发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，包括一基板、一光电结构以及一粗糙结构。基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的环状侧表面，光电结构配置在基板的上表面上，粗糙结构形成在基板的环状侧表面上。基板的厚度与粗糙结构的厚度的比值大于1且小于20，藉此可有效提升发光元件整体的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种发光元件，包括一基板、一光电结构以及一粗糙结构。基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的环状侧表面，光电结构配置在基板的上表面上，粗糙结构形成在基板的环状侧表面上。基板的厚度与粗糙结构的厚度的比值大于1且小于20，藉此可有效提升发光元件整体的出光效率。【专利说明】发光元件
本专利技术是有关于一 种发光元件，且特别是有关于一种可增加出光效率(light-emitting efficiency)的发光元件。
技术介绍
一般而言，在制作发光二极管晶圆时，通常是先提供一基板，利用磊晶成长方式，在基板上形成一磊晶结构，接着在磊晶结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成多个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出一发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。由于利用现有的切割技术所获得的发光二极管的侧壁为平面状，加上发光二极管的材料与空气的折射率差异，因此从发光二极管所发出的光只有少数可从其侧面出射，大部分的光会在发光二极管侧面处产生全反射，而无法进一步利用由侧面出射的光，影响发光二极管的侧面的出光效率，进而降低发光二极管的发光亮度。因此，如何改善发光二极管侧面出光量来提升整体的出光效率便成为了目前亟需解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件，具有形成在基板的环状侧表面上的粗糙结构，可有效提升整体的出光效率。本专利技术提供一种发光兀件，其包括一基板、一光电结构以及一粗糙结构。基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的环状侧表面，光电结构配置在基板的上表面上，粗糖结构形成在基板的环状侧表面上。基板的厚度与粗糖结构的厚度的比值大于I且小于20。在本专利技术的一实施例中，上述的基板的厚度与粗糙结构的厚度的比值大于等于3且小于等于10。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构的厚度大于等于10微米且小于等于50微米。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构相对邻近基板的上表面的一侧至基板的上表面的距离大于等于10微米且小于等于150微米。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构相对邻近基板的下表面的一侧至基板的下表面的距离大于等于O微米且小于等于100微米。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构包括一环状粗糙结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的环状粗糙结构包括一环状连续粗糙结构。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构包括多个环状粗糙结构。在本专利技术的一实施例中，上述的环状粗糙结构是以不等间距形成在基板的环状侧表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的环状粗糙结构之间部分重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的粗糙结构是由一非周期性图案所组成。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件为一覆晶式发光元件。在本专利技术的一实施例中，上述的光电结构包括一第一电极、一第二电极、一第一型半导体层、一第二型半导体层以及一发光层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，且第一电极与第二电极分别配置在第一型半导体层与第二型半导体层上。基于上述，由于本专利技术的发光元件具有粗糙结构，因此当光电结构发出光线时，可通过此粗糙结构来增加光的散射，可避免射至发光元件的侧面的光产生全反射，进而可提升整体发光元件的出光效率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1示出为本专利技术的一实施例的一种发光元件的示意图；图2A示出为本专利技术的另一实施例的一种发光元件的示意图；图2B示出为本专利技术的一实施例的基板与粗糙结构相对位置的示意图；图3示出为本专利技术的又一实施例的一种发光元件的示意图；图4示出为本专利技术的再一实施例的一种发光元件的示意图；图5示出为本专利技术的一种发光元件覆晶结合于一承载板的示意图。附图标记说明:100a、100b、100c、IOOcU IOOe:发光元件；110:基板；112:上表面；114:下表面；116:环状侧表面；120a、120b:光电结构；121a、121b:第一电极；123a、123b:第二电极；125a、125b:第一型半导体层；127a、127b:第二型半导体层；129a、129b:发光层；130a、130bl、130b2:粗糙结构；130c、130d:环状粗糙结构；200:承载板；D1、D2 :距离；t:厚度；T:厚度。【具体实施方式】图1示出为本专利技术的一实施例的一种发光元件的示意图。请参考图1，在本实施例中，发光元件IOOa包括一基板110、一光电结构120a以及一粗糙结构130a。基板110具有彼此相对的一上表面112与一下表面114以及一连接上表面112与下表面114的环状侧表面116，光电结构120a配置在基板110的上表面112上，粗糙结构130a形成在基板110的环状侧表面116上。特别是，基板110的厚度T与粗糙结构130a的厚度t的比值例如是大于I且小于20。更具体来说，光电结构120a例如是由一第一电极121a、一第二电极123a、一第一型半导体层125a、一第二型半导体层127a以及一发光层129a所组成，用以产生光线。此处，第一型半导体层125a、发光层129a以及第二型半导体层127a例如是通过磊晶成长的方式依序形成在基板110的上表面112上。第一型半导体层125a、第二型半导体层127a以及发光层129a的材料例如是选自磷化铝镓铟(AlGaInP)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)与氮化铝铟镓(AlInGaN)及其组合所组成的族群。第一电极121a与第二电极123a的材质例如是金属或金属合金等导体材料所构成，其中第一电极121a与第二电极123a分别配置在第一型半导体层125a与第二型半导体层127a上。为了增加光取出效率，必须避免光电结构120a的发光层129a所发出的光线被基板110吸收，因此本实施例的基板110的材质例如是一透明材料，其中透明材料选自于蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)以及具有六方体系结晶材料所构成群组中的一种材料而形成。特别是，粗糙结构130a例如是通过一隐形雷射法(StealthDicing)的切割技术形成在基板110的环状侧表面116上,用以散射来自于发光层129a的光线。较佳地，基板110的厚度T与粗糙结构130a的厚度t的比值大于等于3且小于等于10。此处，粗糙结构130a的厚度t例如是大于等于10微米且小于等于50微米，粗糙结构130a相对邻近基板110的上表面112的一侧至基板110的上表面112的距离Dl例如是大于等于10微米且小于等于150微米，粗糙结构130a相对邻近基板110的下表面114的一侧至基板110的下表面114的距离D2例如是大于等于O微米且小于等于100微米。再者，本实施例的粗糙结构130a例如是一环状粗糙结构，其中此环状粗糙结构可为一环状连续粗糙结构。当然，在其他实施例中，粗糙结构也可为其他型态的结构类型。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，包括：一基板，具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接该上表面与该下表面的环状侧表面；一光电结构，配置在该基板的该上表面上；以及一粗糙结构，形成在该基板的该环状侧表面上，其中该基板的厚度与该粗糙结构的厚度的比值大于1且小于20。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，黄靖恩，吴志凌，罗玉云，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71