【技术实现步骤摘要】
嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别是涉及嵌入式Flash(闪存)存储器中5V耗尽器件的制造方法。
技术介绍
目前,嵌入式Flash存储器中5V耗尽器件的制造工艺流程如下(参见图1):步骤1,DVTNmos(5V耗尽器件)区域光刻以及砷和硼注入,如图1(a)所示。DVTNmos区域的注入可以单独调节阈值电压,且在注入后没有湿法去除耗尽器件沟道表面的氧化层。步骤2,Flashcell(闪存存储单元)区域光刻以及砷和硼注入,如图1(b)所示。然后湿法去除Flash存储单元沟道区域的氧化层残留。同样Flashcell区域的注入也可以单独调节Flashcell的阈值电压而不会影响到其他器件。步骤3,炉管生长SONOS(硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅)存储器的ONO(氧化硅-氮化硅-氧化硅)介电质层,干法刻蚀去除晶圆背部氮化硅层,如图1(c)所示。步骤4,干法刻蚀Flashcell区域以外的ONO介电质层,如图1(d)所示。步骤5,生长5V耗尽器件的栅氧化层、poly(多晶硅)层和Spacer(间隔)层,如图1(e)所示。上述方法是通过增加沟道区注入的掩膜版,调节5V耗尽器件的阈值电压,以达到器件的应用需求,这导致掩膜版数量增多,增加了器件的制造成本,从而导致产品的市场竞争力下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法,它可以减少掩膜版的使用数量。为解决上述技术问题,本专利技术的嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法,在生长SONOS存储器的ONO介电质层之前,进行以下步骤 ...
【技术保护点】
嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法,其特征在于,在生长SONOS存储器的ONO介电质层之前,进行以下步骤:1)通过光刻形成闪存存储单元和5V耗尽器件的结构;2)在闪存存储单元和5V耗尽器件的沟道区域注入砷和硼;3)去除闪存存储单元和5V耗尽器件的沟道表面的氧化层。
【技术特征摘要】
1.嵌入式闪存存储器中5V耗尽器件的制造方法,其特征在于,在生长SONOS存储器的ONO介电质层之前,进行以下步骤:1)通过光刻形成闪存存储单元和5V耗尽器件的结构;2)在闪...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨志,张可钢,陈广龙,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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