电抗功率合成器制造技术

本实用新型专利技术公开一种电抗功率合成器，包括：PCB基板、位于此PCB基板上相互隔离的第一金属微带线、第二金属微带线和输出金属区，此第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二金属微带线之间的夹角为30~60度。本实用新型专利技术电抗功率合成器在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种电抗功率合成器，包括：PCB基板、位于此PCB基板上相互隔离的第一金属微带线、第二金属微带线和输出金属区，此第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二金属微带线之间的夹角为30~60度。本技术电抗功率合成器在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗。【专利说明】电抗功率合成器
本技术涉及一种功率合成器，尤其涉及一种用于射频信号的电抗功率合成器。
技术介绍
在功率放大应用中，需要将多个功率放大管的输出通过功率合成器来增加输出功率。传统的功率合成器的结构是两路微带线威尔金森功率合成器，如下图1所示。假设各端口的负载等于传输线的特性阻抗Z0，当从端口 2和端口 3等功率输入时，端口 I将合成高于端口 2 (或端口 3)3dB的输出功率。这种功率合成器的优点是结构简单，带宽较宽，隔离电阻(2Z0)使端口 2和端口 3之间能获得较好的隔离性能，但由于采用了微带线结构，使得威尔金森功率合成器的版图面积较大，另外就是插入损耗较大，难以应用于更高功率合成。
技术实现思路
本技术提供一种电抗功率合成器，此电抗功率合成器在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是:一种电抗功率合成器，包括:PCB基板、位于此PCB基板上相互隔离的第一金属微带线、第二金属微带线和用于输出射频信号的输出金属区，此第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二 金属微带线之间的夹角为30飞0度。上述技术方案中进一步的改进技术方案如下:1.上述方案中，所述电阻与第一输入金属区、第二输入金属区通过助焊层电连接，所述第一电容两端与第一金属微带线和输出金属区之间通过助焊层电连接，所述第二电容两端与第二金属微带线和输出金属区之间通过助焊层电连接。2.上述方案中，所述输出金属区、第一输入金属区、第二输入金属区的阻抗均为50 Ω。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点:本技术电抗功率合成器，其第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二金属微带线之间的夹角为30飞0度，在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗。【专利附图】【附图说明】附图1为现有功率合成器结构示意图；附图2为本技术电抗功率合成器结构示意图；附图3为本技术电抗功率合成器局部剖面示意图一；附图4为本技术电抗功率合成器局部剖面示意图二。以上附图中:1、PCB基板；2、第一金属微带线；3、第二金属微带线；4、输出金属区；5、第一输入金属区；6、第二输入金属区；7、第一电容；8、第二电容；9、电阻；10、助焊层。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述:实施例:一种电抗功率合成器，包括:PCB基板1、位于此PCB基板I上相互隔离的第一金属微带线2、第二金属微带线3和用于输出射频信号的输出金属区4，此第一金属微带线2、第二微带线3 —端分别连接到用于接收射频信号的第一输入金属区5、第二输入金属区6 ;所述第一金属微带线2与输出金属区4之间设有第一电容7，所述第二金属微带线3与输出金属区4之间设有第二电容8 ;—电阻9跨接于第一输入金属区5、第二输入金属区6之间，所述第一金属微带线2、第二金属微带线3之间的夹角为30-60度。上述电阻9与第一输入金属区5、第二输入金属区6通过助焊层10电连接，所述第一电容7两端与第一金属微带线2和输出金属区4之间通过助焊层10电连接，所述第二电容8两端与第二金属微带线3和输出金属区4之间通过助焊层10电连接。上述输出金 属区4、第一输入金属区5、第二输入金属区6的阻抗均为50 Ω。采用了高Q值电容谐振电路的结构，在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗，端口 2和端口 3的两个分叉支路由原来的四分之一波长微带线改进为一个高Q值电容与一段微带线串联组成谐振电路。高Q值电容的引入在减小版图面积的同时也降低了插入损耗。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种电抗功率合成器,其特征在于:包括:PCB基板(I)、位于此PCB基板(I)上相互隔离的第一金属微带线(2)、第二金属微带线(3)和用于输出射频信号的输出金属区(4)，此第一金属微带线(2)、第二微带线(3)—端分别连接到用于接收射频信号的第一输入金属区(5)、第二输入金属区(6);所述第一金属微带线(2)与输出金属区(4)之间设有第一电容(7)，所述第二金属微带线(3)与输出金属区(4)之间设有第二电容(8);—电阻(9)跨接于第一输入金属区(5)、第二输入金属区(6)之间,所述第一金属微带线(2)、第二金属微带线(3)之间的夹角为30-60度。2.根据权利要求1所述的电抗功率合成器，其特征在于:所述电阻(9)与第一输入金属区(5)、第二输入金属区(6)通过助焊层(10)电连接，所述第一电容(7)两端与第一金属微带线(2)和输出金属区(4)之间通过助焊层(10)电连接，所述第二电容(8)两端与第二金属微带线(3)和输出金属区(4)之间通过助焊层(10)电连接。3.根据权 利要求1所述的电抗功率合成器，其特征在于:所述输出金属区(4)、第一输入金属区(5)、第二输入金属区(6)的阻抗均为50 Ω。【文档编号】H01P5/12GK203690466SQ201320860299【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日 【专利技术者】薛红喜, 缪卫明 申请人:昆山美博通讯科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电抗功率合成器，其特征在于：包括：PCB基板（1）、位于此PCB基板（1）上相互隔离的第一金属微带线（2）、第二金属微带线（3）和用于输出射频信号的输出金属区（4），此第一金属微带线（2）、第二微带线（3）一端分别连接到用于接收射频信号的第一输入金属区（5）、第二输入金属区（6）；所述第一金属微带线（2）与输出金属区（4）之间设有第一电容（7），所述第二金属微带线（3）与输出金属区（4）之间设有第二电容（8）；一电阻（9）跨接于第一输入金属区（5）、第二输入金属区（6）之间，所述第一金属微带线（2）、第二金属微带线（3）之间的夹角为30~60度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛红喜，缪卫明，
申请(专利权)人：昆山美博通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32