透明导电基板、其制造方法，以及具有其的触控面板技术

一种透明导电基板、其制造方法，以及包括其的触控面板。所述透明导电基板包括在玻璃基板上依次提供的第一薄膜层、第二薄膜层和透明导电膜。所述第一薄膜层具有在550nm波长下在2.2至2.7范围内的折射率以及在7.6nm至9.4nm范围内的厚度。所述第二薄膜层具有在550nm波长下在1.4至1.5范围内的折射率以及在37nm至46.2nm范围内的厚度。所述透明导电膜由透明导电材料制成，所述透明导电材料具有在550nm波长下在1.8至2.0范围内的折射率材料。所述透明导电膜的所述厚度在24nm至38.5nm范围内。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种透明导电基板、其制造方法，以及包括其的触控面板。所述透明导电基板包括在玻璃基板上依次提供的第一薄膜层、第二薄膜层和透明导电膜。所述第一薄膜层具有在550nm波长下在2.2至2.7范围内的折射率以及在7.6nm至9.4nm范围内的厚度。所述第二薄膜层具有在550nm波长下在1.4至1.5范围内的折射率以及在37nm至46.2nm范围内的厚度。所述透明导电膜由透明导电材料制成，所述透明导电材料具有在550nm波长下在1.8至2.0范围内的折射率材料。所述透明导电膜的所述厚度在24nm至38.5nm范围内。【专利说明】透明导电基板、其制造方法，以及具有其的触控面板相关申请的交叉引用本申请要求于2012年12月27日提交的韩国专利申请10-2012-0154400的优先权，其全部内容为了所有的目的通过引用合并于此。
本专利技术涉及透明导电基板、其制造方法，以及包括其的触控面板，并且更特别地涉及触控面板中使用的透明导电基板、其制造方法，以及包括其的触控面板。
技术介绍
通常，触控面板是指设置在诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示器面板(PDP)、电致发光(EL)装置等的显示器装置的表面上的装置，所述装置使得当用户在观察显示器装置的屏幕时用手指或诸如触笔(stylus)的输入装置触摸触控面板时可以输出信号。最近，触控面板被广泛用于多种电子装置，例如个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、光放大器(OA)装置、医疗器械或汽车导航系统。根据检测位置的技术，该触控面板可分为电阻膜类型、电容类型、超声波类型，红外(IR)辐射类型等。配置电阻膜类型使得两个基板连接在一起从而透明的电极层在点隔片的两侧上彼此相对，所述两个基板各自涂有透明的电极层(氧化铟锡(ITO)薄膜)。当手指、笔等触摸上部基板时，应用测定位置的信号。当上部基板邻接下部基板的透明的电极层时，通过检测电信号来测定位置。该技术的优势是高响应速率和经济竞争力，然而缺点是低耐性和易碎性。配置电容类型，使得通过用导电金属材料涂覆触摸屏传感器的基板薄膜的一个表面而形成透明的电极，其中使特定量的电流沿玻璃表面流动。当用户触摸屏幕时，通过识别电流量由于人体的电容而改变处的位置和计算触摸位置的尺寸来测定触摸位置。该技术的优势是优良的耐性和高透射率，然而缺点是难以用笔或戴手套的手操作触控面板，因为该技术使用人体的电容。超声波类型使用基于压电效应的压电装置，并通过响应于触摸触控面板从压电装置在X和Y方向以交替方式生成表面波，通过计算各输入点的距离来测定位置。尽管该技术实现了高清晰度和高光透射率，但缺陷是传感器易受污染物和液体影响。IR辐射类型具有矩阵结构，其中多个发光装置和多个光检测器设置在面板周围。当光被用户中断时，通过获取中断的位置的X和Y坐标来测定输入坐标。尽管该技术具有高光透射率以及对外部碰撞和刮擦的强耐性，但缺陷是尺寸大、对不准确触摸识别差以及响应速率慢。在这些技术中，电阻膜类型和电容类型是最主流的技术。这些技术使用透明导电基板，所述透明导电基板通过用由例如，氧化铟锡(ITO)制成的透明导电膜涂覆基底基板而提供，以便检测触摸位置。在该透明导电基板中，为了改进透射率并防止图案化的透明导电膜的图案的形状被视觉上显示，在基底基板和透明导电膜之间插入折射率匹配层(index matchinglayer)，所述折射率匹配层包括中折射率薄膜和低折射率薄膜。韩国专利应用公开第10-2011-0049553号(2011年5月12日)中公开了折射率匹配层的技术。为了降低在透明导电膜上形成的图案的宽度，透明导电膜的电阻率需要较低。而且，为了具有低电阻率，需要增加透明导电膜的厚度。然而，这引起了透射率降低的问题。而且，当在折射率匹配层上提供了厚的透明导电膜时，整个透明导电基板的厚度增加并且触控面板的厚度也增加，这就成了问题。专利技术背景部分中公开的信息仅提供对专利技术背景的更好的理解，而不得视为承认或以任何形式建议该信息形成本领域技术人员已知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的各方面提供其中光学性能和电性能得以优化的透明导电基板、其制造方法，和包括其的触控面板。在本专利技术的方面，提供了透明导电基板，包括:玻璃基板；在所述玻璃基板上提供的第一薄膜层，其中所述第一薄膜层在550nm波长下的折射率在2.2至2.7范围内，并且所述第一薄膜层的厚度在7.6nm至9.4nm范围内；在所述第一薄膜层上提供的第二薄膜层，其中所述第二薄膜层在550nm波长下的折射率在1.4至1.5范围内，并且所述第二薄膜层的厚度在37nm至46.2nm范围内；以及在所述第二薄膜上提供的透明导电膜，其中所述透明导电膜由透明导电材料制成，所述透明导电材料在550nm波长下的折射率在1.8至2.0范围内，并且所述透明导电膜的厚度在24nm至38.5nm范围内。根据本专利技术的实施方式，所述第一薄膜层可由Nb2O5制成。所述第二薄膜层可由SiO2制成。所述透明导电材料可含有氧化铟锡(ITO)。所述透明导电膜可包括图案化区域和非图案化区域，所述图案化区域中除去所述透明导电材料，所述非图案化区域中未除去所述透明导电材料。所述图案化区域和所述非图案化区域在400nm至700nm范围内的波长下的平均反射率之差为1%以下。所述玻璃基板可由柔性玻璃制成。所述透明导电膜的薄层电阻可为50Ω / □以下。在本专利技术的另一方面，提供了制造透明导电基板的方法。所述方法包括以下步骤:在柔性玻璃基板上形成第一薄膜层，所述第一薄膜层包括Nb2O5，并且所述第一薄膜层的厚度在7.6nm至9.4nm范围内；在所述第一薄膜层上形成第二薄膜层，所述第二薄膜层包括SiO2,并且所述第二薄膜层的厚度在37nm至46.2nm范围内；以及在所述第二薄膜层上形成透明导电膜，所述透明导电膜包括氧化铟锡(ITO)，并且所述透明导电膜的厚度在24nm至38.5nm范围内。所述第一薄膜层、所述第二薄膜层和所述透明导电膜通过卷对卷(roll-to-roll)溅射沉积而形成。所述方法可进一步包括在形成所述透明导电膜的步骤之后通过退火来结晶所述透明导电膜的步骤。所述方法可进一步包括在形成所述透明导电膜的步骤之后和结晶所述透明导电膜的步骤之前，使所述透明导电膜图案化为图案化区域和非图案化区域，所述图案化区域中除去所述透明导电膜，所述非图案化区域未除去所述透明导电膜。在本专利技术的另一方面，提供了包括上述透明导电基板的触控面板。根据本专利技术的实施方式，所述透明导电膜在550nm波长下的透射率为87.5%以上，且所述透明导电膜在400nm至700nm范围内的波长下的平均透射率为87%以上。而且，CIELab中b*(D65)的透射率为I以下。当将透明导电膜图案化时，所述图案化区域和所述非图案化区域在400nm至700nm范围内的波长下的平均反射率之差为1%以下。而且，在玻璃基板上使用卷对卷设备依次形成所述第一薄膜层、所述第二薄膜层和所述透明导电膜，因此可以改进所述透明导电基板的制造效率。本专利技术的方法和装置具有的其它特征和优点将通过附图变得明了或在附图中阐明更多细节，所述附图合并于此，在下面的专利技术详述中，连同附图一起用来解释本专利技术的特定原理。【专利附图】【附图说明】图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电基板，包括：玻璃基板；在所述玻璃基板上提供的第一薄膜层，其中所述第一薄膜层在550nm波长下的折射率在2.2至2.7范围内，并且所述第一薄膜层的厚度在7.6nm至9.4nm范围内；在所述第一薄膜层上提供的第二薄膜层，其中所述第二薄膜层在550nm波长下的折射率在1.4至1.5范围内，并且所述第二薄膜层的厚度在37nm至46.2nm范围内；和在所述第二薄膜上提供的透明导电膜，其中所述透明导电膜包括透明导电材料，所述透明导电材料在550nm波长下的折射率在1.8至2.0范围内，并且所述透明导电膜的厚度在24nm至38.5nm范围内。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：安阵修，吴定烘，李在弘，林昌默，
申请(专利权)人：三星康宁精密素材株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR