发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光元件、发光元件阵列与发光元件的制造方法。发光元件包括透光基板、第一电极、第二电极、发光二极管晶片、反射杯以及透光封装材料。第一电极配置于透光基板上。发光二极管晶片接触第一电极与第二电极。反射杯配置于透光基板上并罩覆发光二极管晶片与第一电极。透光封装材料填充于透光基板、反射杯与发光二极管晶片的侧壁之间。

【技术实现步骤摘要】
发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法
本专利技术是有关于一种发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法，且特别是有关于一种可提高发光效率以及发光区的亮度均匀性的发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法。
技术介绍
随着半导体科技的进步，现今的发光二极管已具备了高亮度的输出，再加上发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝高功率发展，因此其应用领域已扩展至道路照明、大型户外看板、交通号志灯及相关领域。如今，发光二极管已成为兼具省电及环保功能的主要照明光源以及常用的显示元件。然而，就现有以发光二极管作为光源的发光元件的结构而言，较不易将发光二极管发出的光线收敛集中。因此，如何提高发光元件的发光效率以及发光区的亮度均匀性，已成为亟待解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件、发光元件阵列以及发光元件的制造方法，有助于提高发光效率以及发光区的亮度均匀性。本专利技术提出一种发光元件，其包括透光基板、第一电极、第二电极、发光二极管晶片、反射杯（reflector）以及透光封装材料。第一电极配置于透光基板上。发光二极管晶片接触第一电极与第二电极。反射杯配置于透光基板上并罩覆发光二极管晶片与第一电极。透光封装材料填充于透光基板、反射杯与发光二极管晶片的侧壁之间。本专利技术提出一种发光元件阵列，其包括透光基板、多个第一电极、多个第二电极、多个发光二极管晶片、多个反射杯以及多个透光封装材料。这些第一电极配置于透光基板上。各个发光二极管晶片接触一个第一电极与一个第二电极。这些反射杯配置于透光基板上并罩覆一个发光二极管晶片与一个第一电极。透光封装材料填充于基板、一个反射杯与一个发光二极管晶片的侧壁之间。本专利技术提出一种发光元件的制造方法，其包括以下步骤。首先，在透光基板上形成第一电极。接着，在第一电极上配置发光二极管晶片。接着，在透光基板上填充透光封装材料并环绕发光二极管晶片的侧壁。之后，第二电极与一反射杯形成于发光二极管晶片上，其中第二电极接触发光二极管晶片，反射杯并罩覆发光二极管晶片、透光封装材料与第一电极。本专利技术另提出一种发光元件，其包括透光基板、第一电极、第二电极、发光二极管晶片以及波长转换层。第一电极配置于透光基板上。发光二极管晶片配置于第一电极与第二电极之间并电性连接两者。波长转换层配置于第一电极与发光二极管晶片之间并电性连接两者，或配置于第二电极与发光二极管晶片之间并电性连接两者。本专利技术另提出一种发光元件阵列，其包括透光基板、多个第一电极、多个第二电极、多个发光二极管晶片以及多的波长转换层。这些第一电极配置于透光基板上。这些发光二极管晶片分别配置于一个第一电极与一个第二电极之间并电性连接两者。波长转换层配置于一个第一电极与一个发光二极管晶片之间并电性连接两者，或配置于一个第二电极与一个发光二极管晶片之间并电性连接两者。基于上述，本专利技术的发光元件利用反射杯的设计，可以让发光二极管晶片所发出的光线集中从透光基板射出，从而提高其发光效率。并且，电性连接于第一电极与发光二极管晶片之间的波长转换层，或电性连接于第二电极与发光二极管晶片之间的波长转换层，可将发光二极管晶片所发出的光线转换为面光源，进而提升发光区的亮度均匀性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A至图1D是本专利技术一实施例的发光元件的制造方法的剖面流程示意图；图2A至图2D分别是图1A至图1D的俯视示意图；图3A是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图3B是图3A的发光元件的俯视示意图；图4A是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图4B是图4A的发光元件的俯视示意图；图5A是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图5B是图5A的发光元件的俯视示意图；图6A是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图6B是图6A的发光元件的俯视示意图；图7A是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图7B是图7A的波长转换层的微观示意图；图8是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图9是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图10是本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图；图11是本专利技术一实施例的发光元件阵列的线路示意图。其中，附图标记：100A～100I：发光元件110：透光基板120、120a：第一电极130、130a：发光二极管晶片140：透光封装材料150、150a、150b、150c：第二电极160、160a、160b：反射杯170、170a：遮光图案180、180a：绝缘图案190、190a、190b：波长转换层191a：荧光粉192a：导电膜200：发光元件阵列201：发光元件201a：发光二极管晶片201b：第一电极201c：第二电极210：透光基板211：扫描线212：数据线213：主动元件214：共同配线具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。图1A至图1D是本专利技术一实施例的发光元件的制造方法的剖面流程示意图。图2A至图2D分别是图1A至图1D的俯视示意图。如图1A所示，首先在透光基板110上形成第一电极120，透光基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是可挠性材料，以提高发光元件的机械强度并提供良好的光线穿透性，而第一电极120的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物等透明导电材质或金属。如图2A所示，第一电极120大致上形成于透光基板110的中央区域。接着，如图1B所示，在第一电极120上配置发光二极管晶片130，其中发光二极管晶片130例如是通过微元件移转法（micro-devicetransfermethod）以微机械装置挟持并且装设于透光基板110上，而发光二极管晶片130例如是通过焊接方式将其阳极接合于第一电极120上，但本专利技术不以此为限，且彼此电性连接，如图2B所示。通常而言，第一电极120例如是与驱动线路（图未示）相连接，藉此驱动信号可通过驱动线路（图未示）而传送至发光二极管晶片130，以驱动发光二极管晶片130。就其制程而言，驱动线路（图未示）与第一电极120例如是同时形成于透光基板110上，或依序形成于透光基板110上，其中驱动线路（图未示）与第一电极120可由相同或不同的透明或不透明导电材质所构成，对此本专利技术皆不加以限制。完成上述制程后，如图1C所示，在透光基板110上填充透光封装材料140，透光封装材料140例如是环氧树脂，可藉由热固化的方式将其固定于透光基板110上。此外，透光封装材料140可防止水气入侵至发光二极管晶片130，以维持其性能与使用寿命。进一步而言，透光封装材料140环绕发光二极管晶片130的侧壁，以提供发光二极管晶片130发出的光线的折射或散射所用。此外，透光封装材料140暴露出发光二极管晶片130的电极（如图2C所示），以于后续制程中作为与其他电极接合所用。最后，如图1D所示，形成第二电极150与反射杯160于发光二极管晶片130上，其中第二电极150与反射杯160是由图案化同一金属层而形成的，也就是说，第二电极150为反射杯160的一部份。第二电极15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，包括：一透光基板；一第一电极，配置于该透光基板上；一第二电极；一发光二极管晶片，接触该第一电极与该第二电极；一反射杯，配置于该透光基板上并罩覆该发光二极管晶片与该第一电极；以及一透光封装材料，填充于该透光基板、该反射杯与该发光二极管晶片的侧壁之间。

【技术特征摘要】
2013.10.23 TW 102138275;2014.02.18 TW 1031053051.一种发光元件，其特征在于，包括：一透光基板；一第一电极，配置于该透光基板上；一第二电极；一发光二极管晶片，接触该第一电极与该第二电极；一反射杯，配置于该透光基板上并罩覆该发光二极管晶片与该第一电极；一透光封装材料，填充于该透光基板、该反射杯与该发光二极管晶片的侧壁之间；一遮光图案，配置于该透光基板上，其中该发光二极管晶片被该遮光图案环绕；以及一绝缘图案，其中该遮光图案的材质为金属，该第一电极电性连接至该遮光图案，该绝缘图案覆盖该遮光图案，且该反射杯的外缘位于该遮光图案上方的该绝缘图案上。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第二电极为该反射杯的一部份。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括一波长转换层，配置于该透光封装材料与该反射杯之间。4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该遮光图案与该绝缘图案为封闭环状。5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括一波长转换层，配置于该透光封装材料与该反射杯之间，且该波长转换层隔绝该反射杯与该第二电极。6.根据权利要求1所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗典，陈振彰，刘康弘，张钧傑，江明峰，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71