本发明专利技术公开了一种增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,包括以下步骤:第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗;第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层;第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。与现有技术相比,本发明专利技术的有益效果是:先在钕铁硼永磁体表面电镀金属镍膜层,再通过蒸发镀膜的加工工艺在镍镀层表面镀上一层二氧化硅薄膜,可以有效地减少膜层孔隙率,使镀膜的表面变得致密,明显增强了钕铁硼永磁体的防腐性能,同时二氧化硅薄膜层的厚度不会明显增大,不会影响其磁性输出,并且在生产的过程中安全环保,符合国家的环保要求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,包括以下步骤:第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗;第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层;第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:先在钕铁硼永磁体表面电镀金属镍膜层,再通过蒸发镀膜的加工工艺在镍镀层表面镀上一层二氧化硅薄膜,可以有效地减少膜层孔隙率,使镀膜的表面变得致密,明显增强了钕铁硼永磁体的防腐性能,同时二氧化硅薄膜层的厚度不会明显增大,不会影响其磁性输出,并且在生产的过程中安全环保,符合国家的环保要求。【专利说明】
本专利技术属于材料的表面处理
,涉及。
技术介绍
钕铁硼磁铁的优点是性价比高,具良好的机械特性;不足之处在于居里温度点低,温度特性差,且易于粉化腐蚀,必须通过调整其化学成分和采取表面处理方法使之得以改进,才能达到实际应用的要求。钕铁硼永磁体中的钕是一种稀土元素,化学活性很强,在空气中容易被氧化,耐蚀性差,并且在钕铁硼永磁材料中富B相、富Nd相、Nd2Fe14B相的电化学电位各不相同,富Nd相和富B相电极电位低于基体Nd2Fe14B相,在湿热的环境中形成电化学微电池,富Nd相和富B相首先被腐蚀,严重时,产生大量Nd的氧化物和氢化物使材料粉化,从而导致磁体的性能下降。所以一般都在钕铁硼永磁体的表面镀上防腐层。钕铁硼永磁体上的防腐镀层大多是镍镀层,镍镀层是阴极性镀层,无电化学保护作用,当镀层存在孔隙时,基体会首先受到腐蚀,因而只有镀层在致密无孔的情况下才起到保护作用。镀层越薄,孔隙率就越高,要保证镍镀层的防腐蚀性,一般情况下镀层要达到20um以上。但是金属镍膜层太厚会屏蔽钕铁硼永磁体的磁性输出,影响其使用效果。
技术实现思路
本专利技术需要解决的上述问题是针对上述现有技术镀层薄,孔隙率高,防腐蚀性差;镀层厚会屏蔽钕铁硼永磁体的磁性输出,影响其使用效果的不足,而提供一种镀层薄而且防腐蚀性能强的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是: ,包括以下步骤: 第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗; 第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层; 第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,前处理的加工工艺为,先用丙酮溶液超声清洗钕铁硼永磁体20分钟-25分钟,取出后再用无水乙醇超声清洗10分钟-15分钟,吹干备用。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,电镀金属镍膜层的加工工艺为,把清洗好的钕铁硼永磁体置于镀镍溶液之中,在温度为:45°C -55°C,pH=4.0-5.0的条件下进行电镀镍,电流密度为lA/dm2-l.2A/dm2,电镀时间为30min_45min。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,镀二氧化硅薄膜采用的加工工艺为蒸发镀膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的蒸发镀膜加工工艺为,用真空电子束蒸发镀膜机,钕铁硼永磁体的温度控制在2 20°C -2 50°C,真空度保持在6.67 X KT3Pa-L 07 X 10_2Pa,电子枪的轰击电流控制在4.0A-4.5A之间,加速极电压3000V-3200V,在此条件下进行蒸发镀膜20秒-25秒。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的二氧化硅薄膜层的厚度为50nm_80nmo 与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:先在钕铁硼永磁体表面电镀金属镍膜层,再通过蒸发镀膜的加工工艺在镍镀层表面镀上一层二氧化硅薄膜,可以有效地减少膜层孔隙率,使镀膜的表面变得致密,明显增强了钕铁硼永磁体的防腐性能,同时二氧化硅薄膜层的厚度不会明显增大,不会影响其磁性输出,并且在生产的过程中安全环保,符合国家的环保要求。【具体实施方式】下面详细说明本专利技术的优选技术方案。实施例1 ,包括以下步骤: 第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗; 第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层; 第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,前处理的加工工艺为,先用丙酮溶液超声清洗钕铁硼永磁体20分钟,取出后再用无水乙醇超声清洗10分钟,吹干备用。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,电镀金属镍膜层的加工工艺为,把清洗好的钕铁硼永磁体置于镀镍溶液之中,在温度为:50°C,pH=4.5的条件下进行电镀镍,电流密度为I A/dm2,电镀时间为30min。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,镀二氧化硅薄膜采用的加工工艺为蒸发镀膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的蒸发镀膜加工工艺为,用真空电子束蒸发镀膜机,钕铁硼永磁体的温度控制在220°C,真空度保持在8 X 10?,电子枪的轰击电流控制在4.0A之间,加速极电压3000V,在此条件下进行蒸发镀膜20秒。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的二氧化硅薄膜层的厚度为50nm,膜层厚度较薄,不会影响钕铁硼永磁体的磁性输出。实施例2 ,包括以下步骤: 第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗; 第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层; 第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,前处理的加工工艺为,先用丙酮溶液超声清洗钕铁硼永磁体20分钟,取出后再用无水乙醇超声清洗15分钟,吹干备用。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,电镀金属镍膜层的加工工艺为,把清洗好的钕铁硼永磁体置于镀镍溶液之中,在温度为:48°C,pH=4.3的条件下进行电镀镍,电流密度为lA/dm2,电镀时间为35min。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,镀二氧化硅薄膜采用的加工工艺为蒸发镀膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的蒸发镀膜加工工艺为,用真空电子束蒸发镀膜机,钕铁硼永磁体的温度控制在220°C,真空度保持在1.0X 10_2Pa,电子枪的轰击电流控制在4.5A之间,加速极电压3100V,在此条件下进行蒸发镀膜25秒。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的二氧化硅薄膜层的厚度为80nm,膜层厚度较薄,不会影响钕铁硼永磁体的磁性输出。实施例3 ,包括以下步骤: 第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗; 第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层; 第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,前处理的加工工艺为,先用丙酮溶液超声清洗钕铁硼永磁体 25分钟,取出后再用无水乙醇超声清洗15分钟,吹干备用。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,电镀金属镍膜层的加工工艺为,把清洗好的钕铁硼永磁体置于镀镍溶液之中,在温度为:53°C,pH=4.6的条件下进行电镀镍,电流密度为1.lA/dm2,电镀时间为40min。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,镀二氧化硅薄膜采用的加工工艺为蒸发镀膜。所述的增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,所述的蒸发镀膜加工工艺为,用真空电子束蒸发镀膜机,钕铁硼永磁体的温度控制在250°C,真空度保持在7.15X 10?,电子枪的轰击电流控制在4.0A之间,加速极电压3000V本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种增强钕铁硼永磁体防腐性能的方法,其特征在于:包括以下步骤:第一步:前处理,将钕铁硼永磁体进行除油、漂洗;第二步:电镀金属镍膜层,在钕铁硼永磁体表面镀上一层金属镍膜层;第三步:在金属镍膜层表面再镀一层二氧化硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:邵志雄,顾欢,高雄虎,
申请(专利权)人:湖北桑夏太阳能产业有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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