像素结构制造技术

本发明专利技术是有关于一种像素结构，包括可挠性基板、主动元件、像素电极、电容电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及垫高结构。像素电极电性连接于主动元件并具有多个像素电极开口。电容电极配置重叠于像素电极并具有多个对应于像素电极开口的电容电极开口。第一绝缘层配置于像素电极与可挠性基板之间。第二绝缘层配置于像素电极与电容电极之间，且主动元件设置于第二绝缘层与可挠性基板之间。垫高结构包括多个垫高柱以及垫高图案。垫高图案覆盖于该主动元件上而垫高柱分别位于像素电极开口中。像素电极部分地覆盖于垫高图案上而暴露出垫高柱。通过本发明专利技术，该像素结构配置于可挠性基板上，具有理想的耐冲击性。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术是有关于一种像素结构，特别是有关于一种设置于可挠性基板上的像素结构。
技术介绍
随着显示技术的突飞猛进，显示器已从早期的阴极射线管(CRT)显示器逐渐地发展到目前的平面显示器(Flat Panel Display,FPD)。相较于硬质载板(例如是玻璃基板)所构成的平面显示器，由于可挠性基板(例如是塑胶基板)具有可挠曲及耐冲击等特性，因此近年来已着手研究将像素结构制作于可挠性基板上的可挠式显示器。这样的显示器对外力冲击必须具有良好的耐受性。不过，在落球试验中发现现行的可挠式显示器常常发生像素结构破碎无法通过试验。这也意味着，现行的这类产品在使用过程中若受到外力的撞击，可能容易破裂而损坏。因此，现行可挠式产品的信赖性在冲击的耐受性上仍需要改良。由此可见，上述现有的可挠式显示器在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构，其配置于可挠性基板上并且具有理想的耐冲击性。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术提出一种像素结构，包括可挠性基板、主动元件、像素电极、电容电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及垫高结构。主动元件配置于可挠性基板上。像素电极配置于可挠性基板上，并且电性连接于主动元件。像素电极具有多个像素电极开口。电容电极配置于可挠性基板上，重叠于像素电极。电容电极具有多个电容电极开口，对应于像素电极开口。第一绝缘层配置于像素电极与可挠性基板之间。第二绝缘层配置于像素电极与电容电极之间，且主动元件设置于第二绝缘层与可挠性基板之间。垫高结构配置于可挠性基板上。垫高结构包括多个垫高柱以及垫高图案。垫高图案覆盖于该主动元件上而垫高柱分别位于像素电极开口中。像素电极部分地覆盖于垫高图案上而暴露出垫高柱。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。较佳的，前述的像素电极，其中上述像素结构更包括辅助电极。辅助电极配置于可挠性基板与像素电极之间，并且电性连接像素电极。辅助电极具有多个辅助电极开口，对应于像素电极开口以及电容电极开口。电容电极可选择地位于辅助电极与像素电极之间，且第一绝缘层位于辅助电极与电容电极之间。第一绝缘层具有第一接触窗，而第二绝缘层具有第二接触窗。第一接触窗对应于第二接触窗，且像素电极通过第一接触窗与第二接触窗连接至辅助电极。或是，辅助电极位于电容电极与像素电极之间，且第一绝缘层位于辅助电极与电容电极之间。较佳的，前述的像素电极，其中上述第二绝缘层具有接触窗，使像素电极通过接触窗电性连接主动元件。较佳的，前述的像素电极，其中该第一绝缘层与第二绝缘层位于垫高柱与可挠性基板之间。较佳的，前述的像素电极，其中该垫高图案环绕像素电极。较佳的，前述的像素电极，其中上述主动元件包括栅极、通道层、源极与漏极。通道层电性绝缘于栅极，而源极与漏极连接于通道层。栅极连接至扫描线，源极连接至数据线，而漏极连接至像素电极。源极、漏极与电容电极都设置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。另外，栅极设置于第一绝缘层与可挠性基板之间。较佳的，前述的像素电极，其中该电容电极位于第一绝缘层与可挠性基板之间。通过上述技术方案，本专利技术像素结构至少具有下列优点及有益效果:本专利技术的像素结构将元件设置于可挠性基板上而具有可挠性，另外，本专利技术的像素结构中设置有多个不重叠导电电极的垫高柱，故像素结构在外力撞击之下，这些垫高柱可以承受外力并且将外力导至可挠性基板，使导电电极不受外力冲击而不容易发生破损。如此一来，本专利技术的像素电极可以具有理想的耐冲击性，且不容易碎裂而具有理想的信赖性。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【附图说明】图1绘示为本专利技术实施例的像素结构的仰视示意图。图2绘示为图1的像素结构沿剖线1-1的剖面示意图。图3至图8绘示为图1的像素结构中数个膜层的仰视示意图。图9绘示为本专利技术另一实施例的像素结构的剖面示意图。【主要元件符号说明】100、200:像素结构110:可挠性基板120:主动元件130:像素电极132:像素电极开口140、240:电容电极142、242:电容电极开口150、250:辅助电极152、252:辅助电极开口160:第一绝缘层162、172、174:接触窗170:第二绝缘层180:垫高结构182:垫高柱184:垫高图案190:扫描线192:数据线C:通道层D:漏极d:距离G:栅极1-1’:线 Ml:第一导体层M2:第二导体层M3:第三导体层S:源极【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种像素结构的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1绘示为本专利技术实施例的像素结构的仰视示意图，而图2绘示为图1的像素结构沿剖线1-1的剖面示意图。请参照图1与图2，像素结构100包括有可挠性基板110、主动元件120、像素电极130、电容电极140、辅助电极150、第一绝缘层160、第二绝缘层170以及垫高结构180。其中，主动元件120、像素电极130、电容电极140、辅助电极150、第一绝缘层160、第二绝缘层170以及垫高结构180都配置于可挠性基板110上。第一绝缘层160配置于像素电极130与可挠性基板110之间。第二绝缘层170配置于像素电极130与电容电极140之间。另外，垫高结构180配置于可挠性基板110上，并包括多个垫高柱182以及垫高图案184。在本实施例中，可挠性基板110上还设置有扫描线190与数据线192，以用来驱动主动元件120。详言之，主动元件120设置于第二绝缘层170与可挠性基板110之间，并且包括有栅极G、通道层C、源极S与漏极D。通道层C位于栅极G上方，且第一绝缘层160位于栅极G与通道层C之间。源极S与漏极D连接于通道层C。栅极G连接于扫描线190，源极S连接于数据线192而像素电极130则连接至漏极D。也就是说，主动元件120在此为一薄膜晶体管。辅助电极150、电容电极140与像素电极130依序地叠置于前一者上方。辅助电极150位于像素电极130与可挠性基板110之间，而电容电极140位于像素电极130与辅助电极150之间。以电性上的连接关系而言，像素电极130电性连接于主动元件120，而且电性连接于辅助电极150。为了实现像素电极130的连接关系，第二绝缘层170具有接触窗172与接触窗174，而第一绝缘层160具有接触窗162。在此，接触窗172暴露出主动元件120的漏极D，而接触窗162与接触窗174彼此对应并暴露出辅助电极150。因此，像素电极130可以通过接触窗172实体连接于漏极D而与漏极D导通，也可以通过接触窗162与接触窗174实体连接于辅助电极150而与辅助电极150导通。另外，电容电极140与像素电极130没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于其包括：可挠性基板；主动元件，配置于该可挠性基板上；像素电极，配置于该可挠性基板上，并且电性连接于该主动元件，其中该像素电极具有多个像素电极开口；电容电极，配置于该可挠性基板上，重叠于该像素电极并且该电容电极具有多个电容电极开口，对应于所述多个像素电极开口；第一绝缘层，配置于该像素电极与该可挠性基板之间；第二绝缘层，配置于该像素电极与该电容电极之间，且该主动元件设置于该第二绝缘层与该可挠性基板之间；以及垫高结构，配置于该可挠性基板上，该垫高结构包括多个垫高柱以及垫高图案，该垫高图案覆盖于该主动元件上而所述多个垫高柱分别位于所述多个像素电极开口中，其中该像素电极部分地覆盖于该垫高图案上而暴露出所述多个垫高柱。

【技术特征摘要】
2013.01.04 TW 1021002991.一种像素结构，其特征在于其包括: 可挠性基板； 主动元件，配置于该可挠性基板上； 像素电极，配置于该可挠性基板上，并且电性连接于该主动元件，其中该像素电极具有多个像素电极开口； 电容电极，配置于该可挠性基板上，重叠于该像素电极并且该电容电极具有多个电容电极开口，对应于所述多个像素电极开口 ； 第一绝缘层，配置于该像素电极与该可挠性基板之间； 第二绝缘层，配置于该像素电极与该电容电极之间，且该主动元件设置于该第二绝缘层与该可挠性基板之间；以及 垫高结构，配置于该可挠性基板上，该垫高结构包括多个垫高柱以及垫高图案，该垫高图案覆盖于该主动元件上而所述多个垫高柱分别位于所述多个像素电极开口中，其中该像素电极部分地覆盖于该垫高图案上而暴露出所述多个垫高柱。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于其更包括辅助电极，配置于该可挠性基板与该像素电极之间，并且电性连接该像素电极，其中该辅助电极具有多个辅助电极开口，对应于所述多个像素电极开口以及所述多个电容电极开口。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于其中该电容电极位于该辅助电极与该像素电极之间，且该第一绝缘层位于该辅助电极与该电容电极之间。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：江明盛，王志诚，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71