【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大孔薄膜的制备方法。
技术介绍
现有的三维有序大孔氧化锡薄膜一般都是通过以聚苯乙烯微球为模板,通过溶胶-凝胶法填充胶体晶体模板,之后通过干燥、烧结固化,得到三维有序大孔的SnO2薄膜。这种方法有一定的局限性,由于溶胶前驱物会首先在毛细作用力下渗透到模板的空隙中,进而原位形成凝胶,因此前驱物溶液的浓度及粘性会严重影响其填充的完整性和均匀性。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有的制备三维有序大孔SnO2薄膜的方法中有序微结构不容易精确控制的技术问题,提供了一种三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法。三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法按照以下步骤进行:一、将镍箔用体积浓度为10%~30%的盐酸溶液浸泡5~10s,然后用无水乙醇擦拭镍箔表面,然后将镍箔固定在玻璃基片上,得到镍片,用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液或体积浓度为10%的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片,得到生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片;二、使用直流电源,以锡片作为对比电极,以步骤一中生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极,在电解液中以6~10mA/cm2的沉积电流密度用恒电流进行电沉积10~90min,取出电沉积后的生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片,经自然风干,即得到三维有序大孔SnO2薄膜;步骤二中所述电解液由SnCl2、NaNO3、HNO3和HCl组成,电解液中SnCl2的浓度为10~30mmol/L,NaNO3的浓度为 ...
【技术保护点】
三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,其特征在于三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法按照以下步骤进行:一、将镍箔用体积浓度为10%~30%的盐酸溶液浸泡5~10s,然后用无水乙醇擦拭镍箔表面,然后将镍箔固定在玻璃基片上,得到镍片,用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液或体积浓度为10%的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片,得到生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片;二、使用直流电源,以锡片作为对比电极,以步骤一中生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极,在电解液中以6~10mA/cm2的沉积电流密度用恒电流进行电沉积10~90min,取出电沉积后的生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片,经自然风干,即得到三维有序大孔SnO2薄膜;步骤二中所述电解液由SnCl2、NaNO3、HNO3和HCl组成,电解液中SnCl2的浓度为10~30mmol/L,NaNO3的浓度为100mmol/L,HNO3的浓度为75mmol/L,HCl的浓度为32mmol/L。
【技术特征摘要】
1.三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,其特征在于三维有序大孔SnO2薄膜的制备方
法按照以下步骤进行:
一、将镍箔用体积浓度为10%~30%的盐酸溶液浸泡5~10s,然后用无水乙醇擦拭镍箔
表面,然后将镍箔固定在玻璃基片上,得到镍片,用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液或
体积浓度为10%的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片,得到生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍
片;
二、使用直流电源,以锡片作为对比电极,以步骤一中生长聚苯乙烯胶体晶体模板的
镍片作为工作电极,在电解液中以6~10mA/cm2的沉积电流密度用恒电流进行电沉积
10~90min,取出电沉积后的生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片,经自然风干,即得到三维
有序大孔SnO2薄膜;
步骤二中所述电解液由SnCl2、NaNO3、HNO3和HCl组成,电解液中SnCl2的浓度为
10~30mmol/L,NaNO3的浓度为100mmol/L,HNO3的浓度为75mmol/L,HCl的浓度为
32mmol/L。
2.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,其特征在于步骤
一中用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液处理镍片方法为:将聚苯乙烯水溶液倒入平底烧
杯中,再放入镍片,使聚苯乙烯水溶液的高度位于镍片的2/3处,然后将平底烧杯置于50℃
烘箱内烘干。
3.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法,其特征在于步骤
一中用体积浓度为10%的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片方法为:将镍片垂直浸泡于聚苯
乙烯无水乙醇溶液中10~20s后提出,重复操作3~5次,然后将镍片置于8...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵九蓬,王一博,李垚,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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