块连接22K信号输入端及LNB电压输出模块；LNB电压输出模块连接LNB电压输出端。本实用新型专利技术有效的对LNB反向电压及LNB过流和短路进行保护，且效率更高，发热量更小，成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种LNB控制保护电路及终端
本技术涉及数字卫星接收机，尤其涉及一种LNB控制保护电路及终端。
技术介绍
目前，在数字卫星接收机中一般采用较为传统的LNB供电控制电路，通过对线性稳压器LM317的调节控制，使LNB供电控制电路输出13/18V两种恒定电压。然而，采用LM317的LNB供电控制电路仍具有一些不足，首先，LM317本身属于降压型电源芯片，作为LNB供电其输入电压一般在22V以上，当转换为13V恒定输出时具有大量的能量损失，增加了产品本身的功耗；其次，LM317本身器件体积较大，占用了较大的PCB面积，不利于小型化产品的开发；再者，LM317器件成本较高，不利于低成本产品的开发。基于上述现有技术存在有待改善的问题，本专利技术提出一种LNB控制保护电路及终端，使得效率更高，发热量更小，成本更低，可以有效的对LNB反向电压及LNB过流和短路进行保护。
技术实现思路
有鉴于此，需要提供一种LNB控制保护电路，使得效率更高，发热量更小，成本更低，可以有效的对LNB反向电压及LNB过流和短路进行保护。本技术提供一种LNB控制保护电路，包括:LNB开/关控制模块，升压模块，H/V电压控制模块，过流与短路保护模块，22K信号控制模块，LNB电压输出模块，以及LNB开/关信号端，过流与短路信号端，H/V电压信号输入端,22K信号输入端，LNB电压输出端；所述LNB开/关控制模块的输入端连接所述LNB开/关信号端，输出端连接所述升压模块的输入端；所述升压模块的输出端接所述Η/V电压控制模块及所述22K信号控制模块；所述Η/V电压控制模块连接所述Η/V电压信号输入端；所述22K信号控制模块连接所述22K信号输入端及所述LNB电压输出模块；所述LNB电压输出模块连接所述LNB电压输出端。[0011 ] 较优的，所述LNB开/关控制模块包括:电阻Rl1、R12、R13、R14、R15、R16，三极管Qll, PMOS管Q12，电解电容CElI,电容Cll ；所述电阻Rll的一端连接上拉电压，另一端连接电阻R12的一端；所述电阻R12的一端连接至所述LNB开/关信号端，另一端连接所述电阻R13的一端及所述升压模块；所述电阻R13的另一端连接所述三极管Qll的基极，所述三极管Qll的发射极接地，集电极连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端连接所述电阻R15的一端及所述PMOS管Ql2的栅极；所述电阻R15的另一端连接LNB输入电压及所述PMOS管Q12的源极；所述PMOS管Q12的漏极连接所述电阻R16、电解电容CEll和电容Cll的一端，所述电阻R16、电解电容CEll和电容Cll的另一端并联接地。较优的，所述的升压模块包括:电阻R21、R22、R23、R24，二极管D21、D22，磁珠FB21，电感L21，电解电容CE21，电容C2UC22,以及升压芯片；所述电阻R21的一端连接所述过流与短路信号端，另一端连接所述电阻R22的一端、所述二极管D21的负极及所述LNB开/关控制模块；所述电阻R22的另一端与所述二极管D21的正极并接接至所述电容C21及所述升压芯片的使能端；所述电容C21的另一端接地；所述磁珠FB21的一端连接所述升压芯片的输入端，另一端连接所述电感L21及所述LNB开/关控制模块的输出；所述电感L21的另一端连接所述升压芯片的开关信号端及所述二极管D22的正极；所述二极管D22的负极连接所述电解电容CE21的正极、所述电容C22和所述过流与短路保护模块的输入端；所述电解电容CE21的负极、所述电容C22的另一端并联接地；所述电阻R23的一端连接过流与短路保护模块的输出端，另一端连接电阻R24、所述升压芯片的反馈端和Η/V电压控制模块；所述电阻R24的另一端接地。较优的，所述Η/V电压控制模块包括:电阻R31，三极管Q31 ；所述三极管Q31的基极连接所述Η/V电压信号输入端，发射极接地，集电极连接电阻R31的一端；电阻R31的另一端连接所述升压模块。较优的，所述过流与短路保护模块包括:电阻R41、R42、R43、R44、R45，电容C41，三极管 Q4UQ42 ；所述电阻R41的一端连接所述升压模块及所述电阻R42的一端，另一端连接所述三极管Q41的发射极；所述电阻R42的另一端连接所述三极管Q41的基极、升压模块及22K信号控制模块；所述电阻R43的一端连接所述三极管Q41的集电极及电阻R44的一端；所述电阻R44的另一端连接所述电容C41及所述三极管Q42的基极；所述电容C41的另一端接地；所述三极管Q42的发射极接地，集电极连接所述电阻R45的一端；所述电阻R45的另一端连接所述过流与短路信号端。较优的，所述22K信号控制模块包括:电阻R51、R52、R53、R54，电容C51、C52，二极管 D51，PM0S 管 Q51，三极管 Q52 ；所述电阻R51的一端连接所述过流与短路保护模块的输出端、所述PMOS管Q51的源极及所述二极管D51的正极，另一端连接电阻R52的一端及所述PMOS管Q51的栅极；所述电阻R52的另一端连接三极管Q52的集电极；三极管Q52的发射极接地，基极连接电阻R53、电阻R54及电容C52的一端，所述电阻R53及电容C52的另一端并联接地；所述电阻R54的另一端连接所述22K信号输入端；所述PMOS管Q51的漏极连接所述二极管D51的负极、电容C51及所述LNB电压输出模块；所述电容C51的另一端接地。较优的，所述LNB电压输出模块包括:二极管D61,电阻R61,电容C61 ；所述二极管D61的正极连接所述22K信号控制模块，负极连接电阻R61、电容C61的一端及LNB电压输出端；所述电阻R61、电容C61的另一端并联接地。本技术还提供一种数字电视接收终端，包括CPU，还包括上述任意一项所述的电路。由于该LNB控制保护电路采用分立元器件搭建，结构简单，可灵活利用PCB上的空间，相对采用33V电压通过线性稳压器LM317转换到13/18V，效率更高，发热量更小，成本更低，可以有效的进行开机、升级过程中的短路保护与应用过程中的控制、过流与短路保护，有效的对LNB反向电压及LNB过流和短路进行保护。【附图说明】图1为本技术实施例提供的一种LNB控制保护电路的模块图；图2为本技术实施例提供的一种LNB控制保护电路的示意图；图3为本技术实施例提供的一种数字电视终端的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参考图1，图1为本技术提供的一种LNB控制保护电路的模块图，如图所示，该电路包括LNB开/关控制模块10，升压模块20，H/V电压控制模块30，过流与短路保护模块40，22K信号控制模块50，LNB电压输出模块60，以及LNB开/关信号端1，过流与短路信号端2, H/V电压信号输入端3,22K信号输入端4, LNB电压输出端5 ；LNB开/关控制模块10的输入端连接LNB开/关信号端1，输出端连接升压模块20的输入端；升压模块20的输出端接Η/V电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LNB控制保护电路，其特征在于，包括LNB开/关控制模块，升压模块，H/V电压控制模块，过流与短路保护模块，22K信号控制模块，LNB电压输出模块，以及LNB开/关信号端，过流与短路信号端，H/V电压信号输入端，22K信号输入端，LNB电压输出端；所述LNB开/关控制模块的输入端连接所述LNB开/关信号端，输出端连接所述升压模块的输入端；所述升压模块的输出端接所述H/V电压控制模块及所述22K信号控制模块；所述H/V电压控制模块连接所述H/V电压信号输入端；所述22K信号控制模块连接所述22K信号输入端及所述LNB电压输出模块；所述LNB电压输出模块连接所述LNB电压输出端。

【技术特征摘要】
1.一种LNB控制保护电路，其特征在于，包括LNB开/关控制模块，升压模块，Η/V电压控制模块，过流与短路保护模块，22K信号控制模块，LNB电压输出模块，以及LNB开/关信号端，过流与短路信号端，H/V电压信号输入端,22K信号输入端，LNB电压输出端； 所述LNB开/关控制模块的输入端连接所述LNB开/关信号端，输出端连接所述升压模块的输入端； 所述升压模块的输出端接所述Η/V电压控制模块及所述22K信号控制模块； 所述Η/V电压控制模块连接所述Η/V电压信号输入端； 所述22K信号控制模块连接所述22K信号输入端及所述LNB电压输出模块； 所述LNB电压输出模块连接所述LNB电压输出端。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述LNB开/关控制模块包括:电阻RH、R12、R13、R14、R15、R16，三极管 Qll, PMOS 管 Q12,电解电容 CElI,电容 Cll ； 所述电阻Rll的一端连接上拉电压，另一端连接电阻R12的一端；所述电阻R12的一端连接至所述LNB开/关信号端，另一端连接所述电阻R13的一端及所述升压模块；所述电阻R13的另一端连接所述三极管Qll的基极，所述三极管Qll的发射极接地，集电极连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端连接所述电阻R15的一端及所述PMOS管Q12的栅极；所述电阻R15的另一端连接LNB输入电压及所述PMOS管Q12的源极；所述PMOS管Q12的漏极连接所述电阻R16、电解电容CEll和电容Cll的一端，所述电阻R16、电解电容CEll和电容Cll的另一端并 联接地。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的升压模块包括:电阻R21、R22、R23、R24，二极管D21、D22，磁珠FB21，电感L21，电解电容CE21，电容C21、C22，以及升压芯片； 所述电阻R21的一端连接所述过流与短路信号端，另一端连接所述电阻R22的一端、所述二极管D21的负极及所述LNB开/关控制模块；所述电阻R22的另一端与所述二极管D21的正极并接接至所述电容C21及所述升压芯片的使能端；所述电容C21的另一端接地；所述磁珠FB21的一端连接所述升压芯片的输入端，另一端连接所述电感L21及所述LNB开/关控制模块的输出；所述电感L21的另一端连接所述升压芯片的开关信号端及所述二极管D22的正极；所述二极管D22的负极连接所述电解电容CE21的正极、所述电容C22和所述过流与短路保护模块的输入端；所述电解电容CE21的负极、所述电容C22的另一端并联接地；所述电阻R23的一端连接过流与短路保护模块的输出端，另一端连接电阻R24、所述升压...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭飞，胡海强，
申请(专利权)人：深圳市同洲电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44