抑制脯氨酸羟化酶活性的化合物的稳定晶型及其应用制造技术

本发明专利技术涉及结构式I所示化合物的晶型、其制备方法包括中间体的制备、其药物组合物，以及上述晶型在治疗疾病、病症或病状的应用，或在制备治疗疾病、病症或病状的药物制剂中的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新化合物的多种晶型，以及它们在抑制脯氨酸羟化酶(prolyl hydroxylase)的活性中的应用。本专利技术也涉及应用上述至少一种晶型来调节体内HIF水平或活性，或治疗与体内HIF水平或活性提高或减低有关的疾病、病症或病状的方法。
技术介绍
细胞转录因子HIF(Hypoxia Inducible Factor，缺氧诱导因子)在很多生物体内对氧的动态平衡起着中心的作用，同时也是对缺氧响应的一个关键的调控因子。HIF的转录活性所调控的基因在血管生成、红细胞生成、血红蛋白F生成、能量代谢、炎症、血管舒缩功能调控、细胞凋亡和细胞增殖中都有着举足轻重的作用。HIF在癌症(一般在癌细胞中表达升高)以及在缺血和缺氧的生理响应中也起作用。HIF转录复合体包括αβ异二聚体(HIFαβ)：HIF-β是一个与氧调控的HIF-α亚基形成二聚体的基本的核蛋白。氧调控通过对HIF-α亚基的羟基化发生，其随后迅速被蛋白酶体破坏。在有充足氧的细胞中，pVHL蛋白(von Hippel-Lindau tumor suppressor protein)与羟基化的HIF-亚基结合以促进其泛素(ubiquitin)依赖的蛋白分解。这个过程在缺氧条件下会被抑制，HIF-α变得更稳定，并促进HIFαβ二聚体的转录和活化。HIF-α亚基的羟基化可以发生在脯氨酸和天冬氨酸残基上，并可以由一系列2-酮戊二酸依赖的酶来催化。这一系列酶包括羟基化人HIFl的Pro402和Pro564的HIF脯氨酸羟化酶(HIF prolyl hydroxylase isozymes，PHDs)，以及羟基化人HIFl的Asn803的HIF抑制因子(Factor Inhibiting HIF，FIH)。对PHDs或FIH的抑制会增加HIF的稳定性并更有利于其转录和活化。对PHDs的抑制也会促进HIF的稳定和HIF复合体的转录活化，这可以反过来为治疗缺血和贫血症状提供了一种可能。已有多篇专利申请保护了潜在PHDs抑制剂的化学结构式设计，参见WO2004108681、WO2007070359和WO2011006355。
技术实现思路
本专利技术涉及多种基本上纯的晶型，这些晶型为如下结构式I所示化合物多种晶型，本专利技术所述结构式I的化合物可以以一种或一种以上的晶型存在。本专利技术提供了结构式I所示化合物，即N-[(4-羟基-2-氧代-8(3-甲基苯)-2H-3-色烯基)羰基]甘氨酸的晶型。本专利技术提供了一种优选晶型-晶型I，其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ为7.1°、12.4°和20.2°的特征峰。本专利技术进一步提供了晶型I的优选实施方式。作为优选，上述晶型I中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ为7.1°、10.4°、12.4°、17.0°和20.2°的特征峰。作为优选，上述晶型I中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ为7.1°、8.4°、10.4°、12.4°、13.3°、17.0°、20.2°和27.6°的特征峰。作为优选，上述晶型I中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为及作为优选，上述晶型I具有基本如图1所示的X-射线粉末衍射图。表A总结了图1所示的X-射线粉末衍射图。表A：作为优选，该晶型I熔点为190～193℃。作为优选，该晶型I纯度≥85％。作为优选，该晶型I纯度≥95％。作为优选，该晶型I纯度≥99％。本专利技术还提供了晶型I的制备方法，包括如下的步骤：室温下将结构式I所示化合物先溶解于溶剂中，再挥发、沉淀即得最终的晶型，其中，所述溶剂选自丙酮、乙酸乙酯、异丙醇、或者丙酮／甲醇、丙酮／庚烷、丙酮／异丙醇、丙酮／乙酸异丙酯、四氢呋喃／甲醇、四氢呋喃／乙酸乙酯、四氢呋喃／庚烷、四氢呋喃／乙腈、四氢呋喃／异丙醇、四氢呋喃／甲基叔丁基醚或四氢呋喃／二氯甲烷的混合溶剂；或者，将过量的结构式I所示化合物在二氯甲烷或者水／丙酮或水／四氢呋喃的混合溶剂中，室温下悬浮搅拌48小时以上，或在庚烷、甲醇或水／四氢呋喃的混合溶剂中，50℃下悬浮搅拌48小时以上，即得最终的晶型。本专利技术提供了一种优选晶型-晶型II，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为6.5°、11.2°和18.4°的特征峰。本专利技术进一步提供了晶型II的优选实施方式。作为优选，上述晶型II中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为6.5°、9.3°、11.2°、15.4°和18.4°的特征峰。作为优选，上述晶型II中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为6.5°、9.3°、11.2°、13.0°、14.1°、15.4°、18.4°和24.6°的特征峰。作为优选，上述晶型II中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，上述晶型II具有基本如图2所示的X-射线粉末衍射图。表B总结了图2所示的X-射线粉末衍射图。表B：作为优选，该晶型II熔点为129～132℃。作为优选，该晶型II纯度≥85％。作为优选，该晶型II纯度≥95％。作为优选，该晶型II纯度≥99％。本专利技术还提供了上述晶型II的制备方法，包括如下的步骤：结构式I所示化合物先溶解于溶剂中，再挥发、沉淀，即得最终的晶型，其中所述溶剂选自二甲基甲酰胺或四氢呋喃／二甲基甲酰胺的混合溶剂。本专利技术进一步提供了结构式I所示化合物的一种优选晶型-晶型III，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为12.3°、16.6°和25.4°的特征峰。本专利技术进一步提供了晶型III的优选实施方式。作为优选，上述晶型III中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为12.3°、16.6°、21.8°、25.4°和29.2°的特征峰。作为优选，上述晶型III中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，其X射线粉末衍射谱图中具有衍射角2θ为12.3°、13.0°、16.6°、18.6°、21.8°、25.4°、26.9°和29.2°的特征峰；作为优选，上述晶型III中，衍射角2θ对应的晶面间距分别为和作为优选，上述晶型III具有基本如图3所示的X-射线粉末衍射图。表C总结了图3所示的X-射线粉末衍射图。表C：作为优选，该晶型III熔点为196～199℃。作为优选，该晶型III纯度≥85％。作为优选，该晶型III纯度≥95％。作为优选，该晶型III纯度≥99％。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
结构式I所示化合物的晶型，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.29 CN 201110215826.6;2011.08.02 CN 20111021.结构式I所示化合物的晶型，
2.根据权利要求1所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ
为7.1°、12.4°和20.2°的特征峰。
3.根据权利要求2所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和4.根据权利要求2所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ
为7.1°、10.4°、12.4°、17.0°和20.2°的特征峰。
5.根据权利要求4所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和6.根据权利要求2所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图具有衍射角2θ
为7.1°、8.4°、10.4°、12.4°、13.3°、17.0°、20.2°和27.6°的特征峰。
7.根据权利要求6所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为及8.根据权利要求1所述的结构式I所示化合物的晶型，其特征在于：具有基本如图
1所示的X-射线粉末衍射图。
9.根据权利要求1～8任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型熔点为190～193℃。
10.根据权利要求2～9任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥85％。
11.根据权利要求10所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥95％。
12.根据权利要求11所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥99％。
13.根据权利要求1所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为6.5°、11.2°和18.4°的特征峰。
14.根据权利要求13所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别

\t为和15.根据权利要求13所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为6.5°、9.3°、11.2°、15.4°和18.4°的特征峰。
16.根据权利要求15所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和17.根据权利要求13所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为6.5°、9.3°、11.2°、13.0°、14.1°、15.4°、18.4°和24.6°的特征峰。
18.根据权利要求17所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和19.根据权利要求1所述的结构式I所示化合物的晶型，其特征在于：具有基本如图
2所示的X-射线粉末衍射图。
20.根据权利要求1或13～19任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型熔点为
129～132℃。
21.根据权利要求13～20任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥85％。
22.根据权利要求21所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥95％。
23.根据权利要求22所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥99％。
24.根据权利要求1所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.3°、16.6°和25.4°的特征峰。
25.根据权利要求24所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和26.根据权利要求24所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.3°、16.6°、21.8°、25.4°和29.2°的特征峰。
27.根据权利要求26所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和28.根据权利要求24所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.3°、13.0°、16.6°、18.6°、21.8°、25.4°、26.9°和29.2°的特征峰。
29.根据权利要求28所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和30.根据权利要求1所述的结构式I所示化合物的晶型，其特征在于：具有基本如图
3所示的X-射线粉末衍射图。
31.根据权利要求1或24～30任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型熔点为
196～199℃。
32.根据权利要求24～31任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥85％。
33.根据权利要求32所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥95％。
34.根据权利要求33所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥99％。
35.根据权利要求1所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.5°、17.0°和22.3°的特征峰。
36.根据权利要求35所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和37.根据权利要求35所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为8.4°、12.5°、17.0°、18.1°和22.3°的特征峰。
38.根据权利要求37所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和39.根据权利要求35所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为8.4°、9.0°、11.3°、12.5°、17.0°、18.1°、22.3°和28.2°的特征峰。
40.根据权利要求39所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和41.根据权利要求1所述的结构式I所示化合物的晶型，其特征在于：具有基本如图
4所示的X-射线粉末衍射图。
42.根据权利要求1或35～41任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型熔点为
189～193℃。
43.根据权利要求35～42任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥85％。
44.根据权利要求43所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥95％。
45.根据权利要求44所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥99％。
46.根据权利要求1所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.3°、21.8°和27.6°的特征峰。
47.根据权利要求46所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和48.根据权利要求46所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为12.3°、16.8°、17.9°、21.8°和27.6°的特征峰。
49.根据权利要求48所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和50.根据权利要求46所述的晶型，其特征在于：其X射线粉末衍射谱图中具有衍射
角2θ为11.1°、12.3°、16.8°、17.9°、21.2°、21.8°、23.0°和27.6°的特征峰。
51.根据权利要求50所述的晶型，其特征在于：所述衍射角2θ对应的晶面间距分别
为和52.根据权利要求1所述的结构式I所示化合物的晶型，其特征在于：具有基本如图
5所示的X-射线粉末衍射图。
53.根据权利要求1或46～52任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型熔点为
192～195℃。
54.根据权利要求46～53任一项所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥85％。
55.根据权利要求54所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥95％。
56.根据权利要求55所述的晶型，其特征在于，所述晶型纯度≥99％。
57.结构式I所示化合物的的制备方法，其特征在于，包括如下的步骤：
化合物2的合成：
化合物1溶于乙酸中，搅拌，升温至75-85℃，缓慢滴加液溴，滴加完毕继续反应7-9
h，TLC监测反应至完全，冷却至室温，将反应液倒入4000mL饱和的亚硫酸氢钠(NaHSO3)

\t溶液中，过滤所得沉淀，水洗，60℃以下真空干燥得化合物2；
化合物3的合成：
惰性气体保护下，将化合物2、对甲基苯硼酸、四(三苯基膦)钯、N，N-二甲基甲酰
胺、碳酸钠水溶液混合，75-85℃反应10-14h，TLC监测反应至完全后，反应溶液冷却至
室温，加入水和乙酸乙酯，水相进一步用乙酸乙酯萃取三次，合并有机相，用饱和盐水洗
涤两次，用无水硫酸钠(Na2SO4)干燥，真空蒸馏除去乙酸乙酯，得粗品，粗品用甲醇重
结晶，得化合物3；
化合物4的合成：
将化合物3加入水中，加入甲酸铵和Pd／C(5％)，反应加热回流1.5-2.5h，冷却并除
去Pd／C后，反应混合物用乙酸乙酯萃取两次，合并有机相，用水和饱和盐水洗涤，无水
硫酸钠(Na2SO4)干燥，过滤，真空蒸馏除去溶剂得化合物4；
化合物5的合成：
将化合物4、乙酸酐和磷酸于45-55℃反应直到完成，然后冷却至室温，加水搅拌，升
温至45-55℃至水解完全，将反应混合物冷却并过滤，干燥所得固体得化合物5；
化合物6的合成：
将化合物5、1-羟基苯并三唑(HOBt)溶于四氢呋喃中，冷却至0℃以下，分批加入
二环己基碳二亚胺(DCC)，10℃以下搅拌10-14小时，滤除固体得滤液；将丙二酸二甲酯
溶于四氢呋喃中，首先加入氢化钠(70％水分散性油悬剂)，接着在搅拌下加入上述滤液，
混合物反应1-3小时，真空蒸馏除去四氢呋...

【专利技术属性】
技术研发人员：康心汕，龙伟，王飞，马存波，周刘峰，胡云雁，王燕萍，曹红，王印祥，谭芬来，
申请(专利权)人：北京贝美拓新药研发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11