存储系统及其操作方法技术方案

公开了一种存储系统及其操作方法。一种操作包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器的方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】公开了一种。一种操作包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器的方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。【专利说明】本申请要求于2013年I月15日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0004222号韩国专利申请的优先权，该专利申请的内容通过引用被全部包含于此。
示例实施例总地涉及一种半导体存储装置，更具体地讲，涉及一种包括非易失性存储装置和存储控制器的存储系统，以及操作该存储系统的方法。
技术介绍
诸如闪存装置的非易失性存储装置是一种通过一个编程操作擦除或编程多个存储区域的电可擦除只读存储器(EEPR0M)。在典型的EEPROM中，可以一次擦除或编程一个存储区域。因此，当系统利用闪存装置同时从不同的区域读取数据和将数据写入到不同的区域时，闪存装置可以快速运行。所有类型的闪存和EEPROM在特定次数的擦除操作之后，由于用于存储数据的电荷存储装置的劣化以及围绕电荷存储装置的绝缘层的磨损而变差。闪存装置在硅芯片上存储信息而无需保留存储在硅芯片上信息的电源。S卩，即使提供给硅芯片的电源关闭，也能无功耗地保存信息。此外，闪存装置提供快速读取访问时间和对抗物理冲击的抵抗力。由于这些特性，闪存装置已经被广泛地用于电池供电装置的数据存储装置中。
技术实现思路
一些示例实施例提供一种操作能够降低功耗的存储系统的方法。—些不例实施例提供一种能够降低功耗的存储系统。根据一些示例实施例，提供一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器。所述方法可以包括:以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择在读取数据中包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对存储在至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。在实施例中，每个扇区存储基于存储在所述扇区中的数据而产生的一个或多个奇偶校验位，其中，包括在所述至少一个目标扇区中的错误的数量可以大于奇偶校验位的数量，其中，包括在所述至少一个通过扇区中的错误的数量可以小于或等于奇偶校验位的数量。在实施例中，可以对存储在所述至少一个目标扇区中的读取数据重复执行读取重试操作，直到不可纠正的错误通过纠错解码被纠正。在实施例中，对所述至少一个目标扇区中的数据的读取重试操作可以重复执行预定参考次数。 所述方法还可以包括:当对存储在所述至少一个目标扇区中的数据的读取重试操作可以重复执行多于预定参考次数时，执行擦除刷新操作，以将包括所述至少一个目标扇区的存储块复制到另一个存储块，并且擦除包括所述至少一个目标扇区的存储块。在实施例中，当存储控制器将不同于输入到页的除了目标扇区之外的其他扇区的存储单元的数据模式的数据模式输入到包括在目标扇区中的存储单元时，所述至少一个目标扇区被选择可以将数据值“O”输入到包括在目标扇区中的存储单元，并且可以将数据值“I”输入到包括在其他扇区中的存储单元。在实施例中，可以根据设置特征命令通过存储控制器分别设置扇区的大小。可以利用在设置特征命令之后传输到非易失性存储装置的至少一部分数据设置扇区的大小。在实施例中，可以在晶圆级或封装级通过熔合选择将扇区的大小存储在包括在非易失性存储装置中的熔合单元中，并且可以在非易失性存储装置的上电顺序期间，根据存储在熔合单元中数据来设置扇区的大小。在实施例中，存储控制器可以将扇区选择命令以及扇区地址提供给非易失性存储装置，以选择所述至少一个目标扇区。根据一些示例实施例，一种存储系统包括:非易失性存储装置；以及存储控制器，被构造为控制所述非易失性存储装置。所述存储控制器包括:纠错代码块，被构造为以包括多个扇区的页为单位从非易失性存储装置读取数据，并且被构造为以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；以及控制块，被构造为选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的所有错误可通过纠错解码是可纠正的，控制块还被构造为在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，控制非易失性存储装置禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电，并且控制块还被构造为对至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。在实施例中，纠错块可以将表示对每个扇区执行纠错解码成功或失败的标志信号提供给控制块。控制块可以包括存储扇区的扇区号和扇区的标志信号的扇区表。 在实施例中，非易失性存储装置可以包括控制逻辑，其中，所述控制逻辑可以包括存储包括在从存储控制器提供的设置特征命令中的扇区大小信息的寄存器，其中，所述控制逻辑根据所述扇区大小信息设置扇区的大小。根据一些其它示例实施例，提供一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器，其中，所述存储装置包括组织成多个页的多个存储单元，所述多个页中的每个页包括用于存储数据的多个扇区。所述方法可以包括:从选择的非易失性存储装置的页读取数据；对于选择的页的每个扇区，在逐个扇区的基础上对读取数据执行纠错解码；以及当纠错解码不能纠正选择的页的至少一个目标扇区的至少一个数据错误，但是能纠正选择的页的一个或更多个通过扇区的所有数据错误时，将目标扇区选择命令从存储控制器传输到非易失性存储装置。所述目标扇区选择命令使非易失性存储装置:改变施加到所述至少一个目标扇区的存储单元的电压，在禁止对连接到所述一个或更多个通过扇区的位线预充电的同时，对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电，以及使用改变的电压对存储在所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。因此，所述存储控制器可以以页为单位对存储单元阵列执行读取操作，以扇区为单位对读取数据执行错误检测和纠正；在对连接到包括不可纠正的错误的至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到包括可纠正的错误的至少一个通过扇区的位线预充电；并且对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作，从而减少功耗。【专利附图】【附图说明】通过以下结合附图的详细描述，说明性而非限制性的示例实施例将会得到更清楚地理解。图1是示出根据示例实施例的操作包括非易失性存储装置和存储控制器的存储系统的方法的流程图。图2A是示出根据示例实施例的存储系统的构造的框图。图2B是示出根据示例实施例的在图2A中示出的存储控制器的详细构造的框图。图3至图8是示出可包含在图2A中的非易失性存储装置中的特定存储单元阵列的示例的示图。图9是示出包括在图2A中示出的存储单元阵列中的一个页的构造的示图。图10示出可形成在图2A中示出的存储单元阵列的每个存储单元上的阈值电压分布。图11和图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作存储系统的方法，所述存储系统包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器，所述方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择在读取数据中包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对存储在所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑凤吉，金炯坤，边大锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR