光刻掩模修复工艺制造技术

一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理，光刻掩模上的残余加工气体被去除。本发明专利技术还提供了光刻掩模修复工艺。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理，光刻掩模上的残余加工气体被去除。本专利技术还提供了光刻掩模修复工艺。【专利说明】光刻掩模修复工艺
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说涉及光刻掩模的修复装置和方法。
技术介绍
光刻(lithography)(也称为光刻法(photolithography))是集成电路制造工艺中的常用技术。在光刻工艺中，首先形成要图案化的材料层。对该材料层施加光刻胶。通过光刻掩模将光刻胶暴露给光，光刻掩模包括允许光穿透的透明图案和阻挡光的不透明图案。对暴露的光刻胶进行显影以形成图案化的光刻胶。在图案化的光刻胶中，根据光刻胶是正性的还是负性的，去除暴露给光的部分，或者去除未暴露给光的部分。然后，蚀刻材料，其中，保留材料层被光刻胶的剩余部分保护的部分，而去除材料层未被保护的部分。在光刻工艺之前制造光刻掩模。通过在透明层上方形成不透明层，然后图案化不透明层来形成光刻掩模。不透明层保持未被去除的区域是最终得到的光刻掩模的不透明部分，而不透明层被去除的的区域是最终得到的光刻掩模的透明部分。然而，在图案化光刻掩模期间可能生成缺陷。例如，打算去除的不透明层的一些部分可能实际上未被去除。需要在修复工艺中去除这些部分。在修复工艺中，可以使用电子束或尚子束扫描和去除缺陷部分。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种方法，包括:对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模；以及在所述第一束扫描之后，对所述光刻掩模实施第一福射处理。在该方法中，利用具有键能的加工气体实施所述第一束扫描，并且利用量子能大于所述键能的光实施所述第一辐射处理。在该方法中，所述加工气体包括二氟化氙(XeF2),并且利用紫外光实施所述第一辐射处理。在该方法中，在加工室中实施所述第一束扫描和所述第一辐射处理，并且在所述第一束扫描和所述第一辐射处理之间，所述加工室保持真空。在该方法中，在所述第一辐射处理期间，停止向所述加工室内引入在所述第一束扫描中所使用的与所述光刻掩模发生反应的加工气体。该方法还包括:在所述第一福射处理之后，对所述光刻掩模实施第二束扫描以进一步修复所述光刻掩模；以及在所述第二束扫描之后，对所述光刻掩模实施第二福射处理，其中，在所述第二束扫描过程中，去除缺陷未被所述第一束扫描去除的部分。在该方法中，在同一加工室中实施所述第一辐射处理和所述第二束扫描，在所述第一辐射处理和所述第二束扫描之间不存在真空破坏。该方法还包括在所述第一束扫描之后并且在所述第一辐射处理之前，从实施所述第一束扫描的真空室中移出所述光刻掩模。根据本专利技术的又一方面,提供了一种方法,包括:对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模，其中，所述第一束扫描包括:将加工气体引入加工室，所述光刻掩模位于所述加工室中，并且将所述加工气体配置成与所述光刻掩模的一部分发生反应；和将束投射到所述光刻掩模的非期望部分上以去除所述光刻掩模的非期望部分；以及在所述第一束扫描之后，利用福射对所述光刻掩模实施第一福射处理，其中，福射的量子能大于所述加工气体的分子的原子之间的键能。在该方法中，所述光刻掩模的所述非期望部分包括硅化钥(MoSi)，其中，所述加工气体包括二氟化氣(XeF2)。在该方法中，所述束包括电子束。在该方法中，所述束包括离子束。在该方法中，在所述第一束扫描和所述第一辐射处理之间，所述加工室保持真空。在该方法中，在所述第一辐射处理期间，停止向所述加工室引入所述加工气体。该方法还包括:在所述第一福射处理之后，对所述光刻掩模实施第二束扫描，其中，在所述加工室中原位实施所述第一辐射处理和所述第二束扫描；以及在所述第二束扫描之后，在所述加工室中对所述光刻掩模实施第二福射处理。根据本专利技术的又一方面，提供了一种被配置成对光刻掩模实施修复工艺的装置，所述装置包括:束发生器，被配置成生成束并将所述束投射到所述光刻掩模上；辐射源，被配置成在所述光刻掩模上生成辐射；以及加工气体源，被配置成释放加工气体到所述光刻掩模上。该装置还包括:真空加工室，所述束发生器的投射头部和所述辐射源被设置在所述真空加工室中，并且所述加工室的入口与所述加工气体源连接。该装置还包括储存在所述加工气体源中的加工气体，所述加工气体被配置成在被所述束激发时与所述光刻掩模的表面部分发生反应。在该装置中，所述加工气体包括二氟化氙(XeF2)。在该装置中，所述束发生器被配置成生成量子能大于所述加工气体的键能的所述束。【专利附图】【附图说明】为了更充分地理解实施例及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中:图1示出根据示例性实施例的示例性光刻掩模的一部分的俯视图；图2至图4B是根据一些示例性实施例的光刻掩模的截面图和俯视图，其中，从修复光刻掩模的中间阶段获得该截面图和俯视图；以及图5至图8示出根据一些示例性实施例修复光刻掩模的中间阶段。【具体实施方式】下面，详细讨论本专利技术的实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的构思。所讨论的具体实施例是示例性的，而不用于限制本专利技术的范围。根据各个示例性实施例提供了光刻掩模(photolithography mask)(在下文中也称为lithography mask)的修复工艺和实施该修复工艺的装置。示出了该修复工艺的中间阶段。讨论了实施例的变型例。在各个视图和示例性实施例中，类似的参考标号用于指定类似的元件。图1不出根据一些实施例的不例性光刻掩模10的俯视图。根据一些实施例，光刻掩模10可以是二元强度掩模(BM)。光刻掩模10包括透明衬底12、和透明衬底12上的不透明图案14B。衬底12可以是允许光刻工艺中使用的光穿过的玻璃衬底、石英衬底等。不透明图案14B由可以阻挡光刻工艺中所使用的光的不透明层形成。在一些示例实施例中，光刻工艺中所使用的光可以是可见光(诸如黄光)、紫光、紫外光或比可见光的频率更高的光。尽管图1示出诸如条带的一些简单图案，但是不透明图案14B的布局可以更复杂。图2至图4B示出制造图1中的期望光刻掩模10的一些中间阶段的截面图和俯视图。参照图2，提供由透明材料形成的衬底12。不透明层14形成在衬底12的上方作为覆盖层。衬底12和不透明层14组合在一起形成覆盖掩模10。在一些实施例中，不透明层14是单层。在可选实施例中，不透明层14是包括多个层的复合层。例如，不透明层14可以是包括均勻的娃化钥(MoSi) (homogenous Molybdenum Silicide)的单层。在可选实施例中，不透明层14包括子层14-1和位于子层14-1上方的子层14-2，其中子层14_2可以用作抗反射层。子层14-1和14-2可以都包括MoSi，具有稍微不同的组成。在又一些实施例中，不透明层14包括两个以上的层。在一些实施例中，在不透明层14上方具有掩模层16，掩模层16可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模；以及在所述第一束扫描之后，对所述光刻掩模实施第一辐射处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吕建兴，林重宏，温志伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71