一种触控基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种触控基板的制备方法，以解决驱动电极和/或感应电极的辅助导线的宽度不足，从而导致通过并联辅助导线降低感应电极和/或驱动电极的电阻时效果不理想，不能较好的提高电容式触摸显示屏的触控灵敏度的问题。该方法包括：在衬底基板的一侧面形成遮光层；在所述衬底基板的另一侧面形成透明的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜用于制备辅助导线层；以所述遮光层作为掩膜图案，通过构图工艺使所述第一导电薄膜形成辅助导线层；在完成上述步骤的基板上设置所述驱动电极或所述感应电极。

【技术实现步骤摘要】
一种触控基板的制备方法
本专利技术涉及触摸屏
，尤其涉及一种触控基板的制备方法。
技术介绍
目前，触摸显示屏已经成为未来的发展趋势。电容式触摸显示屏的触控电极包括感应电极和驱动电极，感应电极和驱动电极通常较宽（例如，感应电极和驱动电极覆盖到像素开口区域），以保证对触摸动作的感应效果。感应电极和驱动电极具有一定的电阻，降低感应电极和驱动电极的电阻有利于提高触控灵敏度，例如：可以在感应电极和驱动电极的宽度不变的情况下增加其厚度以降低其电阻，或者在感应电极和驱动电极的厚度不变的情况下增加其宽度以降低其电阻。但是，感应电极和驱动电极的宽度并不能随意改变，否则影响触控效果，而采用增加感应电极和驱动电极的厚度来降低感应电极和驱动电极的电阻时，又由于感应电极和驱动电极覆盖到像素开口区域，可能导致电容式触摸显示屏的光透过率不符合要求。为了解决上述问题，现有技术中在感应电极和/或驱动电极下方增加辅助导线，多条辅助导线形成辅助导线层；辅助导线与感应电极和/或驱动电极并联，从而降低感应电极和/或驱动电极组电阻。但是，刻蚀该辅助导线时会存在对位误差，为了使辅助导线的宽度不会覆盖到像素开口区域而影响电容式触摸显示屏的光透过率，只能将辅助导线的宽度制备成小于遮光层的宽度。通过该方法得到的辅助导线的宽度与遮光层的图形的宽度有一定的差值，感应电极和/或驱动电极降低电阻的效果并不理想，不能较好的提高电容式触摸显示屏的触控灵敏度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种触控基板的制备方法，以解决驱动电极和/或感应电极的辅助导线的宽度不足，从而导致通过并联辅助导线降低感应电极和/或驱动电极的电阻时效果不理想，不能较好的提高电容式触摸显示屏的触控灵敏度的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术实施例提供一种触控基板的制备方法，用于在一衬底基板上形成驱动电极和感应电极；方法包括：在衬底基板的一侧面形成遮光层；在所述衬底基板的另一侧面形成透明的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜用于制备辅助导线层；以所述遮光层作为掩膜图案，通过构图工艺使所述第一导电薄膜形成辅助导线层，所述辅助导线层上的图形的宽度与所述遮光层上的图形的宽度大体相同；在所述衬底基板上形成所述驱动电极和所述感应电极。本专利技术实施例有益效果如下：通过使遮光层和辅助导线形成于衬底基板不同侧面，以遮光层用为掩膜图案制备该辅助导线，从而使辅助导线的宽度与遮光层的宽度相同，该辅助导线与感应电极和/或驱动电极并联，降低感应电极和/或驱动电极的电阻，提高电容式触摸显示屏的触控灵敏度。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种触控基板的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例以遮光层为掩膜图案，通过构图工艺使第一导电薄膜形成辅助导线层的流程图；图3为本专利技术实施例在衬底基板1的一个侧面形成有遮光层2的示意图；图4为本专利技术实施例在衬底基板1的另一侧面形成有第一导电薄膜3的示意图；图5为本专利技术实施例在第一导电薄膜3之上涂覆有光刻胶薄膜4的示意图；图6为本专利技术实施例中以遮光层1为掩膜图形对图5所示的光刻胶薄膜4进行曝光的示意图；图7为本专利技术实施例光刻胶薄膜4上形成与遮光层1相同图形的示意图；图8为本专利技术实施例在图7所示的第一导电薄膜3上形成辅助导线层5的示意图；图9为本专利技术实施例清除光刻胶薄膜4后的辅助导线层5的示意图；图10为本专利技术实施例在辅助导线层5之上形成有触控电极6的示意图；图11为本专利技术实施例在图9所示的辅助导线层5之上涂覆一透明导电薄膜的示意图；图12为本专利技术实施例在透明导电薄膜8上形成光刻胶薄膜9的示意图；图13为本专利技术实施例通过构图工艺使光刻胶薄膜9形成触控电极6的图形的示意图；图14为本专利技术实施例通过构图工艺使透明导电薄膜8未被光刻胶薄膜9遮挡的区域被刻蚀掉，形成触控电极6的图形的示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本专利技术实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。参见图1，本专利技术实施例提供一种触控基板的制备方法，用于在一衬底基板上形成驱动电极和感应电极，方法包括如下步骤：101、在衬底基板的一侧面形成遮光层。通常遮光层设置于衬底基板的一个侧面上，该衬底基板通常为制备彩膜基板的玻璃基板，遮光层可以位于该衬底基板靠近液晶的一侧面，也可以位于观看侧。当设置遮光层的彩膜基板与阵列基板对盒设置时，遮光层用于遮挡阵列基板上所布设的数据线、栅线和/或公共电极线等金属导线。本实施例中，遮光层优选设置于靠近液晶一侧。优选的，遮光层为黑矩阵。102、在衬底基板的另一侧面形成透明的第一导电薄膜，第一导电薄膜用于制备辅助导线层。需要说明的是，为了使第一导电薄膜形成的辅助导线与驱动电极和/感应电极并联后，能够较好的降低驱动电极和/或感应电极的电阻，该第一导电薄膜的材料小于或等于驱动电极和感应电极的材料。优选的，该第一导电薄膜的材料为低阻的透明导电薄膜（TCF）材料。透明导电薄膜材料有如下可能的选择，例如铟锡氧化物（ITO），又例如铝氧化锌（AZO），又例如镓氧化锌（GZO）。上述的低阻的透明导电薄膜材料仅为了对本实施例进行说明，本专利技术并不以此为限。103、以遮光层作为掩膜图案，通过构图工艺使第一导电薄膜形成辅助导线层，辅助导线层上的图形的宽度与遮光层上的图形的宽度相同。应该了解的是，所形成的辅助层线具有多条辅助导线，该辅助导线层的图形的宽度即为辅助导线的宽度。同时，遮光层包括多条遮光条，该遮光层上图形的宽度即为遮光条的宽度。参见图2所示，以遮光层为掩膜图案，通过构图工艺使第一导电薄膜形成辅助导线层，具体包括：201、在第一导电薄膜之上涂覆光刻胶薄膜。202、令曝光光线由遮光层所在的侧面射入，并由第一导电薄膜所在的侧面射出，使光刻胶薄膜未被遮光层遮挡的区域曝光。本步骤中，由于遮光层的不透光性，曝光光线由遮光层所在的侧面射入时，遮光层所遮挡的部分区域不会被曝光光线照射，而未被遮光层遮挡的区域被曝光光线照射，从而实现以遮光层为掩膜图形。203、通过显影、清洗工艺，使光刻胶薄膜上形成与遮光层相同的图形。204、通过刻蚀工艺，使第一导电薄膜形成辅助导线层。优选的，光刻胶薄膜为正性光刻胶。本实施例中，采用正性光刻胶，在后续的曝光过程中，光线透过透明的第一导电薄膜对光刻胶薄膜进行构图，使需要保留的光刻胶薄膜之外的部分成为正性光刻胶。通过以遮光层为掩膜图案，可以得到与遮光层的图形的宽度大体相同或完全相同的辅助导线层的图形的宽度，即辅助导线的宽度与遮光条的宽度大体相同或完全相同。本实施例中，利用遮光层作为掩膜图案，其一，不需要额外提供掩膜版，而是以遮光层作为自我对准和对辅助导线的宽度进行限定，经过一次曝光、显影、刻蚀工艺可以得到与遮光层的图形的位置相同及宽度大体相同或完全相同的辅助导线；其二，不必考虑辅助导线的宽度超出遮光层的图形的宽度，且最大化的得到辅助导线的宽度。104、在完成上述步骤103的衬底基板上形成驱动电极和/或感应电极。可以在完成辅助导线层的衬底基板上仅形成驱动电极，也可以仅形成感应电极，也可以形成驱动电极和感应电极。例如，仅在完成完成辅助导线层的衬底基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控基板的制备方法，用于在一衬底基板上形成驱动电极和感应电极；其特征在于，所述方法包括：在所述衬底基板的一侧面形成遮光层；在所述衬底基板的另一侧面形成透明的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜用于制备辅助导线层；以所述遮光层作为掩膜图案，通过构图工艺使所述第一导电薄膜形成辅助导线层；在所述衬底基板上形成所述驱动电极和所述感应电极。

【技术特征摘要】
1.一种触控基板的制备方法，用于在一衬底基板上形成驱动电极和感应电极；其特征在于，所述方法包括：在所述衬底基板的一侧面形成遮光层；在所述衬底基板的另一侧面形成透明的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜用于制备辅助导线层；以所述遮光层作为掩膜图案，通过构图工艺使所述第一导电薄膜形成辅助导线层，其中，所述辅助导线层上的图形的宽度与所述遮光层上的图形的宽度大体相同；在所述衬底基板上形成所述驱动电极和所述感应电极。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述遮光层为掩膜图案，通过构图工艺使所述第一导电薄膜形成辅助导线层，包括：在所述第一导电薄膜之上涂覆光刻胶薄膜；令曝光光线由所述遮光层所在的侧面射入，并由所述第一导电薄膜所在的侧面射出，使所述光刻胶薄膜未被所述遮光层遮挡的区域曝光；通过显影、清洗工艺，使所述光刻胶薄膜上形成与所述遮光层相同的图形；通过刻蚀工艺，使所述第一导电薄膜形成所述辅助导线层。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述形成所述驱动电极和所述感应电极的步骤，包括：在所述辅助导线层之上形成第二导电薄膜，通过构图工艺使所述第二导电薄膜仅形成所述驱动电极，所述驱动电极与所述辅助导线层直接接触；通过刻蚀工艺清除所述辅助导线层未被所述驱动电极覆盖的区域；在完成上述步骤的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥建，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31