一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同。本实用新型专利技术具有结构简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同。本技术具有结构简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。【专利说明】—种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构
:本技术属于一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构。
技术介绍
:GaN材料具有良好的电学特性，如宽的禁带宽度、高击穿电场、较高的热导率、耐腐蚀、抗辐射等，被誉为第三代半导体材料，尤其是其与AlGaN等材料形成的异质结构晶体管(HEMT)在异质结界面处存在高浓度、高迁移率的二维电子气，在制作高频、高温、高压、高功率电子器件和微波器件等方面有着巨大的优势和应用前景。近年来，国内外研究人员对HEMT器件开展了广泛深入的研究，并取得了长足的进展。尽管GaN基HEMT器件在高温、高频及高功率微波器件方面有着得天独厚的优势，然而可靠性问题是影响其实现大规模商业化应用的一个重要障碍，而其中栅泄漏电流则是引起可靠性问题的一个重要因素。通常，HEMT器件选用金属作为栅极材料，这种金属/半导体形成的肖特基栅往往会形成明显的栅泄漏电流，进而影响HEMT器件的电学性能及长期可靠性。比如，增加HEMT器件在低频下的噪声和静态功耗、诱发电流崩塌现象、减小器件效率以及降低HEMT器件的击穿电压进而降低输出功率等。因此，针对HEMT器件栅泄漏电流的研究非常重要。由于HEMT器件的结构特点，其栅泄漏电流往往包括三个部分:体泄漏电流Ibulk、表面泄漏电流Isurt (如图1所示)以及台面边缘泄漏电流，其中台面边缘泄漏电流目前已能通过特殊工艺可以实现控制，因而前两种泄漏电流在栅泄漏电流中占主导地位。体泄漏电流与表面泄漏电流的形成机制各不一样，因此为了有针对性地开展相关研究，势必要对这两部分电流进行定量分离。然而到目前为止，常规的测试结构往往不能对它们实现定量分离，只能进行笼统的测试。近年来，有研究人员提出了基于双栅的HEMT器件肖特基栅电流分离结构。该结构通过在栅极与漏极欧姆接触之间增加一个电极来分离出表面泄漏电流。然而该结构使得它与常规HEMT器件在结构上有所区别，不便于用来研究HEMT器件在实际工作状态下的电学性能及退化情况。总的来说，到目前为止，并没有特别有效的针对HEMT器件肖特基栅泄漏电流进行定量分离的方法。这也给HEMT器件相关的材料生长与器件工艺优化，以及器件失效机理研究及性能评估等进一步研究带来一定的困难。
技术实现思路
:本技术目的在于提供一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，为HEMT器件材料生长与器件工艺优化，以及缺陷表征、可靠性评估等提供帮助。为了解决
技术介绍
所存在的问题，本技术采用以下技术方案:一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容:第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包括一个栅电极和一个欧姆电极；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍； 两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同。该结构用于HEMT栅泄漏电流分离时，步骤包括:(I)保持欧姆电极接地的同时，分别在上述两个器件的栅极施加负向电压，同时在栅极串入一个电流表，测量在同一电压下每个电容的栅极电流的大小。(2)根据栅极电流的测试结果，结合两个器件栅结构尺寸的差异，通过对比及数值计算等方法，实现HEMT器件肖特基栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的定量分离。进一步地，步骤(2)中，对于第一个肖特基电容，假设在某栅压Vg偏置下，体泄漏电流及表面泄漏电流分别记为Ibulk及Ismf，它们之和为测量得到的结果Igil，其关系如下面公式(I)所示；而对于第二个肖特基电容，同样的栅压Vg偏置下，体泄漏电流大小应为0.5Ibulk，表面泄漏电流大小仍为Isurf，它们之和为实际测量得到的肖特基栅泄漏电流Ig,2，其关系如下面公式(2)所示；I&1=Ibulk+Isurt 公式(I)Ig，2-0.5Ibulk+Isurf 公式(2)联立上述公式(I) (2)，可以计算得到:Ibuik_2 (Ig; 1-1gj 2)1耐=218’2-1&1。本技术对比现有技术有如下的有益效果:本技术提出的电流分离结构简单、易于实现，适用于任意常规HEMT器件；使用常规的半导体参数测试设备，仅仅通过在两个肖特基栅电容上的电学测量，结合简单的数值计算，即可获得HEMT器件肖特基栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的大小。因此，具有结构和方法简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。【专利附图】【附图说明】:图1为环形结构HEMT中栅泄漏电流组分示意图；图2为常用HEMT器件栅泄漏电流测试结构电路示意图；图3为本技术所采用的圆形肖特基栅电容结构示意图；图4为基于本技术测试结构的测试结果示意图；图5为基于本技术的测试结构实现的泄漏电流分离结果示意图；图6为不同栅电极-欧姆电极距离对表面泄漏电流的影响示意图。【具体实施方式】:下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步描述:图1是环形结构HEMT中栅泄漏电流组分示意图，(a)剖面图，(b)顶视图。典型的环形结构HEMT包括两个电极:肖特基栅电极(Schottky Gate)与欧姆电极(Ohmic)。HEMT器件的栅泄漏电流是影响器件特性的重要因素。如图(a)所示，HEMT器件栅泄漏电流主要包括两部分:肖特基栅与欧姆接触之间的横向表面泄漏电流(Isurf)与垂直于肖特基栅表面通过势垒层而形成的体泄漏电流(Ibulk);图(b)为环形HEMT结构的顶视图，表面泄漏电流Ismf主要由肖特基栅与欧姆电极之间的高电场产生。本技术基于常规HEMT材料结构，采用圆形肖特基栅电容，外围为环形欧姆电极，因此此结构的肖特基栅泄漏电流中不存在常规HEMT器件中的刻蚀台面泄漏电流，栅泄漏电流主要由体泄漏电流Ibulk与表面泄漏电流Isurf两部分组成。图2是常用HEMT器件栅泄漏电流测试结构电路示意图。测量中，通常保持欧姆电极接地，在栅极串入一电流表，并施加负向电压vg，记录对应的电流，即为栅泄漏电流Ig，其包含体泄漏电流(Ibulk)与表面泄漏电流(Isurf)两部分。图3是本技术所采用的环形肖特基电容结构示意图。其结构主要包括两个独立的环形肖特基电容。每个电容包括一个栅电极，一个欧姆电极。对于第一个肖特基电容(电容-1)，其肖特基栅为圆形，半径为R1，因此其面积为R12,周长为2 JiRltj第二个肖特基电容(电容-2)，其肖特基栅为环形(中间部分没有淀积栅金属)，栅的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，其特征在于，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容； 每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极； 第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍； 两个肖特基电容的栅极‑欧姆电极之间的距离相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑雪峰，范爽，郝跃，王冲，孙伟伟，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61