Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，该Nand-flash烧录拷贝电路包括电源输入端及分别与电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash，MCU读取源Nand-flash中的数据，并将读取到的数据写入到目标Nand-flash中。本实用新型专利技术的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，电路结构简单、器件少，成本低，降低了数字电视开发调试、生产和维修的成本；并且体积小，操作、携带方便且适用于手持操作。Nand-flash烧录拷贝的同时就完成了频道预置用户数据一起拷贝，省去了做频道预置用户数据调整的工位，减少了Nand-flash的生产工序，降低了成本，提高了生产效率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，该Nand-flash烧录拷贝电路包括电源输入端及分别与电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash，MCU读取源Nand-flash中的数据，并将读取到的数据写入到目标Nand-flash中。本技术的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，电路结构简单、器件少，成本低，降低了数字电视开发调试、生产和维修的成本；并且体积小，操作、携带方便且适用于手持操作。Nand-flash烧录拷贝的同时就完成了频道预置用户数据一起拷贝，省去了做频道预置用户数据调整的工位，减少了Nand-flash的生产工序，降低了成本，提高了生产效率。【专利说明】Nand-f I ash烧录拷贝电路及Nand-f I ash烧录设备
本技术涉及电子
，特别涉及一种Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备。
技术介绍
随着数字电视技术在近十几年的发展，数字电视的功能越来越丰富。存储器的容量也随之增大，Nand-flash作为flash内存的一种，在电视机软硬件系统中占据越来越重要的地位，数字电视的操作系统、应用软件、相关参数数据等都以Nand-flash为存储载体。软件工程师编写的代码最后也都要转换成二进制数据固化到Nand-flash上。目前，将程序固化到Nand-flash上可以通过烧录器烧录，也可以采用在线编程器或应用编程器的方式。但是由于在线编程器和应用编程器方式都需要基于嵌入式系统上实现对Nand-flash的程序烧录，操作复杂、不方便，因此，这种采用在线编程器或应用编程器的方式通常不被数字电视厂商所采纳；而采用烧录器可以直接烧录空的Nand-f lash，所以在电视开发调试、生产和维修时，数字电视厂商通常采用的是通过烧录器烧录方式将数据固化到Nand-flash上,然而，由于烧录器的价格高，导致生产、维修和开发调试的成本过高，并且通过烧录器烧录后的Nand-flash还需在相应的工位做频道预置用户数据调整，工序麻烦，生产效率低。
技术实现思路
本技术的主要目的为提供一种成本低、体积小、操作方便且生产效率高的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备。本技术提出一种Nand-flash烧录拷贝电路，包括电源输入端及分别与所述电源输入端连的MCU、源Nand-flash和至少一个目标Nand-flash,所述MCU读取所述源Nand-flash中的数据,并将读取到的数据写入到所述目标Nand-flash中,其中，所述MCU的数据传输口分别对应连接所述源Nand-flash的数据接口和所述目标Nand-flash的数据接口 ；所述MCU的第一启动控制端连接所述源Nand-flash的启动端,所述MCU的第二启动控制端连接所述目标Nand-flash的启动端；所述MCU的第一使能控制端连接所述源Nand-f I ash的写使能端和所述目标Nand-flash的写使能端,所述MCU的第二使能控制端连接所述源Nand-flash的读使能端和所述目标Nand-flash的读使能端；所述MCU的指令锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的指令锁存使能端和所述目标Nand-flash的指令锁存使能端；所述MCU的地址锁存使能控制端连接所述源Nand-flash的地址锁存使能端和所述目标Nand-flash的地址锁存使能端；所述MCU的就绪/忙控制接口连接所述源Nand-flash的就绪/忙接口和所述目标Nand-flash的就绪/忙接口。优选地，还包括发光二极管，所述MCU的提示接口端连接所述发光二极管的正极，所述发光二极管的负极经一电阻接地。优选地，所述MCU为宏晶STC15W4K60S4芯片。优选地，所述源Nand-flash为多个，所述MCU的第一启动控制端的数量与所述源Nand-flash的数量相同并——对应，所述MCU的各个第一启动控制端与对应的源Nand-flash的启动端对应连接。本技术进一步提出一种Nand-flash烧录设备,包括如上所述的Nand-flash烧录拷贝电路。本技术的Nand-flash烧录拷贝电路及Nand-flash烧录设备，电路结构简单、器件少，成本低，降低了数字电视开发调试、生产和维修的成本；并且体积小，操作、携带方便且适用于手持操作。同时，Nand-flash烧录拷贝电路将已烧录好的Nand-flash (也就是源Nand-flash)中的数据完全拷贝到空的Nand-flash (也就是目标Nand-f lash)中，频道预置用户数据一起拷贝，省去了做频道预置用户数据调整的工位，减少了 Nand-flash的生产工序，降低了成本，提高了生产效率。目标Nand-flash可以为多个，可实现一次性烧录多个目标Nand-flash,更进一步提高了烧录效率。【专利附图】【附图说明】图1是本技术Nand-f Iash烧录拷贝电路较佳实施例的电路结构示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。【具体实施方式】应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，图1为本技术Nand-flash烧录拷贝电路较佳实施例的电路结构示意图。该实施例提出的Nand-flash烧录拷贝电路，包括电源输入端DVCC及分别与电源输入端DVCC连的MCU10、源Nand-f lash20和至少一个目标Nand-f lash30，电源输入端DVCC为 MCUlO、源 Nand-flash20 和目标 Nand-flash30 供电。MCUlO 读取源 Nand-flash20 中的数据，并将读取到的数据写入到目标Nand-flash30中，其中:MCUlO的数据传输口 11分别对应连接源Nand_flash20的数据接口 21和目标Nand-flash30的数据接口 31 ；MCU10的第一启动控制端12连接源Nand-flash20的启动端22，MCUlO的第二启动控制端13连接目标Nand-flash30的启动端32 ；MCUlO的第一使能控制端14连接源Nand-f lash20的写使能端23和目标Nand-f lash30的写使能端33，MCUlO的第二使能控制端15连接源Nand-f lash20的读使能端24和目标Nand-f lash30的读使能端34 ；MCUlO的指令锁存使能控制端16连接源Nand-f lash20的指令锁存使能端25和目标Nand-f lash30的指令锁存使能端35 ；MCUlO的地址锁存使能控制端17连接源Nand-f lash20的地址锁存使能端26和目标Nand-f lash30的地址锁存使能端36 ；MCUlO的就绪/忙控制接口 18连接源Nand-f lash20的就绪/忙接口 27和目标Nand-f lash30 的就绪 / 忙接口 37。Nand-flash的各个信号端口的功能介绍:启动端:如果没有检测到启动信号，则Nand-flash就保持本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Nand‑flash烧录拷贝电路，其特征在于，包括电源输入端及分别与所述电源输入端连的MCU、源Nand‑flash和至少一个目标Nand‑flash，所述MCU读取所述源Nand‑flash中的数据，并将读取到的数据写入到所述目标Nand‑flash中，其中，所述MCU的数据传输口分别对应连接所述源Nand‑flash的数据接口和所述目标Nand‑flash的数据接口；所述MCU的第一启动控制端连接所述源Nand‑flash的启动端，所述MCU的第二启动控制端连接所述目标Nand‑flash的启动端；所述MCU的第一使能控制端连接所述源Nand‑flash的写使能端和所述目标Nand‑flash的写使能端，所述MCU的第二使能控制端连接所述源Nand‑flash的读使能端和所述目标Nand‑flash的读使能端；所述MCU的指令锁存使能控制端连接所述源Nand‑flash的指令锁存使能端和所述目标Nand‑flash的指令锁存使能端；所述MCU的地址锁存使能控制端连接所述源Nand‑flash的地址锁存使能端和所述目标Nand‑flash的地址锁存使能端；所述MCU的就绪/忙控制接口连接所述源Nand‑flash的就绪/忙接口和所述目标Nand‑flash的就绪/忙接口。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：深圳创维RGB电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44