【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有P型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P+型的槽形栅区，槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的电阻率为2‑9Ω·cm；所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的厚度为13‑40μm。
【技术特征摘要】
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