【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于MEMS惯性传感器生产及晶圆级封装工艺,其步骤如下:1)工程化的绝缘硅形成(Engineered‑SOI wafer):a、首先用硅托衬晶圆(handle wafer)《5》,背面蚀刻定位对准标记(第一光刻版),然后在晶片正面采用等离子体工艺刻蚀沟槽《1》(第二光刻板);通过热氧化工艺生长一层氧化膜《7》;用硅镕键合工艺与另外一片微机电器件晶圆(MEMS device wafer)《4》键合为一体;b、在微机电器件晶圆面进行磨削到理想厚度;2)用等离子体蚀刻工艺在微机电器件晶圆上面形成围沟(第三光刻板),然后气相沉积一层锗或者硅《6》用于以后的晶圆键合,对锗或者硅薄镆与围沟对应作光刻图形(第四光刻板)以及等离子体刻蚀去掉不需要的锗,最后用DRIE工艺完成MEMS结构的刻蚀(第五光刻板);3)在标准ASIC带工厂生产ASIC晶圆《2》;《3》是ASIC面的焊锡位(bondpads);然后在此晶圆上进行以下加工工艺:a、在有电路的ASIC正面光刻硅通孔(TSV)(第六光刻板),用DRIE工艺蚀刻足够深的沟槽,其深度为100‑150微米,按照标准TSV工序对沟槽进行氧化物,金属的填充 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:韩华,邹波,
申请(专利权)人:深迪半导体上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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