一种投影光学系统，沿其光轴方向从物面一侧依次包括第一透镜至第三透镜、孔径光阑、第四透镜至第六透镜。该投影光学系统采用对称式结构，可以有效地校正垂轴像差，同时采用正负光焦度平衡匹配有效地校正轴向像差，满足瑞利判据的要求；采用尽量少的透镜实现较大的视场，结构紧凑、体积小、重量轻，有利于各种实验的开展，可以用于偏振照明系统的偏振态测量实验，可以用于光瞳滤波实验，还可以用于照明方式优化实验等。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种投影光学系统，沿其光轴方向从物面一侧依次包括第一透镜至第三透镜、孔径光阑、第四透镜至第六透镜。该投影光学系统采用对称式结构，可以有效地校正垂轴像差，同时采用正负光焦度平衡匹配有效地校正轴向像差，满足瑞利判据的要求；采用尽量少的透镜实现较大的视场，结构紧凑、体积小、重量轻，有利于各种实验的开展，可以用于偏振照明系统的偏振态测量实验，可以用于光瞳滤波实验，还可以用于照明方式优化实验等。【专利说明】投影光学系统
本专利技术涉及一种投影光学系统，特别涉及一种用于偏振照明系统中偏振测量的投影光学系统。
技术介绍
采用氟化氩(ArF)准分子激光技术和浸液光刻技术，并配合双图形曝光技术，目前已经实现32nm节点半导体光刻技术量产，实现该技术的典型设备是荷兰ASML公司型号为TWINSCAN NXT:1950i的光刻机。对于目前的22nm节点光刻技术量产，由于极紫外光刻技术(EUVL)目前尚有一些关键技术需要改善和提高，同时ArF浸液光刻技术得到偏振照明技术、双图形及多图形技术的支持，依然表现出强大的生命力，例如ASML公司型号为TWINSCAN NXT:1960Bi和1970Ci的光刻机依然是22nm节点强有力的竞争者之一，这三款设备均采用业界最大数值孔径(NA=L 35)的投影物镜。ArF光刻技术发展到NA=L 35时代(第5代浸液光刻技术)得到了若干关键技术的大力支持，ASML公司早在PAS系列光刻机的NA=0.75时代就开始研究浸液技术、偏振照明技术等等若干关键技术以延续ArF光刻技术的生命。例如，PAS5500/1150C光刻机实现90nm节点光刻技术是采用传统技术，对于TWINSCAN XT: 1450H光刻机(ΝΑ=0.93)采用传统技术可以实现65nm节点技术，而采用偏振照明技术就可以将分辨率提高到57nm。可见，在极紫外光刻技术(EUVL)目前尚有一些关键技术(比如光源功率问题、掩模版问题、光刻胶问题等)需要改善和提高的情况下，研究浸液光刻技术、偏振照明技术等就显得非常有现实意义。研究浸液光刻技术、偏振照明技术等关键技术，首先需要有一个实验用的光刻投影物镜，它可以用于偏振照明系统的偏振态测量实验，可以用于光瞳滤波实验，还可以用于照明方式优化实验等等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种投影光学系统，该投影光学系统可以用于偏振照明系统的偏振态测量，可以用于光瞳滤波，还可以用于照明方式优化等等。本专利技术的目的是这样实现的:—种投影光学系统，沿其光轴方向从物面一侧依次包括:第一透镜至第三透镜、孔径光阑、第四透镜至第六透镜，其特征在于，第一透镜和第六透镜具有正光焦度并且焦距相同，第二透镜和第五透镜具有负光焦度并且焦距相同，第三透镜和第四透镜具有负光焦度并且焦距相同，第一透镜和第六透镜为双凸透镜，第二透镜和第四透镜为凹面朝向像面的弯月透镜，第三透镜和第五透镜为凹面朝向物面的弯月透镜。所有六块透镜均采用高透过率的熔石英材料制成。所有六块透镜均采用高透过率的熔石英材料，可选康宁公司7980牌号的熔石英材料，也可以选肖特公司的LithosilTMQ0/l-E193熔石英材料。本专利技术与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果:1、本专利技术的投影光学系统，采用对称式结构，可以有效地校正垂轴像差，同时采用正负光焦度平衡匹配有效地校正轴向像差，满足瑞利判据的要求；2、本专利技术的投影光学系统，采用尽量少的透镜实现较大的视场，结构紧凑、体积小、重量轻，有利于各种实验的开展。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的投影光学系统的结构及光路图；图2为本专利技术的投影光学系统的调制传递函数MTF图；图3为本专利技术的投影光学系统的RMS波像差分布图。【具体实施方式】以下将对本专利技术的投影光学系统做进一步的详细描述。本专利技术的目的在于提供一种投影光学系统，可以用于偏振照明系统的偏振态测量实验，可以用于光瞳滤波实验，还可以用于照明方式优化实验等。本专利技术的投影光学系统的约束参数如表1所示，工作波长为193.368nm (采用氟化氩ArF准分子激光光源 )，因此所有透镜全部采用高透过率的熔石英材料，可选康宁公司7980牌号的熔石英材料，也可以选肖特公司的LithosilTMQ0/l-E193熔石英材料。像方数值孔径为0.02，像方视场直径为8.192mm，放大倍率为-1倍，光学总长(共轭距)为小于101.6mm ο表1本专利技术的投影光学系统设计约束参数【权利要求】1.一种投影光学系统，沿其光轴方向从物面一侧依次包括第一透镜至第三透镜、孔径光阑、第四透镜至第六透镜，其特征在于，第一透镜和第六透镜具有正光焦度并且焦距相同，第二透镜和第五透镜具有负光焦度并且焦距相同，第三透镜和第四透镜具有负光焦度并且焦距相同，第一透镜和第六透镜为双凸透镜，第二透镜和第四透镜为凹面朝向像面的弯月透镜，第三透镜和第五透镜为凹面朝向物面的弯月透镜。2.根据权利要求1所述的投影光学系统，其特征在于，所有六块透镜均采用高透过率的熔石英材料制成。【文档编号】G03F7/20GK103926801SQ201410129665【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日 【专利技术者】蔡燕民, 王向朝, 唐锋 申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种投影光学系统，沿其光轴方向从物面一侧依次包括第一透镜至第三透镜、孔径光阑、第四透镜至第六透镜，其特征在于，第一透镜和第六透镜具有正光焦度并且焦距相同，第二透镜和第五透镜具有负光焦度并且焦距相同，第三透镜和第四透镜具有负光焦度并且焦距相同，第一透镜和第六透镜为双凸透镜，第二透镜和第四透镜为凹面朝向像面的弯月透镜，第三透镜和第五透镜为凹面朝向物面的弯月透镜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡燕民，王向朝，唐锋，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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