本实用新型专利技术涉及一种圆片级封装工艺用治具，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。本实用新型专利技术针对圆片级封装晶圆减薄，只有微小翘曲的情况下，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装晶圆的测试划片等方面的要求，提供了圆片减薄用治具。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种圆片级封装工艺用治具，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。本技术针对圆片级封装晶圆减薄，只有微小翘曲的情况下，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装晶圆的测试划片等方面的要求，提供了圆片减薄用治具。【专利说明】圆片级封装工艺用治具
本技术涉及划片用治具，尤其涉及一种圆片级封装工艺用治具。
技术介绍
工艺近年来，半导体器件在成本降低和前道晶圆制造工艺的提升的共同促进下，实现了同样功能的半导体器件的单体芯片尺寸越来越小的目标，这样对半导体器件散热要求越来越高，同时也需要半导体器件越来越薄，原来的圆片级封装工艺晶圆减薄工艺无法满足薄形化和高散热的要求，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装工艺测试划片要求。
技术实现思路
在下文中给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。本技术提供一种圆片级封装工艺用治具，包括:设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。本技术针对圆片级封装晶圆减薄，只有微小翘曲的情况下，现有的测试划片治具无法满足超薄形圆片级封装晶圆的测试划片等方面的要求，提供了圆片级封装工艺用治具。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术圆片级封装工艺用治具截面图；图2为本技术圆片级封装环状减薄后截面图；图3为本技术环状减薄圆片放置于治具上的工作截面图。附图标记: 303-载片台； 304-微型切割槽； 305-中空接头；306a-真空孔； 306-真空管路。【具体实施方式】为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种圆片级封装工艺用治具，如图1所示为圆片减薄用治具的截面图，包括:设置有多个真空孔306a的载片台303，真空管路306和中空接头305 ;所述真空孔306a下方设置有真空管理306 ;所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔306a连通，所述主管路上设置有中空接头305，所述中空接头305与外部真空系统连接、并通过所述真空管路306与所述真空孔306a连通。本技术提供的圆片级封装工艺用治具能够满足超薄形圆片级封装晶圆的在测试划片等方面的要求。本技术所述的圆片级封装工艺用治具为倒T型结构，如图1所示，载片台303为所述圆片减薄用治具的框架，为倒T型结构，上部较窄的部分用于放置减薄前的圆片，对放置在载片台上的圆片进行减薄；还可以用于放置减薄后的圆片。本技术所述对圆片进行的减薄是对圆片的背面选择性环状减薄，将圆片背面用球状齿轮进行打磨，形成周边厚中间薄的环状的结构，如图2所示。减薄后的圆片还需要对芯片进行测试封装和圆片上单体芯片的切割等步骤，将减薄后的圆片放置在圆片级封装工艺用治具上，将圆片减薄后的一面向下，卡接在载片台303上，如图3所示。减薄后的圆片放置在载片台上，对圆片上的芯片，芯片上的凸点进行测试，然后进行封装和切割等工艺，上述的圆片在极限减薄后达到了只有微小翘曲的目标，在此目标上所提供的圆片减薄治具可以使得圆片减薄更加的方便，并且很多相应的步骤也都可以在此圆片级封装工艺用治具上完成。可选的，所述载片台上还设置有多个微型切割槽，在载片台303上设置有多个微型切割槽304，如图1所示，所述微型切割槽304分布在载片台303的上表面，并且是均匀分布，这些微型切割槽与要减薄的圆片上的划片槽一一对应，即与单体芯片的划片槽一一对应。减薄的圆片上设置有划片槽，用于在圆片减薄后将圆片上的芯片分割开来，用刀具将圆片沿着划片槽切割，在载片台上设置微型切割槽304，可以在切割的时候保护载片台表面。可选的，所述多个微型切割槽304成矩阵排列。在实际使用过程中，所述微型切割槽304与圆片上的单体芯片的划片槽一一对应，所述圆片上的划片槽呈矩阵排列，为了将矩阵排列的芯片切割开，所以相应的微型切割槽也成矩阵排列，便于圆片的切割和对载片台上表面的保护。可选的，相邻所述微型切割槽之间设置有真空孔，如图1所示，在载片台303上表面的微型切割槽304之间，相邻的微型切割槽之间设置有真空孔306a，相比较微型切割槽，真空孔较大，所述真空孔306a下有真空管路306，真空管路306还与中空接头305相连，所述中空结头305在载片台下半截较宽部分的上表面，所述中空结头305与外部的真空系统相连接，外部的真空系统开启将真空管路306中抽成近似真空状态，放置在载片台上的圆片因此可以牢牢吸附在载片台的上表面。每个真空孔306a的下面都设置有真空管路，所述真空管路包括横向的主管路和竖直方向的多个支路，每个支路的一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通。主管路上设置有中控接头305，所述中空接头305与外部真空系统连接，如图1所示。对圆片的减薄是通过球状齿轮对圆片的背面进行打磨，打磨的时候需要将圆片进行固定，圆片的上表面形成有凸点，为了在打磨的时候对芯片及芯片上的凸点进行保护，需要在有凸点的一面形成保护膜203，将有保护膜203的一面向下，放置在载片台上，通过中空接头305与外界真空系统相连接，所述真空系统工作，将真空管路306中抽成真空状态，待减薄的圆片就牢牢吸附在载片台的上表面，接下来通过球状齿轮对圆片进行减薄。因为通过真空孔和真空管路将圆片吸附在载片台上，所以可以对圆片进行精确地操作。相对的，圆片上表面贴有的保护膜203的表面相对要较为平整，圆片吸附在载片台上才能吸附的较为牢固。待圆片减薄后，形成如图2所示的形状后，将减薄后的圆片反过来，贴有保护膜203的一面向本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种圆片级封装工艺用治具，其特征在于，包括：设置有多个真空孔的载片台，真空管路和中空接头；所述真空孔下方设置有真空管路；所述真空管路包括主管路和多个支路，每个支路一端与所述主管路连通、另一端与真空孔连通，所述主管路上设置有中空接头，所述中空接头与外部真空系统连接、并通过所述真空管路与所述真空孔连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施建根，吴谦国，陈文军，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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