【技术实现步骤摘要】
相关申请的引用本申请要求于2012年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2012-0158681以及于2013年6月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0074682的优先权和从其中获得的权益，通过引用将其全部内容并入本文中。
本披露涉及制备间隙填充剂的方法、使用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法。
技术介绍
随着半导体技术的日益发展，存在对于形成具有改善的性能并集成更小的半导体芯片的高度集成并且更快速的半导体存储单元的连续不断的研究。在这些半导体存储单元之中，可以使用例如DRAM (动态随机存取存储器)。DRAM能够自由地输入和输出信息，并且可以实现大容量。DRAM可以包括例如包括一个MOS晶体管(M0S晶体管)和一个电容器的多个单位单元(unit cells)。电容器可以包括两个电极和设置在其间的介电层。取决于例如介电常数、介电层的厚度、电极面积等，电容器可以具有不同的电容。随着半导体芯片的尺寸缩小，其中的电容器的尺寸也应缩小。然而，较小的电容器需要足够的存储容量。电容器可通过例如增加垂直面积而不是减少水平面积以增加总活性面积来实现更大的容量。当以这种方式形成电容器时，可使用填料来填充模型和其上的间隙，并有效地形成与小的水平面积相比相对高的电极。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式提供在涂覆过程中制备具有均匀膜厚度并且在高温下的氧化反应过程中具有低收缩率的半导体间隙填充剂的方法。本专利技术的另一个实施方式提供通过该方法制备的由此在涂覆过程中具有均匀膜厚度并且在高温下的氧化反应过程...
【技术保护点】
一种制备间隙填充剂的方法，包括：将卤代硅烷注入碱性溶剂；和以1g/hr至15g/hr的速度加入基于100重量份所述卤代硅烷的50重量份至70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。
【技术特征摘要】
2012.12.31 KR 10-2012-0158681;2013.06.27 KR 10-2011.一种制备间隙填充剂的方法，包括: 将卤代硅烷注入碱性溶剂；和 以lg/hr至15g/hr的速度加入基于100重量份所述卤代硅烷的50重量份至70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。2.根据权利要求1所述的方法，其中，以2g/hr至9g/hr的速度加入所述氨。3.根据权利要求1所述的方法，其中，以3g/hr至7g/hr的速度加入所述氨。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤代硅烷选自RSiX3、R2SiX2、R3SiX和它们的组合，其中，每个中的R独立地选自氢、取代的或未取代的Cl至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C7至C30芳烷基、取代的或未取代的Cl至C30杂烷基、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基和它们的组合，条件是至少一个R是氢，并且X是卤素原子。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱性溶剂选自三甲胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、吡唆、甲基吡唆、二甲基苯胺、三甲基膦、二甲基乙基膦、甲基二乙基膦、三乙膦、三甲基胂、三甲基锑、三嗪和它们的组合。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴镇希，李汉松，郭泽秀，金古恩，金补宣，金相均，罗隆熙，朴银秀，徐珍雨，宋炫知，林相学，任浣熙，洪承希，黄丙奎，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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