边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板，所述像素单元和阵列基板均包括像素电极，所述像素电极包括支电极和连接支电极端部的端电极，所述像素单元和阵列基板还包括抑制电极，所述抑制电极设置在所述端电极远离所述支电极的一侧，且所述抑制电极靠近所述端电极一侧的边与所述端电极平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层上开设的槽或过孔与所述公共电极电连接。本发明专利技术通过设置抑制电极改变了像素电极的端电极周围的电场分布，减小了有效显示区域内的Y方向电场分量，从而可以减少或消除向错（disclination line）现象。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板，所述像素单元和阵列基板均包括像素电极，所述像素电极包括支电极和连接支电极端部的端电极，所述像素单元和阵列基板还包括抑制电极，所述抑制电极设置在所述端电极远离所述支电极的一侧，且所述抑制电极靠近所述端电极一侧的边与所述端电极平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层上开设的槽或过孔与所述公共电极电连接。本专利技术通过设置抑制电极改变了像素电极的端电极周围的电场分布，减小了有效显示区域内的Y方向电场分量，从而可以减少或消除向错（disclination?line）现象。【专利说明】边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元和阵列基板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种边缘场开关模式液晶显示装置像素单元和阵列基板。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-1XD)产品中，边缘场开关技术(Fringe Field Switching,简称FFS)能够提高平面内开关(In-Plane-Switching，简称IPS)模式液晶显示器的开口率和透射率。FFS模式的液晶显示器包括公共电极和像素电极，所述公共电极和像素电极通过绝缘层分离重叠排列，且两者之间的距离可控制为小于上下玻璃基板之间的距离，以便可以在公共电极与像素电极之间形成边缘场，由此，可以控制位于像素电极上方的液晶分子，克服传统的IPS液晶显示器像素电极正上方电场为垂直方向，液晶分子不受控制的缺陷，大大提高了液晶显示器的开口率和透射率。图1A是现有的FFS模式的液晶显示器像素单元的顶面示意图。图1B是现有的FFS模式的液晶显示器像素单元沿A-A’的截面示意图。如图1A和图1B所示，像素单元10包括梳状的像素电极11、面状的公共电极12和设置在两者之间的绝缘层13。其中，像素电极11包括平行设置的多个条状电极111和连接条状电极端部的端电极112。在像素电极11和公共电极12施加电压差后，端电极112会和公共电极12在Y方向(即所述条状电极的延伸的方向)形成电场分量EY。上述电场分量的存在会使得像素单元边缘处液晶分子排列不稳定，具体而言，Y方向的电场分量会影响液晶分子在XY平面的转动方向，引起向错(Disclination lines)现象。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提出一种边缘场开关模式液晶显示装置像素单元和阵列基板，弱化或者消除边缘场开关模式液晶显示装置像素电极的端电极造成的像素单元边缘处出现向错的问题。本专利技术公开了一种边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极以及设置在像素电极和公共电极之间的钝化层；所述像素电极包括至少两个平行设置的支电极和连接所述支电极端部的端电极；所述像素单元还包括抑制电极，所述抑制电极设置在所述端电极远离所述支电极的一侧，且所述抑制电极靠近所述端电极一侧的边与所述端电极平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层上开设的槽或过孔与所述公共电极电连接。优选地，所述抑制电极远离所述端电极一侧的边可以为直线形、折线形、曲线形。优选地，所述抑制电极的宽度大于3.5 μ m。优选地，所述端电极宽度为2?3.5 μ m。优选地，所述像素电极的支电极可以为条状、Z字形或鱼骨形。优选地，所述像素电极、所述公共电极和所述抑制电极均为透明电极。优选地，所述抑制电极在所述钝化层上方的厚度大于或等于所述端电极的厚度。优选地，所述抑制电极与所述端电极之间的距离小于所述钝化层厚度。本专利技术还公开了一种边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板，包括:彼此交叉设置的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域；设置在所述栅线和数据线交叉位置的开关器件；位于所述像素区域内的像素电极；覆盖所述阵列基板的公共电极；以及设置于所述像素电极和公共电极之间的钝化层；其中，所述像素电极包括至少两个平行设置的支电极和连接所述支电极端部的端电极；所述阵列基板还包括抑制电极，所述抑制电极设置在所述端电极远离所述支电极的一侧，且所述抑制电极靠近所述端电极一侧的边与所述端电极平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层上开设的槽或过孔与所述公共电极电连接。本专利技术通过设置与像素电极的端电极平行的抑制电极，改变了端电极周围垂直方向的电场分布，使得指向Y轴负方向的电场分量减少或消失，从而可以稳定控制像素单元边缘处可见区域的液晶分子的排布，抑制了向错和乱排现象的出现，提高了 FFS模式液晶显示器的显示质量。【专利附图】【附图说明】图1A是现有的FFS模式的液晶显示器像素单元的顶面示意图；图1B是现有的FFS模式的液晶显示器像素单元的沿A_A’的截面示意图；图2A是本专利技术第一实施例的像素单元的顶面示意图；图2B是本专利技术第一实施例的像素单元沿B-B’的截面示意图；图2C是本专利技术第一实施例的另一实施方式的顶面示意图；图3A是仿真获得的本实施例的像素单元的发光亮度分布示意图；图3B是仿真获得的现有技术的像素单元的发光亮度分布示意图；图4是本专利技术第一实施例的另一实施方式的像素单元的截面示意图；图5是本专利技术第二实施例的阵列基板的顶面示意图。【具体实施方式】下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。图2A是本专利技术第一实施例的像素单元的顶面示意图。图2B是本专利技术第一实施例的像素单元沿B-B’的截面示意图。如图2A和图2B所示,所述像素单元20包括像素电极21、公共电极22以及设置在像素电极21和公共电极22之间的钝化层23 (在图2A中以虚线形式示出)。所述像素电极21包括至少两个平行设置的支电极211和连接所述支电极端部的端电极212。所述像素单元20还包括抑制电极24，所述抑制电极24设置在所述端电极212远离所述支电极211的一侧，且所述抑制电极24靠近所述端电极212 —侧的边241与所述端电极212平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层23上开设的槽231或过孔231与所述公共电极22电连接。在本实施例中，所述公共电极22为覆盖像素区域的面状电极。同时，所述像素电极21、公共电极22和抑制电极24均为透明电极，所述透明电极可通过铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、上述材料的组合或其他透明导电材料制造。需要说明的是，所述公共电极22在像素区域还可以采用梳齿状，其齿状电极与所述支电极211间隔交替排列。在本实施例的一个优选实施方式中，所述端电极212的宽度被形成为2-3.5微米(Um)0所述支电极211的宽度被形成为2.2微米(μ m)。所述钝化层23厚度为0.2_0.3微米(μ m)。在本专利技术中，电极的“宽度”为电极在基板平面上，沿Y方向的尺寸。同时，电极的“厚度”是指电极沿阵列基板的层叠方向上的尺寸。需要说明的是，像素电极的支电极形状除形成为图中所示的条状外，还可以为Z字形、鱼骨型等。本实施例像素单元可以通过在形成所述钝化层23后，在所述钝化层23上所述端电极212远离所述支电极211的一侧的区域刻蚀多个过孔或与所述端电极212形状相同的槽，然后再沉积透明导电层，并图形化形成所述像素电极21和所述抑制电极24而获得。当然，本领本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种边缘场开关模式液晶显示装置的像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极以及设置在像素电极和公共电极之间的钝化层；所述像素电极包括至少两个平行设置的支电极和连接所述支电极端部的端电极；所述像素单元还包括抑制电极，所述抑制电极设置在所述端电极远离所述支电极的一侧，且所述抑制电极靠近所述端电极一侧的边与所述端电极平行延伸设置，同时，所述抑制电极通过所述钝化层上开设的槽或过孔与所述公共电极电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶岩溪，宋琼，沈柏平，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35