高可靠性发光二极管支架制造技术

本实用新型专利技术提出一种高可靠性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正负电极框架之间具有间隙，正负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘部件，沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分，基座是热硬化性树脂基座，绝缘部件是热硬化性树脂层。该发光二极管支架中，通过设有一个沟槽，增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。而且，沟槽的槽底面具有经过化学腐蚀处理的粗糙部分，增加结合力并提高密封性能，提升支架的可靠性和使用寿命。基座和绝缘部件是由热硬化性树脂制成，具有更好的散热能力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出一种高可靠性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正负电极框架之间具有间隙，正负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘部件，沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分，基座是热硬化性树脂基座，绝缘部件是热硬化性树脂层。该发光二极管支架中，通过设有一个沟槽，增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。而且，沟槽的槽底面具有经过化学腐蚀处理的粗糙部分，增加结合力并提高密封性能，提升支架的可靠性和使用寿命。基座和绝缘部件是由热硬化性树脂制成，具有更好的散热能力。【专利说明】高可靠性发光二极管支架
本技术涉及发光器件，具体涉及一种高可靠性发光二极管支架。
技术介绍
发光二极管器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点，正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低，芯片发光效率的不断提高，发光二极管已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。发光二极管器件通常包括支架和发光芯片，支架包括基座和引线框架，两者围成反射结构，具有一个反射凹腔，发光芯片即设于反射凹腔的底部，基座通常采用绝缘材料制成，引线框架包括正负电极。这种结构的发光二极管器件通常面临的一个大难题是密封性问题。因为，正负电极之间需要绝缘间隔，而且为提高引线框架的反光性能，通常进行电镀处理，形成光亮镀层，即使采用绝缘材料填充其间，绝缘材料与镀层之间密封效果不佳，外界的水分、氧气、杂质等沿绝缘材料与金属材料之间结合处渗入，往往该处成为渗漏的源头，使用时间一长，将导致光发芯片、金线等部件受到影响，从而导致发光二极管器件可靠性降低。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种发光效果好、使用寿命长的高可靠性发光二极管支架。一种高可靠性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括正电极框架和负电极框架，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件，所述沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分，所述基座是热硬化性树脂基座，所述绝缘部件是热硬化性树脂层。进一步地，所述沟槽的槽宽大于所述间隙的宽度，所述沟槽和间隙组合的截面呈T字形。进一步地，所述沟槽由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷或者由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷形成。进一步地，所述沟槽由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述引线框架的上表面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的上表面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。进一步地，所述第一侧凹槽沿着整个第一侧面方向延伸，所述第二侧凹槽沿着整个第二侧面方向延伸，所述第一侧凹槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分，所述第二侧凹槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分。进一步地，所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层，所述基座、绝缘部件及绝缘层为同样材料一体成型的结构。进一步地，所述引线框架上表面包括暴露于反射凹腔用于固晶的固晶面和与基座结合的结合面，所述结合面至少在环绕反射凹腔底部的环状区域经过化学腐蚀处理形成粗糙部分。进一步地，所述基座包括覆盖于引线框架结合面的上基座和包覆于引线框架侧面的下基座，所述下基座与绝缘部件连成一体。进一步地，所述基座是热硬化性环氧树脂基座，所述绝缘部件是热硬化性环氧树脂层。上述高可靠性发光二极管支架中，在正电极框架和负电极框架之间间隙处再设一个沟槽，增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。而且，沟槽的槽底面具有沿槽长方向延伸的经过在化学腐蚀处理的粗糙部分，既增加绝缘部件与框架的结合力，还进一步提高密封性能，提升支架的可靠性和使用寿命。其次，基座和绝缘部件是由热硬化性树脂制成，传统材料是热塑性树脂，而热硬化性树脂比热塑性树脂具有更好的散热能力。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架的立体结构的示意图。图2为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架的剖视结构示意图。图3为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架的俯视结构示意图。图4为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架的底视图。图5为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架的引线框架俯视结构示意图。图6为本技术实施例的高可靠性发光二极管支架中的引线框架仰视立体结构示意图。【具体实施方式】以下将结合附图及【具体实施方式】对本技术进行详细说明。请参阅图1到图6，示出本技术实施例的高可靠性发光二极管支架100，其包括引线框架2和设于引线框架2上的基座1，引线框架2和基座I限定一个反射凹腔4，引线框架2包括正电极框架21和负电极框架22，所述正电极框架21和负电极框架22之间具有间隙24，所述正电极框架21和负电极框架22上具有与间隙24相通的沟槽25，所述间隙24和沟槽25内填充有绝缘部件26，所述沟槽25的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分。所述基座I是热硬化性树脂基座，所述绝缘部件26是热硬化性树脂层。优选地，沟槽25的槽宽大于间隙24的宽度，热硬化性树脂优选为热硬化性环氧树月旨。所述沟槽25和间隙24组合的截面呈T字形。在图2所示的实施例中，所述引线框架2的底面凹设有与间隙24相通的沟槽25，沟槽25还可由引线框架2的上表面向内部延伸，即将图示中沟槽25与间隙24倒置。如图5所不,所述引线框架2上表面包括暴露于反射凹腔4的用于固晶的固晶表面211和与基座I结合的结合面221，所述结合面221至少在环绕反射凹腔4底部的环状区域27经过化学腐蚀处理形成粗糙部分。如图6所示，引线框架2的底面包括正电极框架21的底面210和负电极框架22的底面220，两个底面210、220共面。图示以沟槽25由引线框架2底面靠近间隙24的边缘向内凹陷为例，沟槽25由引线框架2的第一侧面201贯穿到与第一侧面201相对的第二侧面202，所述引线框架2的底面210、220与所述第一侧面201相交处内凹有与沟槽25相通的第一侧凹槽203，所述引线框架2的底面与所述第二侧面202相交处内凹有与沟槽25相通的第二侧凹槽204。在另一个实施例中，沟槽25也可以由引线框架2上表面靠近间隙24的边缘向内凹陷，同样在引线框架2上表面分别形成与侧面相交处内凹有与沟槽25相通的侧凹槽，结构基本类似，在此不再赘述。进一步地，所述第一侧凹槽203沿着整个第一侧面201方向延伸，所述第二侧凹槽204沿着整个第二侧面202方向延伸，由此沟槽25和第一侧凹槽203、第二侧凹槽204构成工字形槽。进一步地，所述沟槽25的槽壁具有台阶，以进一步提高外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。优选地，固晶面211具有反光镀层，以提高反光率。如图5和6所示，第二侧凹槽204沿着整个第二侧面方向延伸。所述第一侧凹槽203和第二侧凹槽204内分别填充有绝缘层。优选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高可靠性发光二极管支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括正电极框架和负电极框架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽，所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件，所述沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分，所述基座是热硬化性树脂基座，所述绝缘部件是热硬化性树脂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程志坚，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44