一种b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi2O5薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明专利技术可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明专利技术工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备方法，其特征在于包括在镀有Pt电极材料的基片上沉积出非晶态的BaTi2O5薄膜，然后放入炉内在电场辅助下退火。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊国，王传彬，王博，沈强，张联盟，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42