一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接，上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，NMOS管的栅极与低压控制模块的输出端连接。其中，本发明专利技术只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明专利技术电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接，上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，NMOS管的栅极与低压控制模块的输出端连接。其中，本专利技术只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本专利技术电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。【专利说明】—种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路
本专利技术涉及交流驱动LED
，尤其涉及一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT (即 level shift,电平转换)电路。
技术介绍
目前，交流驱动LED电路中使用到的高压PMOS管的栅源耐压(SP|Vgs|)—般小于数十伏，这就要求高压PMOS的栅极电压应相对于电源电压的压差保持恒定，而开关逻辑控制通常是使用低压电源输出(即交流驱动LED电路的低压控制模块输出)，因此需要LEVELSHIFT单元。常规的LEVELSHIFT电路需要至少4个高压MOS管(即耐高压的MOS管)，还需要产生一个额外的相对于电源电压保持恒定压差的电源，电路结构复杂；并且高压MOS管的面积很大，LEVELSHIFT电路采用多个高压MOS管，其电路占用的面积势必会较大，不利于产品的小型化。【专利技术内容】本专利技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种电路结构简单、电路占用面积较小的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路。为了实现上述目的，本专利技术提供一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。较佳地，所述NMOS管为高压NMOS管。较佳地，所述齐纳二极管单元为I个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。较佳地，所述齐纳二极管单元为若干个齐纳二极管串联组成。本专利技术有益效果在于:本专利技术只需要I个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本专利技术电路结构简单，而且，只使用了 I个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的电路原理图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。请参考图1，本专利技术应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管NO、上拉电阻R0、齐纳二极管单元、限流电阻Rs。上拉电阻RO—端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的源极均与高压端(VPP)连接，上拉电阻RO另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极均与NMOS管NO的漏极连接，NMOS管NO的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块I的输出端连接，NMOS管NO的源极与限流电阻Rs —端连接，限流电阻Rs另一端接地。其中，上述NMOS管NO为高压NMOS管(即耐高压NMOS管)。在本实施例中，齐纳二极管单元为I个齐纳二极管Z0，该齐纳二极管ZO的阴极为齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为齐纳二极管单元的阳极端。当然，根据被控制的交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅源耐压值不同，齐纳二极管单元也可以为若干个齐纳二极管串联组成。本专利技术的工作原理，如下:当交流驱动LED电路的低压控制模块I输出为“I”(即逻辑高电平)时，NMOS管NO开启，将上拉电阻R0、齐纳二极管ZO的上下端压差嵌位至齐纳二极管ZO的击穿电压，使交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极电压保持恒定，而限流电阻Rs是用来限制NMOS管NO的下拉电流；当交流驱动LED电路的低压控制模块I输出为“O”(即逻辑低电平)时，NMOS管NO关闭，齐纳二极管ZO的阳极、交流驱动LED电路的高压PMOS管PO的栅极均被上拉电阻RO上拉至高压VPP。这样，即实现了 LEVELSHIFT功能，且可省去额外的LEVELSHIFT电源。因此，本专利技术电路结构简单，而且，只使用了 I个NMOS管NO，从而大大减小电路的占用面积，故本专利技术可广泛应用于交流驱动LED电路中。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对本专利技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的实质和范围。【权利要求】1.一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。2.根据权利要求1所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述NMOS管为高压匪OS管。3.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述齐纳二极管单元为I个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。4.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于:所述齐纳二极管 单元为若干个齐纳二极管串联组成。【文档编号】H02M3/155GK103904889SQ201410076864【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年3月4日 优先权日:2014年3月4日 【专利技术者】唐飞球 申请人:东莞博用电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐飞球，
申请(专利权)人：东莞博用电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44