一种可实现电压信号无损失传递的模拟开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种可实现电压信号无损失传递的模拟开关电路，其包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5，PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3，电容C0，传输门SW0，非门NG1、非门NG2、非门NG3。本发明专利技术通过各个电子元器件的巧妙连接，使模拟开关电路的输入电压信号VIN等于输出电压信号VOUT，从而实现电压信号无损失传递，保证开关前后的信号有良好的线性度，使电压信号传递不失真。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可实现电压信号无损失传递的模拟开关电路，其特征在于：包括NMOS管（N1）、NMOS管（N2）、NMOS管（N3）、NMOS管（N4）、NMOS管（N5），PMOS管（P1）、PMOS管（P2）、PMOS管（P3），电容（C0），传输门（SW0），非门（NG1）、非门（NG2）、非门（NG3）；所述非门（NG1）输入端与开关信号（EN）连接，非门（NG1）输出端与非门（NG2）输入端连接，非门（NG2）输出端与PMOS管（P1）栅极、NMOS管（N1）栅极、非门（NG3）输入端连接，PMOS管（P1）源极与电源（VDD）、PMOS管（P2）源极、NMOS管（N3）栅极连接，PMOS管（P1）漏极与PMOS管（P3）栅极、NMOS管（N1）漏极连接，NMOS管（N1）源极与电容（C0）负极、传输门（SW0）一端、NMOS管（N2）漏极连接，非门（NG3）输出端与NMOS管（N2）栅极连接，NMOS管（N2）源极接地（VSS），PMOS管（P2）漏极与PMOS管（P3）源极、电容（C0）正极连接，PMOS管（P2）栅极与PMOS管（P3）漏极、NMOS管（N5）栅极、NMOS管（N3）源极连接，NMOS管（N3）漏极与NMOS管（N4）源极连接，NMOS管（N4）栅极与开关信号（EN_N）连接，NMOS管（N4）漏极接地（VSS），NMOS管（N5）源极与传输门（SW0）另一端、输入电压信号（VIN）连接，NMOS管（N5）漏极与输出电压信号（VOUT）连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成军，
申请(专利权)人：东莞博用电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44