一种三维红外光源及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种三维红外光源及其制作方法，提供一硅片；在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止；沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列；去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜；形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝，在电阻丝表面形成钝化层；在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口；沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明专利技术采用电阻丝位于凹槽阵列中，减少了发热丝通过衬底的热传导，减少空气热对流引起的热耗散，实现了能量聚集的作用，降低功耗的同时，提高了能量转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三维红外光源的制作方法，其特征在于，所述方法至少包括：(1)提供一以(100)晶面作为正反面的硅片；该正反面为抛光面；在所述正反面分别形成氧化硅薄膜；(2)在所述硅片正面定义出阵列窗口图形，沿所述阵列窗口刻蚀所述氧化硅至暴露出硅表面为止；(3)沿所述阵列窗口继续刻蚀所述硅表面形成硅凹槽阵列；(4)去除所述硅片正面非刻蚀区域的氧化硅薄膜；(5)在所述硅片正面依次交替形成氧化硅层和氮化硅层，形成由氧化硅和氮化硅组成的覆盖所述硅凹槽阵列的至少一层复合膜；(6)在所述硅片正面定义覆盖所述硅凹槽阵列的电阻丝的图形，在所述电阻丝的图形区域依次形成第一金属层和第二金属层；形成由第一金属层和第二金属层构成的电阻丝；(7)在所述电阻丝的表面形成一层钝化层；(8)在所述硅片的背面定义包围所述硅凹槽阵列的窗口；沿所述窗口刻蚀所述硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；(9)沿步骤(8)中所述窗口继续腐蚀所述暴露出的硅表面直到硅被完全腐蚀为止，按照所述硅片表面的划片槽进行划片从而制备出三维红外光源结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李铁，郭联峰，刘延祥，王翊，周宏，王跃林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31