一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。【专利说明】氮化物半导体发光装置
本专利技术是涉及在投影机等的显示器和激光加工装置所使用的半导体发光装置的专利技术。特别是涉及使用了发出出射光的波长为从紫外光到蓝色光的光、且出射光强度大的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光装置的专利技术。
技术介绍
作为激光显示器和投影机等的图像显示装置的光源，和激光划片装置、薄膜的退火装置等的工业用加工装置的光源用途，半导体激光器等使用了氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光装置得到积极开发。这些氮化物半导体发光元件的出射光，其波长从紫外光到蓝色光，另外也有光输出功率超过I瓦特的能量非常大的情况。因此，对于装配有氮化物半导体发光元件的封装也需要进行各种筹划。面对这样的背景，在现有的氮化物半导体发光装置中，例如，如专利文献I中说明的，使用搭载有出射光的波长为红外和红色的半导体激光器的半导体发光装置同样的封装构造。具体来说，半导体发光装置中，将半导体发光元件装配在金属制的基台上，其后，用安装有透光窗的帽构件密封。利用此构成，不仅从外部对于半导体发光元件进行密封，而且实现了来自半导体发光元件的散热和使来自半导体发光元件的光引出到外部的并立。以下，首先，利用图11对于现有的半导体发光装置进行说明。现有的半导体发光装置1000，由半导体激光器元件1030、次基台(寸> 卜:sub-mount) 1010、封装1040、帽构件1100构成，封装1040由如下构成:由铁系材料构成的芯柱(^ r A:stem)1001 ;安装在芯柱1001上的由无氧铜构成的台座部1002 ;经由以玻璃构成的绝缘环1020而安装于芯柱1001的贯通孔1001a、IOOlb的引针1004、1005和直接安装在芯柱1001上的引针1003。半导体激光器元件1030经由次基台1010而装配在台座部1002上，通过2条导线1008、1009而与引针1004、1005电连接。另外，帽构件1100，由科伐合金(〕〃一& =Kovar)构成的金属帽1103和被低熔点玻璃1105固定的由玻璃构成的透光窗1104构成。金属帽1103具备如下:圆筒状的侧壁部1101 ;闭合侧壁部1101的一端，且形成有将来自半导体激光器元件1030的激光引出到外部的出射孔1102a的顶面部1102 ；配设于侧壁部1101的另一端，且用于在设置有半导体激光器元件1030的芯柱1001的上表面通过电阻焊而使帽构件1100密接的凸缘部1103a。另外，在出射孔1102a，透光窗1104以堵塞开口部的方式被安装于顶面部1102。另一方面，对于这样的封装构成，在专利文献2中提出有一种散热性和气密性兼顾的封装构造。以下，使用图12对于现有的半导体发光装置2000的构成进行说明。在半导体发光装置2000中，在固定半导体激光器元件2030的封装2040的芯柱2001上，在与帽2100焊接接合的部位通过银钎焊固着形成焊接辅助构件2015。在该焊接辅助构件2015上焊接接合帽2100。由此，芯柱2001和帽2100经由焊接辅助构件2015接合，因此能够不用考虑帽2100和芯柱2001的焊接性而选择芯柱2001的构成材料。其结果是，从半导体激光器元件2030发生的热通过次基台2010、元件固定台座2002、芯柱2001的路径而被高效率地释放到外部，可以使半导体激光器元件2030的发生热的散热性提高。先行技术文献专利文献专利文献1:特开2009-135235号公报专利文献2:特开2001-358398号公报在上述这样的构成中，使用了现有的封装的氮化物半导体发光装置中可列举如下课题。首先，在图11所示的专利技术中，安装有帽构件的芯柱使用的是Fe系材料，因此热传导率不充分，半导体发光元件的高输出功率化困难。另一方面，在图12所示这样的专利技术中，虽然芯柱可以使用热传导率高的材料，但是根据本申请【专利技术者】们的研究能够确认，基于用于芯柱的材料，会产生氮化物半导体发光元件的特性劣化这一现象。
技术实现思路
本专利技术是解决上述课题的专利技术，其第一目的在于，在封装有氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光装置中，抑制氮化物半导体发光元件的特性劣化。此外，其第二目的在于，将由氮化物半导体发光元件发生的焦耳热高效率地向封装外部排放，从而实现使特性劣化的抑制和散热性的提高得以兼顾的半导体发光装置。本专利技术的氮化物半导体发光装置，其特征在于，具备如下:氮化物半导体发光元件；保持氮化物半导体发光元件、且以第一金属为主成分的基台；固着在基台上的帽；形成于基台的开口部；通过开口部的引针，并且，引针以从该引针侧顺次将绝缘构件和缓冲构件夹在该引针与开口部的内壁之间的方式被固定于开口部的内壁，绝缘构件的成分中含有硅氧化物，缓冲构件由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。据此构成，基台与成分中含有硅氧化物的绝缘构件被缓冲构件分离，因此能够抑制氮化物半导体发光元件的特性劣化。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选基台以Cu为主成分。据此构成，能够将从氮化物半导体发光元件发生的焦耳热高效率地排放到封装外部，并且能够抑制氮化物半导体发光元件的特性劣化。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选缓冲构件由Fe、N1、Co、Cr、T1、Al、Mg、Mo、W的任意一种或含有这些金属的任意一种的合金构成。据此构成，能够将从氮化物半导体发光元件发生的焦耳热高效率地排放到封装外部，并且能够抑制氮化物半导体发光元件的特性劣化。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选缓冲构件由Fe或Fe合金构成。据此构成，能够有效地抑制氮化物半导体发光元件的特性劣化。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选缓冲构件的热膨胀系数是与绝缘构件的热膨胀系数同等或较大。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选引针的热膨胀系数是与绝缘构件的热膨胀系数同等或较小。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选基台的热膨胀系数是与缓冲构件的热膨胀系数同等或较大。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，由基台和帽所密封的气氛含有氧也可。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，优选从氮化物半导体发光元件出射的光密度为100MW/cm2以上。据此构成，能够使氮化物半导体发光装置的光输出功率达到瓦特以上，并且能够抑制氮化物半导体发光元件的长期驱动中的特性劣化。在本专利技术的氮化物半导体发光装置中，作为优选，基台具备:形成有开口部的底座、和与底座连接的柱，底座具有:面对氮化物半导体发光元件的主面、和与该主面相反一侧的固定面，柱具有相对于底座的主面垂本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光装置，其特征在于，具备：氮化物半导体发光元件；基台，其保持所述氮化物半导体发光元件，且以第一金属为主成分；帽，其固着在所述基台上；开口部，其形成于所述基台；和引针，其通过所述开口部，并且，所述引针以从该引针侧顺次将绝缘构件和缓冲构件夹在该引针和该开口部的内壁之间的方式被固定于所述开口部的内壁，所述绝缘构件的成分含有硅氧化物，所述缓冲构件由比所述第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属、或含有该第二金属的合金构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中一彦，吉田真治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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