一种3dB电桥制造技术

本发明专利技术公开了一种3dB电桥，通过设置的圆环形的第一耦合部和第二耦合部，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易算坏，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种3dB电桥，通过设置的圆环形的第一耦合部和第二耦合部，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易算坏，使用寿命长。【专利说明】—种3dB电桥
本专利技术涉及同频合路器配件
，具体涉及一种3dB电桥。
技术介绍
在同频合路器中，主要的元部件就是3dB电桥，3dB电桥是一种将两种频率相同的信号进行耦合成一路信号输出的电器件；其要求耦合度高，精确，频段宽；在通信行业中被广泛使用，其中，通信行业的新增标准LTE中，LTE标准要求的频段为2570MHz-2750MHz，目前市场上的同频合路器中，所采用的3dB电桥普遍耦合频率宽度为600MHz-2400MHz，不能满足新增LTE标准要求的频段。另外，目前市场上的3dB为达到宽频目的，采用不同的耦合线形式，造成模具浪费，因此具有生产成本较高的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种耦合频率宽能达到2950MHZ、且两个耦合线形状相同，节省成本的3dB电桥。为实现上述目的，本专利技术的具体方案如下:一种3dB电桥，包括有第一耦合线和第二率禹合线，所述第一 I禹合线包括圆环形的第一 I禹合部、从第一 I禹合部一侧斜向上延伸出的第一输出脚、从第一耦合部另一侧斜向下延伸出的第一输入脚；所述第一输出脚的自由端设第一输出端，第一输入脚的自由端设第一输入端； 所述第二耦合线包括圆环形的第二耦合部、从第二耦合部一侧斜向上延伸出的第二输出脚、从第二耦合部另一侧斜向下延伸出的第二输入脚；所述第二输出脚的自由端设第二输出端，第一输入脚的自由端设第二输入端； 所述第一耦合线和第二耦合线平行且重叠设置，第一耦合部与第二耦合部重之间距离为 4mm-8mm ； 所述第一耦合部与第二耦合部的两侧分别设有安装孔，所述第一耦合部的安装孔与第二耦合部的对应的安装孔之间设有绝缘支柱，所述第一耦合部与第二耦合部之间通过绝缘支柱固定。其中，所述第一耦合线和第二耦合线形状相同并对称设置。其中，所述第一耦合部和第二耦合部的内环直径均为25mm。其中，每个绝缘支柱上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等。其中，第一耦合部与第二耦合部重之间距离为5mm。本专利技术的有益效果为:通过设置的圆环形的第一耦合部和第二耦合部，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易算坏，使用寿命长。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的正视图； 图2是第一耦合线的正视图； 图3是第二耦合线的正视图； 图4是利用本专利技术制作的同频合路器的正视图； 图5是第一耦合线、第二耦合线及绝缘支柱配合时的剖面图； 图6是本专利技术在仿真软件中达到最高耦合频率的曲线示意图； 图1至图6中的附图标记说明: 1-第一I禹合线；11-第一I禹合部；12-第一输出脚；13_第一输入脚；14_第一输出端；15-第一分离杆； 2-第二耦合线；21_第二耦合部；22_第二输出脚；23_第二输入脚；24_第二输出端；25-第二分离杆； 3-安装孔；3a-绝缘支柱； 4-壳体。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细的说明，并不是把本专利技术的实施范围局限于此。如图1至图6所示，本实施例所述的一种3dB电桥，包括有第一耦合线I和第二耦合线2，所述第一耦合线I包括圆环形的第一耦合部11、从第一耦合部11 一侧斜向上延伸出的第一输出脚12、从第一耦合部11另一侧斜向下延伸出的第一输入脚13 ;所述第一输出脚12的自由端设第一输出端14,第一输入脚13的自由端设第一输入端；所述第二I禹合线2包括圆环形的第二耦合部21、从第二耦合部21 —侧斜向上延伸出的第二输出脚22、从第二率禹合部21另一侧斜向下延伸出的第二输入脚23 ;所述第二输出脚22的自由端设第二输出端24，第一输入脚13的自由端设第二输入端；所述第一耦合线I和第二耦合线2平行且重叠设置，第一稱合部11与第二稱合部21重之间距离为;所述第一稱合部11与第二耦合部21的两侧分别设有安装孔3，所述第一耦合部11的安装孔3与第二耦合部21的对应的安装孔3之间设有绝缘支柱3a，所述第一耦合部11与第二耦合部21之间通过绝缘支柱3a固定。通过设置的圆环形的第一耦合部11和第二耦合部21，可使得环形耦合效果大大增强，其通过仿真软件测算出的耦合系数高，耦合频率可以达2950KHZ，大大的满足了目前主流LTE技术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易算坏，使用寿命长。进一步的，利用本实施例所述的3dB电桥制作的与之对应的同频合路器，包括有壳体4及上述所述3dB电桥；上述的3dB电桥固定于壳体4内形成同频合路器。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，所述第一耦合线I和第二耦合线2形状相同并对称设置；如此设置，将第一耦合线I和第二耦合线2在同一模具中制作出来，节省了模具的成本，降低了原材料的成本，提高了生产效率，降低了事故率。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，所述第一耦合部11和第二耦合部21的内环直径均为25_ ;通过计算机软件仿真测算，当第一耦合部11和第二耦合部21的内环直径均为25mm时，其频率宽带最优，效果最好。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，每个绝缘支柱3a上均设有两道卡槽，并且每个绝缘柱体的两道卡槽距离相等；如此设置，可精准的控制第一耦合部11和第二耦合部21之间的距离，防止距离的变化产生效果的失真。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，第一耦合部11与第二耦合部21重之间距离为5mm。通过计算机软件仿真测算，当一耦合部与第二耦合部21重之间距离为5mm时，其频率宽带最优，效果最好。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，第一耦合部11的内环向下延伸出有一方形的第一分离杆15,所述第一分离杆15的横向宽度为2mm,竖直高度为3_ ;通过设置的第一分离杆15，可使得电桥的隔离度大大增加，通过计算机软件仿真，可知，如此设置可达到25db的隔离度。进一步的，本实施例所述的一种3dB电桥，第二耦合部21的内环向下延伸出有一方形的第二分离杆25,所述第二分离杆25的横向宽度为2mm,竖直高度为3mm。同上,通过设置的第二分离杆25，可使得电桥的隔离度大大增加，通过计算机软件仿真，可知，如此设置可达到25db的隔离度。以上所述仅是本专利技术的一个较佳实施例，故凡依本专利技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本专利技术专利申请的保护范围内。【权利要求】1.一种3dB电桥,包括有第一稱合线(I)和第二稱合线(2), 其特征在于:所述第一耦合线(I)包括圆环形的第一耦合部(11)、从第一耦合部(11)一侧斜向上延伸出的第一输出脚(12)、从第一耦合部(11)另一侧斜向下延伸出的第一输入脚(13);所述第一输出脚(12)的自由端设第一输出端(14),第一输入脚(13)的自由端设第一输入端； 所述第二耦合线(2)包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3dB电桥，包括有第一耦合线（1）和第二耦合线（2），其特征在于：所述第一耦合线（1）包括圆环形的第一耦合部（11）、从第一耦合部（11）一侧斜向上延伸出的第一输出脚（12）、从第一耦合部（11）另一侧斜向下延伸出的第一输入脚（13）；所述第一输出脚（12）的自由端设第一输出端（14），第一输入脚（13）的自由端设第一输入端；所述第二耦合线（2）包括圆环形的第二耦合部（21）、从第二耦合部（21）一侧斜向上延伸出的第二输出脚（22）、从第二耦合部（21）另一侧斜向下延伸出的第二输入脚（23）；所述第二输出脚（22）的自由端设第二输出端（24），第一输入脚（13）的自由端设第二输入端；所述第一耦合线（1）和第二耦合线（2）平行且重叠设置，第一耦合部（11）与第二耦合部（21）重之间距离为4mm‑8mm；所述第一耦合部（11）与第二耦合部（21）的两侧分别设有安装孔（3），所述第一耦合部（11）的安装孔（3）与第二耦合部（21）的对应的安装孔（3）之间设有绝缘支柱（3a），所述第一耦合部（11）与第二耦合部（21）之间通过绝缘支柱（3a）固定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊伟，
申请(专利权)人：吴俊伟，
类型：发明
国别省市：浙江;33