基于硅片刻穿的体硅加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明专利技术能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）在硅片背面镀金属膜；（3）用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；（5）去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：涂良成，刘金全，范继，伍文杰，罗俊，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42